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DGD0597FUQ 高頻高側 低側柵極 驅動器

型號： DGD0597FUQ

--- 產品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DGD0597FUQ
  • 名稱 高頻高側 低側柵極 驅動器
  • 產地 臺灣
  • 封裝 V-QFN3030-8

--- 產品詳情 ---

DGD0597FUQ  

 產品簡介
DIODES 的DGD0597FUQ這是一款高頻高側和低側柵極驅動器，能夠驅動半橋配置中的 N 溝道 MOSFET。浮動高側驅動器的額定電壓高達 40V，并為 MOSFET 提供 5V 柵極驅動。
DGD0597FUQ 邏輯輸入與標準 TTL 和 CMOS 電平（低至 3.3V）兼容，可輕松與 MCU 連接。UVLO 將在斷電時保護 IC 和 MOSFET。
快速且匹配良好的傳播延遲可實現(xiàn)更高的開關頻率，從而使用更小的相關組件實現(xiàn)更小、更緊湊的電源開關設計。DGD0597FUQ 采用 V-QFN3030-8 封裝，工作溫度范圍為 -40°C 至 +125°C。

 

產品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號                    DGD0597FUQ
名稱                    高頻高側 低側柵極 驅動器
產地                    臺灣
封裝                    V-QFN3030-8


產品參數(shù)

Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Offset Voltage Max (V) 40 V
Inputs HIN, LIN
Output Current IO+ (Typ) (mA) 1500 mA
Output Current IO- (Typ) (mA) 2500 mA
tON (Typ) (ns) 14 ns
tOFF (Typ) (ns) 14 ns
tR (Typ) (ns) 7 ns
tF (Typ) (ns) 5 ns

 


主要特征
40V 浮動高側驅動器
低VCC工作電壓：4.5V至5.5V
以半橋配置驅動兩個 N 溝道邏輯電平 MOSFET
5A 拉電流/2.5A 灌電流輸出能力
包含內部自舉二極管
4V UVLO，具有 0.4V 遲滯
快速上升和下降時間 (7ns/5ns)
傳播延遲典型值為 14ns
延遲匹配典型值為 2.5ns
擴展溫度范圍：-40°C 至 +125°C


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