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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造，致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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SI2319DS-T1-GE3-VB-SOT23封裝P溝道MOSFET

型號(hào)： SI2319DS-T1-GE3-VB
品牌： VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 極性 P溝道
  • 額定電壓 30V
  • 額定電流 5.6A
  • 導(dǎo)通電阻 47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V
  • 門(mén)源電壓 20Vgs (±V)
  • 閾值電壓 1Vth (V)
  • 封裝類型 SOT23

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

SI2319DS-T1-GE3.pdf

--- 產(chǎn)品詳情 ---

SI2319DST1GE3詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明  極性 P溝道 額定電壓 30V 額定電流 5.6A 導(dǎo)通電阻 47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V 門(mén)源電壓 20Vgs (±V) 閾值電壓 1Vth (V) 封裝類型 SOT23應(yīng)用簡(jiǎn)介 SI2319DST1GE3是一款P溝道MOSFET，適用于各種電源管理和功率放大器應(yīng)用。它具有負(fù)的額定電壓和額定電流特性，能夠提供可靠且高效的電流開(kāi)關(guān)功能。通過(guò)控制20Vgs (±V)的門(mén)源電壓，可以實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通和截止實(shí)現(xiàn)電流的控制和開(kāi)關(guān)狀態(tài)的轉(zhuǎn)換。其較低的導(dǎo)通電阻可以降低功耗，并提高系統(tǒng)的效率。SI2319DST1GE3采用SOT23封裝，適用于各種電路板和模塊中使用。該器件廣泛應(yīng)用于電源開(kāi)關(guān)、電源逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等領(lǐng)域。由于其負(fù)的額定電壓和額定電流特性，SI2319DST1GE3特別適用于需要控制和開(kāi)關(guān)負(fù)電壓的電路應(yīng)用。在這些領(lǐng)域中，它能夠提供可靠的功率開(kāi)關(guān)控制和負(fù)電壓的電流傳輸?？傊?，SI2319DST1GE3是一款P溝道MOSFET，適用于電源管理和功率放大器等應(yīng)用模塊中。特別適用于需要控制和開(kāi)關(guān)負(fù)電壓的領(lǐng)域，如電源開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等領(lǐng)域。
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