--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 SOT23封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
SI2301DS-T1-GE3 (VB2290)參數(shù)說(shuō)明:極性:P溝道;額定電壓:-20V;最大電流:-4A;導(dǎo)通電阻:57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V;門(mén)源電壓范圍:12Vgs (±V)閾值電壓:-0.81V;封裝:SOT23
應(yīng)用簡(jiǎn)介:SI2301DS-T1-GE3 (VB2290) 是一款P溝道MOSFET,適用于需要控制電流的應(yīng)用。
其低導(dǎo)通電阻使其在電流控制電路中表現(xiàn)出色。
常用于電源開(kāi)關(guān)、電荷控制、功率放大等。
優(yōu)勢(shì):低導(dǎo)通電阻:減少功耗,提高效率。
可靠性:VBsemi作為知名半導(dǎo)體品牌,產(chǎn)品經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的質(zhì)量控制,具有高的可靠性。
適用封裝:SOT23封裝適合空間有限的設(shè)計(jì)。
適用模塊:SI2301DS-T1-GE3 (VB2290) 適用于需要電流控制的模塊,如電源開(kāi)關(guān)模塊、電荷控制模塊等。
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