--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 N溝道
- 封裝 SOT23封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
SI2318CDS-T1-GE3 (VB1330)參數(shù)說明:極性:N溝道;額定電壓:30V;最大電流:6.5A;導通電阻:30mΩ @ 10V, 33mΩ @ 4.5V;門源電壓范圍:20Vgs (±V)閾值電壓:1.2~2.2V;封裝:SOT23
應用簡介:SI2318CDS-T1-GE3 (VB1330) 是一款N溝道MOSFET,適用于中功率應用的開關(guān)控制。
具有適中的電流和導通電阻,使其在多種應用中表現(xiàn)出色。
常見的應用包括電源開關(guān)、電機驅(qū)動、LED驅(qū)動等。
優(yōu)勢:中功率應用:適用于中功率范圍內(nèi)的開關(guān)控制,如電源開關(guān)和電機驅(qū)動。
低導通電阻:低導通電阻有助于減少導通損耗,提高效率。
寬門源電壓范圍:適應不同工作條件,提高穩(wěn)定性。
閾值電壓可調(diào)范圍:適合不同邏輯電平的控制。
適用模塊:SI2318CDS-T1-GE3 (VB1330) 適用于中功率開關(guān)控制模塊,如電源管理模塊、電機驅(qū)動模塊等。
其中等功率和可調(diào)的閾值電壓使其適用于多種應用場景,特別是需要適應不同邏輯電平的情況。
請注意,實際使用中應根據(jù)具體的電路需求進行詳細的設(shè)計和測試,以確保所選器件的性能和可靠性。
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