QPD1425/QPD1425L GaN RF功率晶體管

Qorvo QPD1425/QPD1425L GaN RF功率晶體管
Qorvo QPD1425/QPD1425L GaN射頻功率晶體管是375W分立式碳化硅基氮化鎵HEMT，工作頻率范圍為直流至 2GHz。 可在高漏極偏置工作條件下優(yōu)化功率和效率。該優(yōu)化大大降低了系統(tǒng)成本（放大器系列更少）和熱管理成本。Qorvo QPD1425/QPD1425L GaN射頻功率晶體管采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)氣腔封裝，支持脈沖和CW操作。

QPD1425 特性
頻率范圍：DC至2GHz
線(xiàn)性增益：20.6dB（1.3GHz時(shí)典型EVB性能）
輸出功率：56.3dBm
漏極連續(xù)電流：19A
漏極效率：75.1%
工作電壓：65V
工作溫度范圍：-40°C至+85°
P溝道極性
法蘭安裝NI-40包
具有CW和脈沖功能
無(wú)鉛選項(xiàng) (QPD1425)
符合RoHS指令

QPD1425應(yīng)用
L波段雷達(dá)
測(cè)試儀器儀表
寬帶或窄帶放大器
GPS通信
航空電子設(shè)備