--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 N溝道
- 封裝 SOT23-6封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
根據(jù)提供的型號(hào)和參數(shù),以下是對(duì)該MOSFET型號(hào) SI3456DDV-T1-GE3-VB 的詳細(xì)參數(shù)和應(yīng)用簡(jiǎn)介:
**型號(hào):** SI3456DDV-T1-GE3-VB
**絲?。?* VB7322
**品牌:** VBsemi
**參數(shù):**
- 溝道類型:N溝道
- 額定電壓:30V
- 最大電流:6A
- 靜態(tài)漏極-源極電阻 (RDS(ON)):30mΩ @ 10V, 40mΩ @ 4.5V
- 門源電壓閾值 (Vth):1.2V
- 標(biāo)準(zhǔn)門源電壓 (±V):20V
- 封裝:SOT23-6
**產(chǎn)品應(yīng)用簡(jiǎn)介:**
SI3456DDV-T1-GE3-VB 是一款 N溝道MOSFET,具有較低的漏極-源極電阻 (RDS(ON)),高額定電流和適中的電壓額定值,適合用于各種電子設(shè)備和模塊的功率開關(guān)和放大器應(yīng)用。這款MOSFET的性能參數(shù)使其適用于多種領(lǐng)域。
**產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域:**
1. **電源管理模塊:** 該型號(hào)的MOSFET可用于電源管理模塊,如電源開關(guān),以便有效地控制電流,降低功耗和提高效率。
2. **驅(qū)動(dòng)電路:** 可以用于各種驅(qū)動(dòng)電路,例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、照明驅(qū)動(dòng)等,以改善電路的性能和響應(yīng)速度。
3. **電池充電和放電控制:** 在電池管理模塊中,可以使用此MOSFET來(lái)控制電池的充電和放電,以確保電池的安全和性能。
4. **LED驅(qū)動(dòng):** 用于LED照明驅(qū)動(dòng),幫助調(diào)節(jié)亮度和電流,以實(shí)現(xiàn)高效的照明解決方案。
5. **通信設(shè)備:** 用于各種通信設(shè)備中,如無(wú)線路由器、基站和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備,以進(jìn)行電源管理和信號(hào)處理。
總之,SI3456DDV-T1-GE3-VB MOSFET 在多個(gè)領(lǐng)域中都有廣泛的應(yīng)用,用于功率控制、電流開關(guān)和信號(hào)放大等用途。由于其性能參數(shù),它在電子模塊和設(shè)備中起到關(guān)鍵作用。
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