--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 N溝道
- 封裝 TO252封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
根據(jù)提供的型號(hào)和參數(shù),以下是對(duì)該 MOSFET 型號(hào) LR120N-VB 的詳細(xì)參數(shù)和應(yīng)用簡(jiǎn)介:
**型號(hào):** LR120N-VB
**絲?。?* VBE1101M
**品牌:** VBsemi
**參數(shù):**
- 溝道類(lèi)型:N溝道
- 額定電壓:100V
- 最大電流:18A
- 靜態(tài)漏極-源極電阻 (RDS(ON)):115mΩ @ 10V, 121mΩ @ 4.5V
- 門(mén)源電壓閾值 (Vth):1.6V
- 標(biāo)準(zhǔn)門(mén)源電壓 (±V):20V
- 封裝:TO252
**產(chǎn)品應(yīng)用簡(jiǎn)介:**
LR120N-VB 是一款 N 溝道的 MOSFET,具有較高的額定電壓、大電流承受能力和適度的漏極-源極電阻,適合用于各種電子設(shè)備和模塊的功率開(kāi)關(guān)和放大器應(yīng)用。這款 MOSFET 的性能參數(shù)使其適用于多種領(lǐng)域。
**產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域:**
1. **電源管理模塊:** 該型號(hào)的 MOSFET 可用于電源管理模塊,如電源開(kāi)關(guān),以便有效地控制電流,提高功效,降低功耗。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng):** 可以用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,例如直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī),以提供高效的電機(jī)控制和功率放大。
3. **電源開(kāi)關(guān):** 在電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,用于切換電源連接,如在電源管理單元中。
4. **電池保護(hù):** 用于電池保護(hù)電路,以控制電池的充電和放電,確保電池的安全和性能。
5. **逆變器和電源逆變器:** 適用于逆變器電路,用于將直流電源轉(zhuǎn)換為交流電源,通常用于太陽(yáng)能逆變器和電源逆變器。
總之,LR120N-VB MOSFET 在多個(gè)領(lǐng)域中都有廣泛的應(yīng)用,用于功率控制、電流開(kāi)關(guān)和信號(hào)放大等用途。由于其性能參數(shù),它在電子模塊和設(shè)備中起到關(guān)鍵作用。
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