--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
- 型號 SGC8598-200B-R
- 名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管
- 產(chǎn)地 日本
- 封裝 IK
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號簡介
Sumitomo的SGC8598-200A-R是一種高功率GaN HEMT內(nèi)部匹配用于X波段雷達波段,以提供50歐姆系統(tǒng)中的最佳功率和增益。
型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 SGC8598-200B-R
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管
產(chǎn)地 日本
封裝 IK
型號參數(shù)
高輸出功率:Psat=54.0dBm(典型值)
高增益:Gp=10dB(典型值)
高P.A.E.:PAE=38%(典型值)
寬帶:8.5至9.8GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50歐姆
密封包裝
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