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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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SI7850DP-T1-E3-VB場(chǎng)效應(yīng)管一款N溝道DFN8(5X6)封裝的晶體管

型號(hào): SI7850DP-T1-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝
  • 封裝 道DFN8(5X6)封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào): SI7850DP-T1-E3-VB

絲印: VBQA1638

品牌: VBsemi

參數(shù):
- 封裝類(lèi)型: DFN8(5X6)
- 溝道類(lèi)型: N-Channel
- 額定電壓: 60V
- 最大電流: 45A
- 開(kāi)態(tài)電阻: RDS(ON) = 24mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓: Vth = 1~3V

封裝: DFN8(5X6)

**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**
1. **封裝類(lèi)型 (Package Type):** DFN8(5X6),表明該器件使用DFN8(5X6)封裝,尺寸為5mm x 6mm。
2. **溝道類(lèi)型 (Channel Type):** N-Channel,指示這是一個(gè)N溝道MOSFET。
3. **額定電壓 (Rated Voltage):** 60V,說(shuō)明器件能夠正常工作的最大電壓。
4. **最大電流 (Maximum Current):** 45A,表示器件能夠承受的最大電流。
5. **開(kāi)態(tài)電阻 (On-State Resistance):** RDS(ON) = 24mΩ @ VGS=10V, VGS=20V,說(shuō)明在特定的柵源電壓下,開(kāi)態(tài)時(shí)的電阻。
6. **閾值電壓 (Threshold Voltage):** Vth = 1~3V,表示在柵源電壓作用下,器件從關(guān)態(tài)切換到開(kāi)態(tài)所需的電壓范圍。

**應(yīng)用簡(jiǎn)介:**
SI7850DP-T1-E3-VB是一款N-Channel MOSFET,適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域,包括但不限于:
1. **電源開(kāi)關(guān):** 由于其N(xiāo)溝道性質(zhì),可用于電源開(kāi)關(guān)和電源逆變器。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng):** 適用于直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)的高功率驅(qū)動(dòng)電路,提供高效的電流控制。
3. **電源逆變器:** 用于太陽(yáng)能逆變器和其他電源逆變器,提供高效的能量轉(zhuǎn)換。
4. **電源管理模塊:** 適用于各種高功率電源管理應(yīng)用,如服務(wù)器電源、電動(dòng)工具等。

請(qǐng)注意,在具體設(shè)計(jì)中應(yīng)仔細(xì)參考該器件的數(shù)據(jù)手冊(cè)以及應(yīng)用手冊(cè),以確保正確的使用和性能。

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