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深圳市華灃恒霖電子科技有限公司

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CGHV1F025S Package Type: 3x4 DFNPN: CGHV1F025S25 W, DC - 15 GHz, 40 V, GaN HEMT

型號(hào)： CGHV1F025S

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 具體型號(hào) CGHV1F025S
  • 功率 25 W
  • 范圍 DC - 15 GHz,
  • 電壓 40 V
  • 類型 GaN HEMT

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CGHV1F025S

Package Type: 3x4 DFNPN: CGHV1F025S25 W, DC - 15 GHz, 40 V, GaN HEMTDescriptionWolfspeed’s 

 

CGHV1F025S is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electronmobility transistor (HEMT) designed specifically for high efficiency, high gain andwide bandwidth capabilities. The device can be deployed for L-, S-, C-, X- andKu-Band amplifier applications. The datasheet specifications are based on aX-Band (8.9 - 9.6 GHz) amplifier. The CGHV1F025S operates on a 40 volt rail circuitwhile housed in a 3mm x 4mm, surface mount, dual-flat-no-lead (DFN) package.Under reduced power, the transistor can operate below 40V to as low as 20V VDD,maintaining high gain and efficiency.

 

CGHV1F025S

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