--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 TO252封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
根據(jù)提供的型號和參數(shù),以下是對該 MOSFET 型號 P1203ED-VB 的詳細參數(shù)和應用簡介:
**型號:** P1203ED-VB
**絲?。?* VBE2311
**品牌:** VBsemi
**參數(shù):**
- 溝道類型:P溝道
- 額定電壓:-30V
- 最大電流:-60A
- 靜態(tài)漏極-源極電阻 (RDS(ON)):12mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V
- 門源電壓閾值 (Vth):-1.6V
- 標準門源電壓 (±V):20V
- 封裝:TO252
**產(chǎn)品應用簡介:**
P1203ED-VB 是一款 P 溝道 MOSFET,具有非常高的額定電流承受能力和低的漏極-源極電阻,適合用于高功率的電子設備和模塊的功率開關和放大器應用。這款 MOSFET 的性能參數(shù)使其適用于多種領域。
**產(chǎn)品應用領域:**
1. **電源開關:** 該型號的 MOSFET 可用于高功率電源開關應用,以切換電路中的電源連接,如電源管理單元和電源開關。
2. **電機驅(qū)動:** 適用于高功率電機驅(qū)動電路,例如工業(yè)電機和大功率電機控制應用。
3. **電池保護:** 用于電池保護電路,以控制電池的充電和放電,確保電池的安全和性能。
4. **高功率逆變器和電源逆變器:** 在高功率逆變器電路中,用于將直流電源轉(zhuǎn)換為交流電源,通常用于工業(yè)逆變器和電源逆變器。
5. **音響放大器:** 用于高功率音響放大器設計,如家庭影院系統(tǒng)和專業(yè)音響設備中的功率放大器。
總之,P1203ED-VB MOSFET 在需要高功率、高電流承受能力和低電阻的應用中非常有用,用于功率控制、電流開關和電源連接等用途。由于其性能參數(shù),它在電子模塊和設備中起到關鍵作用。
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