**VBsemi FDD120AN15A0-VB 產(chǎn)品詳細參數(shù)說明：**
- **絲印標識：** VBE1158N
- **品牌：** VBsemi
- **封裝：** TO252
- **通道類型：** N—Channel溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）：** 150V
- **漏極-源極電流（ID）：** 25A
- **導通電阻（RDS(ON)）：** 70mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **閾值電壓（Vth）：** 2V
**應用簡介：**
VBsemi FDD120AN15A0-VB 是一款TO252封裝的N—Channel溝道場效應晶體管（MOSFET），主要用于功率開關應用。
**主要應用領域和模塊：**
1. **電源模塊：** 適用于直流-直流（DC-DC）變換器、電源開關控制等。
2. **電機驅(qū)動模塊：** 可用于電機驅(qū)動模塊，提供高電流和低導通電阻的特性。
3. **電源開關模塊：** 在高功率電源開關模塊中發(fā)揮關鍵作用。
**作用：**
- 提供高電流和低導通電阻的功率開關控制。
- 用于驅(qū)動和控制電源、電機等高功率模塊。
**使用注意事項：**
1. **電壓等級：** 在規(guī)定的電壓范圍內(nèi)使用，不要超過產(chǎn)品標稱的最大漏極-源極電壓。
2. **電流負載：** 注意電流負載不要超過產(chǎn)品的額定電流。
3. **工作溫度：** 在規(guī)定的工作溫度范圍內(nèi)使用，避免超溫操作。
以上信息僅為參考，實際使用時請仔細閱讀產(chǎn)品手冊和規(guī)格書，確保正確使用，并遵循廠商的建議和注意事項。
