CED12N10詳細參數(shù)說明 極性 N溝道 額定電壓 100V 額定電流 15A 導(dǎo)通電阻 115mΩ @ 10V, 120mΩ @ 4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 閾值電壓 1.41Vth (V) 封裝類型 TO251應(yīng)用簡介 CED12N10是一款N溝道MOSFET，適用于各種電源管理和功率放大器應(yīng)用。它具有較高的額定電壓和額定電流特性，能夠提供可靠且高效的電流開關(guān)功能。通過控制20Vgs (±V)的門源電壓，可以實現(xiàn)開關(guān)管的導(dǎo)通和截止，實現(xiàn)電流的控制和開關(guān)狀態(tài)的轉(zhuǎn)換。其較低的導(dǎo)通電阻可以降低功耗，并提高系統(tǒng)的效率。CED12N10采用TO251封裝，適用于各種電路板和模塊中使用。該器件廣泛應(yīng)用于電源開關(guān)、電源逆變器、電機驅(qū)動器等領(lǐng)域。具有較高的額定電壓和額定電流，CED12N10特別適用于需要高功率和高電流傳輸?shù)念I(lǐng)域，如電源開關(guān)和功率放大器?？傊?，CED12N10是一款N溝道MOSFET，適用于電源管理和功率放大器等應(yīng)用模塊中，特別適用于需要高功率和高電流傳輸?shù)念I(lǐng)域，如電源開關(guān)和功率放大器。
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 極性 N溝道
- 額定電壓 100V
- 額定電流 15A
- 導(dǎo)通電阻 115mΩ @ 10V, 120mΩ @ 4.5V
- 門源電壓 20Vgs (±V)
- 閾值電壓 1.41Vth (V)
- 封裝類型 TO251
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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