--- 產品參數 ---
- 類型 N溝道
- 最大耐壓 60V
- 最大電流 18A
- 靜態(tài)開啟電阻 73mΩ @ 10V, 85mΩ @ 4.5V
- 門源極電壓 20V (±V)
- 閾值電壓 2V
- 封裝類型 TO252
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
型號 NTD3055L170T4G-VB
絲印 VBE1695
品牌 VBsemi
參數
類型 N溝道
最大耐壓 60V
最大電流 18A
靜態(tài)開啟電阻 (RDS(ON)) 73mΩ @ 10V, 85mΩ @ 4.5V
門源極電壓 (Vgs) 20V (±V)
閾值電壓 (Vth) 2V
封裝類型 TO252
應用簡介
NTD3055L170T4G-VB是一款N溝道MOSFET,適用于多種電子應用,以下是一些可能的應用領域
1. 電源模塊 這款MOSFET可用于電源模塊中的功率開關,幫助提高電源管理的效率,適用于便攜式設備、嵌入式系統和電源逆變器。
2. DC-DC轉換器 NTD3055L170T4G-VB可以用于DC-DC轉換器中,將一個電壓轉換成另一個電壓,適用于電池驅動的設備、電子終端和通信設備。
3. 電池管理 它還可以用于電池管理系統中,控制電池的充電和放電,確保電池的安全和性能。
4. 電機驅動 NTD3055L170T4G-VB可用于電機驅動電路,如電機控制器和電動工具,以實現高效的電機運行。
5. 汽車電子 由于其高電流承受能力和低導通電阻,這種MOSFET也適用于汽車電子系統,如車輛電源管理和驅動控制。
NTD3055L170T4G-VB的特性使其適用于多種中等功率電子應用,尤其是在需要高電流承受能力和低導通電阻的情況下。然而,在選擇和使用該器件時,仍然需要詳細了解其數據手冊和性能參數,以確保其滿足特定應用的要求。
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