--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 N溝道
- 封裝 TO263封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號:IRF540S-VB
絲印:VBL1104N
品牌:VBsemi
參數(shù):
- 溝道類型:N溝道
- 額定電壓:100V
- 最大持續(xù)電流:45A
- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):32mΩ @ 10V, 34mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓 (Vth):2V
- 封裝:TO263
詳細(xì)參數(shù)說明:
IRF540S-VB 是一款 N 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)器件,具有 100V 的額定電壓和最大持續(xù)電流為 45A。它的 RDS(ON) 在不同電壓下表現(xiàn)出色良好,分別為 32mΩ @ 10V 和 34mΩ @ 4.5V。此外,它的閾值電壓(Vth)為 2V。
應(yīng)用簡介:
IRF540S-VB 是一種高性能的 N 溝道 MOSFET,適用于多種高功率和高電壓應(yīng)用。它通常用于電源開關(guān)、電機控制、逆變器、電源放大器、電源轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域的模塊。由于其高額定電壓和大電流承受能力,它可以在高功率設(shè)備中用于電源開關(guān),同時其低導(dǎo)通電阻有助于提高效率。TO263 封裝使其易于安裝到電路板上,適用于工業(yè)控制、電動工具、汽車電子和其他領(lǐng)域的應(yīng)用。IRF540S-VB 可以在需要高性能開關(guān)的應(yīng)用中提供可靠的性能。
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