--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 TO252封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
P9006EDG (VBE2610N)參數(shù)說明:P溝道,-60V,-38A,導(dǎo)通電阻61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V),閾值電壓-1.3V,封裝:TO252。
應(yīng)用簡介:P9006EDG適用于功率開關(guān)和逆變器等應(yīng)用的P溝道MOSFET。
其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻有助于提高效率和降低功率損耗。
適用領(lǐng)域與模塊:適用于電源開關(guān)、逆變器和功率放大器等領(lǐng)域模塊,特別適合高功率要求的場景。
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