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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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DMTH6016LPSQ 60V 175°C N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMTH6016LPSQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMTH6016LPSQ
  • 名稱 60V 175°C N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 PowerDI®5060-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMTH6016LPSQ 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMTH6016LPSQ 該 MOSFET 專為滿足汽車應用的嚴格要求而設(shè)計。它符合 AEC-Q101 標準，由 PPAP 支持，非常適合用于：電源管理、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電機控制。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號                    DMTH6016LPSQ
名稱                    60V 175°C N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                    臺灣
封裝                    PowerDI?5060-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10.6 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 37 A
PD @TA = +25°C (W) 2.6 W
PD @TC = +25°C (W) 37.5 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 16 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 24 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8.4 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 17 nC
CISS Typ (pF) 864 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V


主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
熱效率高的封裝 - 運行應用溫度更低
高轉(zhuǎn)換效率
低 R DS(ON) – 最大限度地減少通態(tài)損耗
低輸入電容
開關(guān)速度快
<1.1mm 封裝外形 – 薄型應用的理想選擇


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DTM3A25P20NFDB

 

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