型號(hào) AO3460-VB
絲印 VB162K
品牌 VBsemi
參數(shù)
類型 N溝道
額定電壓（Vds） 60V
最大持續(xù)電流（Id） 0.3A
導(dǎo)通電阻（RDS(ON)） 2800mΩ @ 10V
門源電壓范圍（Vgs） 20V（正負(fù)）
閾值電壓（Vth） 1.6V
封裝 SOT23
應(yīng)用簡(jiǎn)介
AO3460-VB是一款N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），適用于需要低功耗和低電流的電子應(yīng)用。它通常用于小功率電路和電子開關(guān)應(yīng)用。
詳細(xì)參數(shù)說明
1. 類型 這是一款N溝道MOSFET，意味著它在輸入正向電壓時(shí)導(dǎo)通。這種類型的MOSFET通常用于需要正向電壓操作的電路中。
2. 額定電壓（Vds） 它可以承受的最大漏極-源極電壓為60V。這表示它可以在相對(duì)高電壓條件下工作。
3. 最大持續(xù)電流（Id） 這款MOSFET的最大電流承受能力為0.3A。這使其適用于低功耗和小電流的應(yīng)用。
4. 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)） RDS(ON)是導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻，它影響MOSFET的功耗和效率。在10V的門源電壓下，它的RDS(ON)為2800mΩ，表示在導(dǎo)通狀態(tài)下的功耗相對(duì)較高，適用于小功率應(yīng)用。
5. 門源電壓范圍（Vgs） MOSFET的門源電壓范圍為20V，這表示需要至多20V的電壓來控制它的導(dǎo)通狀態(tài)。
6. 閾值電壓（Vth） 這款MOSFET的閾值電壓為1.6V。這是啟動(dòng)MOSFET導(dǎo)通的門源電壓。
7. 封裝 這款MOSFET采用SOT23封裝，這是一種小型封裝類型，適用于緊湊的電路設(shè)計(jì)。
應(yīng)用領(lǐng)域
AO3460-VB這款MOSFET適用于多種需要低功耗和低電流的電子模塊和設(shè)備，包括但不限于以下領(lǐng)域模塊
1. 小功率電子開關(guān) 常用于小型電子設(shè)備的開關(guān)電路，例如手機(jī)、平板電腦和便攜式電子設(shè)備中的電源管理。
2. 信號(hào)開關(guān) 在需要低功耗的信號(hào)開關(guān)電路中使用，例如傳感器信號(hào)處理和通信設(shè)備。
3. 電池管理 可用于低功耗電池管理電路，以延長(zhǎng)電池壽命和提高能效。
4. 模擬電路保護(hù) 在模擬電路中用于過壓和過流保護(hù)。
5. 小型電源轉(zhuǎn)換器 在需要小功率電源轉(zhuǎn)換的應(yīng)用中使用，例如低功耗DC-DC轉(zhuǎn)換器。
總之，AO3460-VB適用于需要低功耗和低電流操作的小型電子模塊和設(shè)備，特別是在需要低功耗和小功率的應(yīng)用中。
