--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號(hào) DMT10H009SCG
- 名稱 100V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺(tái)灣
- 封裝 V-DFN3333-8 (Type B)
--- 產(chǎn)品詳情 ---
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMT10H009SCG 這款新一代 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地減少 RDS(ON),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件非常適合用于筆記本電腦電池電源管理和負(fù)載開關(guān)。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMT10H009SCG
名稱 100V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 V-DFN3333-8 (Type B)
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 14 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 48 A
PD @TA = +25°C (W) 2.7 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 9.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 30 nC
CISS Typ (pF) 2085 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V
主要特征
生產(chǎn)中 100% 未鉗位感應(yīng)開關(guān) (UIS) 測(cè)試
高轉(zhuǎn)換效率
低 RDS(ON) – 最大限度地減少狀態(tài)損失
低輸入電容
開關(guān)速度快
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