--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 N溝道
- 最大耐壓 20V
- 最大電流 6A
- 導通電阻 24mΩ@4.5V, 33mΩ@2.5V
- 門源電壓 8Vgs (±V)
- 門閾電壓 0.45~1Vth
- 封裝 SOT23
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號 AP2306GN絲印 VB1240品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 20V 最大電流 6A 導通電阻 24mΩ@4.5V, 33mΩ@2.5V 門源電壓 8Vgs (±V) 門閾電壓 0.45~1Vth 封裝 SOT23應用簡介 AP2306GN 是一款 N溝道MOSFET,適用于低電壓和中等電流的應用。其最大耐壓為20V,最大電流為6A,具有低導通電阻和高性能。該器件適用于多個領域的模塊設計,主要包括 1. 電源管理模塊 適用于低電壓電源開關和電池管理系統(tǒng)等。2. 照明模塊 可用于LED驅(qū)動和照明控制。3. 手持設備 適用于手機、平板電腦等手持設備中的負載開關和電源控制??傊?,AP2306GN 適用于低電壓和中等電流應用領域的模塊設計,包括電源管理、照明模塊和手持設備等。
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