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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造，致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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SI2323DDS-T1-GE3-VB-SOT23封裝P溝道MOSFET

型號： SI2323DDS-T1-GE3-VB
品牌： VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道類型 P溝道
  • 額定電壓 30V
  • 額定電流 5.6A
  • 導(dǎo)通電阻 47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V
  • 閾值電壓 1V
  • 封裝類型 SOT23

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

SI2323DDS-T1-GE3.pdf

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號 SI2323DDST1GE3  絲印 VB2355  品牌 VBsemi 參數(shù)  溝道類型 P溝道 額定電壓 30V 額定電流 5.6A 導(dǎo)通電阻 47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) 閾值電壓 1V 封裝類型 SOT23詳細(xì)參數(shù)說明 SI2323DDST1GE3是一款P溝道MOS管，適用于最大30V的工作電壓，最大5.6A的電流承載能力。其導(dǎo)通電阻在10V下為47mΩ，4.5V下為56mΩ。閾值電壓為1V，需要在控制電壓小于該閾值時(shí)才能實(shí)現(xiàn)正常導(dǎo)通。封裝類型為SOT23。應(yīng)用簡介 SI2323DDST1GE3適用于需要低電壓和中等電流的應(yīng)用領(lǐng)域，如電源開關(guān)、電池保護(hù)、電源管理等。其低導(dǎo)通電阻和較低的額定電壓使其能夠提供高效能轉(zhuǎn)換和可靠的開關(guān)控制。在電源開關(guān)模塊、電池保護(hù)模塊和電源管理模塊中，SI2323DDST1GE3能夠提供穩(wěn)定的功率傳輸和可靠的電路保護(hù)。綜上所述，SI2323DDST1GE3適用于低電壓和中等電流承載能力的應(yīng)用，特別適用于電源開關(guān)、電池保護(hù)和電源管理等領(lǐng)域模塊。其低導(dǎo)通電阻、較低的額定電壓和穩(wěn)定的性能為這些模塊提供了高效能轉(zhuǎn)換和可靠的電路控制。
 

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