--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 N溝道
- 封裝 TO252封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號(hào): DTU09N03-VB
絲印: VBE1307
品牌: VBsemi
參數(shù): N溝道, 30V, 60A, RDS(ON) 10mΩ @ 10V, 11mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V); 1.6Vth (V)
封裝: TO252
詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡介:
1. 溝道類型:N溝道
- 這表示這是一種N溝道MOSFET,通常用于電子設(shè)備中,特別是需要控制正電壓電源的應(yīng)用。
2. 額定電壓 (VDS):30V
- 這是溝道MOSFET能夠承受的最大電壓,表示它適用于需要處理高達(dá)30V的電路。
3. 額定電流 (ID):60A
- 這是溝道MOSFET的額定電流,表示它可以處理的非常大電流負(fù)載。
4. 靜態(tài)漏極-源極電阻 (RDS(ON)):
- RDS(ON)是溝道MOSFET的導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻。在10V的情況下,它的電阻為10mΩ,而在4.5V的情況下為11mΩ。這表明在導(dǎo)通狀態(tài)下,它的電阻非常低,有助于減小功耗和熱量。
5. 柵源電壓額定值 (Vgs):20V (±V)
- 這表示柵源電壓的額定范圍為正負(fù)20V。柵源電壓用來控制MOSFET的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)。
6. 閾值電壓 (Vth):1.6V
- 這是溝道MOSFET的閾值電壓,表示需要應(yīng)用在柵極上的電壓,以使器件開始導(dǎo)通。
應(yīng)用簡介:
這種型號(hào)的N溝道MOSFET通常用于各種電源管理和開關(guān)應(yīng)用,包括但不限于以下領(lǐng)域和模塊:
1. 電源開關(guān):這種MOSFET可用于電源開關(guān)模塊,例如DC-DC轉(zhuǎn)換器,以實(shí)現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換。
2. 電機(jī)控制:它可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制,因?yàn)樗梢蕴幚泶箅娏髫?fù)載。
3. 電源逆變器:在太陽能逆變器和UPS(不間斷電源)中,N溝道MOSFET可用于控制電能的流向。
4. 高功率放大器:在音頻放大器和高頻放大器中,它可以用于功率放大。
總之,這種型號(hào)的N溝道MOSFET適用于需要處理高功率和高電流負(fù)載的領(lǐng)域,以滿足功率開關(guān)和電源管理的需求,特別是需要處理正電壓電源的高功率應(yīng)用。由于其低漏極-源極電阻和高額定電流,適用于高功率應(yīng)用。
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