型號 AP4563GH絲印 VBE5415品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 N+P溝道MOSFET 最大耐壓 ±40V 最大電流 50A/50A 導(dǎo)通電阻 15mΩ @10V, 18.75mΩ @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 ±1Vth 封裝 TO2525應(yīng)用簡介 AP4563GH是一款N+P溝道MOSFET，適用于需要同時控制N溝道和P溝道MOSFET的應(yīng)用。其最大耐壓為±40V，最大電流為50A/50A，具有低導(dǎo)通電阻和高性能。該器件適用于多個領(lǐng)域的模塊設(shè)計，主要包括 1. 電源管理模塊 適用于負(fù)責(zé)電流控制和功率開關(guān)的電源管理模塊。2. 電機驅(qū)動模塊 可用于驅(qū)動大功率電機，如電動汽車和工業(yè)機械中的驅(qū)動電路。3. 逆變器模塊 適用于太陽能逆變器和UPS系統(tǒng)等高功率逆變器?？傊珹P4563GH適用于需要同時控制N溝道和P溝道MOSFET的高功率應(yīng)用領(lǐng)域的模塊設(shè)計，包括電源管理、電機驅(qū)動和逆變器模塊等。
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 N+P溝道
- 最大耐壓 ±40V
- 最大電流 50A/50A
- 導(dǎo)通電阻 15mΩ @10V, 18.75mΩ @4.5V
- 門源電壓 20Vgs (±V)
- 門閾電壓 ±1Vth
- 封裝 TO2525
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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