--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
- 型號 FSU02LG
- 名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管
- 產(chǎn)地 日本
- 封裝 LG*
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號簡介
Sumitomo的FSU02LG是一種高性能、低噪聲的GaAs FET,設計用于PCS/PCN應用程序作為2GHz頻帶的驅(qū)動器。Eudyna嚴格的質(zhì)量保證計劃確保最高可靠性和一致的性能。
型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 FSU02LG
名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管
產(chǎn)地 日本
封裝 LG*
型號參數(shù)
高輸出功率:P1dB=23.0dBm(典型值)@2GHz
高相關(guān)增益:G1dB=17.0dB(典型值)@2GHz
低噪聲系數(shù):NF=1.5dB(典型值)@f=2GHz
低偏置條件:VDS=3V,20mA
經(jīng)濟高效的密封微帶封裝
提供磁帶和卷軸
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