--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 SOT23封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號:SSM3J328R-VB
絲?。篤B2355
品牌:VBsemi
參數(shù)說明:
- 極性:P溝道
- 額定電壓:-30V
- 最大連續(xù)漏極電流:-5.6A
- 靜態(tài)漏極-源極電阻(RDS(ON)):47mΩ @ 10V,56mΩ @ 4.5V
- 門極-源極電壓(Vgs):20V(±V)
- 開啟電壓(門極閾值電壓):-1V
- 封裝:SOT23
應用簡介:
SSM3J328R-VB是一款P溝道場效應晶體管(MOSFET)器件,具有低漏極-源極電阻和適中的電流承受能力。這使其在多種電子應用領域中非常有用。
應用領域:
1. **電源模塊**:由于SSM3J328R-VB具有低漏極-源極電阻,它適用于電源管理模塊、電池保護電路和開關電源,有助于提高電能轉換效率。
2. **信號開關**:這種MOSFET器件可用于各種信號開關應用,例如低電壓信號切換和電路保護。
3. **電池管理**:在便攜式設備和無線通信設備中,SSM3J328R-VB可用于電池管理系統(tǒng),確保電池的安全充放電和保護。
4. **功率管理**:在功率管理電路中,這種MOSFET可以用于電源開關和功率分配。
總之,SSM3J328R-VB是一款多功能的電子器件,適用于需要中等電流承受能力、低電阻和可靠性的各種電子應用領域。它可以用于電源管理、信號開關、電池管理、功率管理等模塊。
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