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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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ME35N06G-VB-TO252封裝溝道MOSFET

型號: ME35N06G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 類型 N溝道
  • 最大耐壓 60V
  • 最大電流 45A
  • 導(dǎo)通電阻 24mΩ@10V, 28mΩ@4.5V
  • 門源電壓 20Vgs (±V)
  • 門閾電壓 1.8Vth
  • 封裝 TO252

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號 ME35N06G絲印 VBE1638品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明  類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 60V 最大電流 45A 導(dǎo)通電阻 24mΩ@10V, 28mΩ@4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.8Vth 封裝 TO252應(yīng)用簡介 ME35N06G是一款N溝道MOSFET,適用于高電壓和大電流的應(yīng)用。其最大耐壓為60V,最大電流為45A,具有低導(dǎo)通電阻和高性能。該器件適用于多個領(lǐng)域的模塊設(shè)計(jì),主要包括 1. 電源管理模塊 適用于高壓電源開關(guān)和DCDC變換器等。2. 電機(jī)驅(qū)動模塊 可用于驅(qū)動大功率電機(jī)和機(jī)器人控制系統(tǒng)。3. 高功率逆變器模塊 適用于太陽能逆變器、UPS電源等高功率逆變器??傊琈E35N06G適用于高電壓和大電流應(yīng)用領(lǐng)域的模塊設(shè)計(jì),包括電源管理、電機(jī)驅(qū)動和高功率逆變器模塊等。
 

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