詳細(xì)參數(shù)說明
型號: 2SK3105-T1B-A-VB
絲印: VB1330
品牌: VBsemi
參數(shù): N溝道,30V,6.5A,RDS(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.2~2.2Vth(V)；SOT23
N溝道: 表示這是一個(gè)N溝道MOSFET晶體管，適用于負(fù)載開關(guān)和功率放大電路等應(yīng)用。
30V: MOSFET晶體管的最大耐壓為30V，意味著在該電壓范圍內(nèi)可以正常工作。
6.5A: MOSFET晶體管的最大電流為6.5A，表示可以承受最大6.5A的電流。
RDS(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V: RDS(ON)是指開通時(shí)晶體管的導(dǎo)通電阻。在給定的電壓下，當(dāng)VGS為10V時(shí)，導(dǎo)通電阻為30mΩ；當(dāng)VGS為4.5V時(shí)，導(dǎo)通電阻為33mΩ。導(dǎo)通電阻越小，晶體管的導(dǎo)通性能越好。
20Vgs(±V): VGS是指用于控制晶體管開通的柵極電壓范圍。該晶體管的柵極電壓范圍為±20V。
1.2~2.2Vth(V): Vth是指晶體管的閾值電壓，也就是晶體管開始導(dǎo)通的電壓。該晶體管的閾值電壓范圍為1.2V至2.2V。
SOT23: SOT23是晶體管的封裝類型，屬于小型封裝，易于焊接。
應(yīng)用簡介
該型號的2SK3105-T1B-A-VB晶體管適用于以下領(lǐng)域模塊上
1. 負(fù)載開關(guān)模塊 由于其能承受較大電流和耐壓，可以用于負(fù)載開關(guān)模塊，實(shí)現(xiàn)對高功率負(fù)載的快速開關(guān)控制。
2. 電源模塊 晶體管的導(dǎo)通電阻較小，可以用于功率放大電路，提供更穩(wěn)定的電源輸出。
3. 大電流驅(qū)動(dòng)模塊 由于其能承受較大電流，可以用于大電流驅(qū)動(dòng)模塊，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)或功率放大器等。
總結(jié)起來，2SK3105-T1B-A-VB晶體管在負(fù)載開關(guān)、電源和大電流驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域模塊中都有廣泛應(yīng)用。
