型號 SI2371EDS-T1-GE3-VB
絲印 VB2355
品牌 VBsemi
參數(shù)
類型 P溝道
額定電壓（Vds） -30V
最大持續(xù)電流（Id） -5.6A
導(dǎo)通電阻（RDS(ON)） 47mΩ @ 10V
門源電壓范圍（Vgs） 20V（正負(fù)）
閾值電壓（Vth） -1V
封裝 SOT23
應(yīng)用簡介
SI2371EDS-T1-GE3-VB是一款P溝道場效應(yīng)晶體管（MOSFET），適用于需要低導(dǎo)通電阻和負(fù)向電壓操作的電子應(yīng)用。它在電源開關(guān)、電池管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。
詳細(xì)參數(shù)說明
1. 類型 這是一款P溝道MOSFET，意味著它在輸入負(fù)向電壓時導(dǎo)通。這種類型的MOSFET通常用于需要負(fù)向電壓操作的電路中。
2. 額定電壓（Vds） 它可以承受的最大漏極-源極電壓為-30V。這表示它可以在負(fù)向電壓條件下工作。
3. 最大持續(xù)電流（Id） 這款MOSFET的最大電流承受能力為-5.6A。負(fù)號表示電流流向是從源到漏極。
4. 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)） RDS(ON)是導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻，它影響MOSFET的功耗和效率。在10V的門源電壓下，它的RDS(ON)為47mΩ，表示在導(dǎo)通狀態(tài)下的功耗相對較低。
5. 門源電壓范圍（Vgs） MOSFET的門源電壓范圍為20V，這表示需要至多20V的電壓來控制它的導(dǎo)通狀態(tài)。
6. 閾值電壓（Vth） 這款MOSFET的閾值電壓為-1V。這是啟動MOSFET導(dǎo)通的門源電壓。
7. 封裝 這款MOSFET采用SOT23封裝，這是一種常見的小型封裝類型，適用于緊湊的電路設(shè)計。
應(yīng)用領(lǐng)域
SI2371EDS-T1-GE3-VB這款MOSFET適用于多種需要低導(dǎo)通電阻和負(fù)向電壓操作的電子模塊和設(shè)備，包括但不限于以下領(lǐng)域模塊
1. 電源開關(guān) 可用于低電阻負(fù)向電壓電源開關(guān)，如電壓轉(zhuǎn)換和電源控制。
2. 電池管理 可用于電池充電和放電管理，以確保安全和高效的電池使用。
3. 負(fù)載開關(guān) 用于控制負(fù)載的通斷，如LED照明系統(tǒng)、電動工具和電子設(shè)備。
4. 電源保護(hù) 可用于電源保護(hù)電路，以防止過流、過壓等異常情況。
5. 電流控制 可用于電流控制電路，如電池充電器和電流放大器。
總之，這款P溝道MOSFET適用于需要低導(dǎo)通電阻和負(fù)向電壓操作的電子模塊和設(shè)備，提供電源控制和電流管理的功能，特別是在需要負(fù)向電壓操作的應(yīng)用中。
