--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 N+P溝道
- 封裝 SC70-6封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號(hào):SI1555DL-T1-GE3-VB
絲印:VBK5213N
品牌:VBsemi
詳細(xì)參數(shù)說明:
- 類型:N+P溝道MOSFET
- 額定電壓(Vds):±20V
- 額定電流(Id):2.5A (N溝道), -1.5A (P溝道)
- 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):130mΩ (N溝道) @ 4.5V, 160mΩ (N溝道) @ 2.5V, 230mΩ (P溝道) @ 4.5V, 280mΩ (P溝道) @ 2.5V
- 閾值電壓(Vth):±0.6~2V
- 封裝類型:SC70-6
應(yīng)用簡介:
SI1555DL-T1-GE3-VB是一款N+P溝道MOSFET,具有雙溝道(N溝道和P溝道)的特性,適用于各種電子應(yīng)用中。以下是該產(chǎn)品可能的應(yīng)用領(lǐng)域:
1. 電池保護(hù)電路:
該MOSFET可用于電池保護(hù)電路中,以控制充電和放電過程,確保電池的安全性和穩(wěn)定性。N溝道和P溝道MOSFET的雙通道設(shè)計(jì)使其適用于不同極性的電池保護(hù)。
2. 電源開關(guān):
SI1555DL-T1-GE3-VB可用于開關(guān)電源模塊,如DC-DC轉(zhuǎn)換器和開關(guān)穩(wěn)壓器。其低導(dǎo)通電阻有助于提高開關(guān)電源的效率。
3. 信號(hào)開關(guān):
在各種信號(hào)開關(guān)應(yīng)用中,這款MOSFET可以用于實(shí)現(xiàn)信號(hào)切換和路由,以控制電路的連接和斷開。
4. 低電壓應(yīng)用:
由于其較低的閾值電壓和低導(dǎo)通電阻,SI1555DL-T1-GE3-VB適用于低電壓應(yīng)用,如便攜式設(shè)備、手機(jī)和平板電腦等,以實(shí)現(xiàn)高效的電路控制。
總之,SI1555DL-T1-GE3-VB是一款雙通道(N+P溝道)MOSFET,適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域,包括電池保護(hù)、電源開關(guān)、信號(hào)開關(guān)和低電壓應(yīng)用等。其多功能性和性能特點(diǎn)使其成為電子系統(tǒng)中的重要組件,用于控制和調(diào)節(jié)電路的功能。請(qǐng)?jiān)诰唧w應(yīng)用中參考其數(shù)據(jù)手冊(cè)以確保正確使用。
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