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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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SI4405DY-T1-GE3-VB場效應(yīng)管一款P溝道SOP8封裝的晶體管

型號: SI4405DY-T1-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 SOP8封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號: SI4405DY-T1-GE3-VB

絲印: VBA2309

品牌: VBsemi

參數(shù):
- 封裝: SOP8
- 溝道類型: P-Channel
- 最大電壓(Vds): -30V
- 最大電流(Id): -11A
- 開通電阻(RDS(ON)): 11mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓(Vth): -1.5V

應(yīng)用簡介:
SI4405DY-T1-GE3-VB是一款SOP8封裝的P-Channel MOSFET,具有最大電壓-30V,最大電流-11A,以及低開通電阻。其開通電阻在VGS為10V和20V時分別為11mΩ。該器件適用于需要P-Channel MOSFET的電子應(yīng)用領(lǐng)域。

應(yīng)用領(lǐng)域:
這款器件可能在多種電子應(yīng)用領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用,包括但不限于:
- 電源開關(guān)
- 電池管理
- 電源逆變器
- 電源管理

作用:
在這些模塊上,SI4405DY-T1-GE3-VB可以用作功率開關(guān),幫助實現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換和電源管理。它可以在電路中充當(dāng)開關(guān),控制電流的通斷,從而調(diào)節(jié)電源輸出。

使用注意事項:
在使用SI4405DY-T1-GE3-VB時,請注意以下事項:
1. 請確保在規(guī)定的電壓和電流范圍內(nèi)使用,以避免損壞器件。
2. 遵循廠商提供的數(shù)據(jù)表中的工作條件和限制。
3. 適當(dāng)?shù)纳崾侵匾模貏e是在高電流應(yīng)用中,以確保器件在工作時保持適當(dāng)?shù)臏囟取?br>4. 注意閾值電壓,確保在適當(dāng)?shù)碾妷悍秶鷥?nèi)操作。

以上信息僅供參考,具體的應(yīng)用和注意事項可能需要根據(jù)具體的電路設(shè)計和應(yīng)用要求進行調(diào)整。

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