型號：SI4825DDY-T1-E3-VB
絲印：VBA2311
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- P溝道
- 額定電壓：-30V
- 最大電流：-11A
- 開態(tài)電阻 (RDS(ON))：10mΩ @ 10V, 13mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓 (Vth)：-1.42V
- 封裝：SOP8
應(yīng)用簡介：
SI4825DDY-T1-E3-VB是一款P溝道MOSFET，適用于負極性電壓應(yīng)用，具有低開態(tài)電阻和高電流特性。這款MOSFET適用于需要負電壓開關(guān)和控制的領(lǐng)域。
主要特點和應(yīng)用領(lǐng)域：
1. **電源逆變器**：SI4825DDY-T1-E3-VB可用于電源逆變器，將正電壓轉(zhuǎn)換為負電壓，適用于一些特殊應(yīng)用，如負電壓電源系統(tǒng)。
2. **電流控制**：這款MOSFET可用于負電流控制，例如電流源、電流控制器和電流放大器，用于實現(xiàn)精確的電流調(diào)控。
3. **負極性電源管理**：在特殊應(yīng)用中，需要負極性電源管理，SI4825DDY-T1-E3-VB可以用于實現(xiàn)電源開關(guān)和控制。
4. **電池保護**：在移動設(shè)備和電池供電系統(tǒng)中，這款MOSFET可以用于電池保護電路，確保電池充電和放電過程中的安全性和穩(wěn)定性。
5. **負電壓電源調(diào)節(jié)器**：SI4825DDY-T1-E3-VB可用于負電壓電源調(diào)節(jié)器，用于調(diào)整負載的電流和電壓。
總之，SI4825DDY-T1-E3-VB適用于多個領(lǐng)域，包括電源逆變器、電流控制、負極性電源管理、電池保護和負電壓電源調(diào)節(jié)器等模塊。其P溝道特性和低開態(tài)電阻等特性使其成為處理負電壓應(yīng)用的理想選擇。
