--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 N溝道
- 最大耐壓 30V
- 最大電流 6.5A
- 導(dǎo)通電阻 30mΩ@10V, 33mΩ@4.5V
- 門源電壓 20Vgs (±V)-
- 門閾電壓 1.2~2.2Vth-
- 封裝 SOT23
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號(hào) NTR4170NT1G絲印 VB1330品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 - 類型 N溝道MOSFET- 最大耐壓 30V- 最大電流 6.5A- 導(dǎo)通電阻 30mΩ@10V, 33mΩ@4.5V- 門源電壓 20Vgs (±V)- 門閾電壓 1.2~2.2Vth- 封裝 SOT23應(yīng)用簡(jiǎn)介 NTR4170NT1G是一款N溝道MOSFET,適用于中等電壓和中等電流的應(yīng)用。其最大耐壓為30V,最大電流為6.5A,具有低導(dǎo)通電阻和高性能。該器件適用于多個(gè)領(lǐng)域的模塊設(shè)計(jì),主要包括 1. 電源管理模塊 適用于低電壓電源開關(guān)和電池管理系統(tǒng)等。2. 照明模塊 可用于LED驅(qū)動(dòng)和照明控制。3. 消費(fèi)電子模塊 適用于手機(jī)、平板電腦和數(shù)碼相機(jī)等消費(fèi)電子設(shè)備中的功率管理??傊?,NTR4170NT1G適用于中等電壓和中等電流應(yīng)用領(lǐng)域的模塊設(shè)計(jì),包括電源管理、照明模塊和消費(fèi)電子模塊等。
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