SI2319CDS-T1-GE3 (VB2355)參數(shù)說明：P溝道，-30V，-5.6A，導通電阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓-1V，封裝：SOT23。
應用簡介：SI2319CDS-T1-GE3適用于功率開關和穩(wěn)壓應用的P溝道MOSFET。
其低導通電阻有助于降低功率損耗，提高效率。
優(yōu)勢與適用領域：具有低導通電阻，適用于要求低功率損耗和高效率的領域，如電源開關、穩(wěn)壓和逆變器等模塊。
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 SOT23封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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