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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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FZT855Q 150V NPN 高壓 晶體管

型號： FZT855Q

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 FZT855Q
  • 名稱 150V NPN 高壓 晶體管
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SOT223

--- 產(chǎn)品詳情 ---

FZT855Q

 產(chǎn)品簡介
DIODES 的FZT855Q這種雙極結(jié)型晶體管（BJT）設(shè)計(jì)用于滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)格要求。


產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號                    FZT855Q
名稱                    150V NPN 高壓 晶體管
產(chǎn)地                    臺灣
封裝                    SOT223

 

產(chǎn)品參數(shù)
Category High Voltage Transistor
Compliance(Only Automotive supports PPAP) Automotive
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 150
IC (A) 5
ICM (A) 10
PD (W) 3
hFE (Min) 100
hFE (@ IC) (A) 0.01
hFE(Min 2) 15
hFE (@ IC2) (A) 5
VCE(sat) Max (mV) 65
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.5/50
VCE(sat) (Max.2) (mV) 110
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 1/100
fT (MHz) 90
Spice Model FZT855.spice.txt


主要特征
BVCEO > 150V
I C = 5A 高連續(xù)集電極電流
ICM = 10A 峰值脈沖電流
極低飽和電壓 VCE(sat) < 110mV @ 1A
R CE(sat) = 50mΩ，可實(shí)現(xiàn)低等效導(dǎo)通電阻
H FE指定高達(dá) 10A，可實(shí)現(xiàn)高增益保持

 

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