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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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NTB75N03-06T4G-VB一款N溝道TO263封裝MOSFET應用分析

型號: NTB75N03-06T4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 TO263封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**NTB75N03-06T4G-VB**

**絲?。?* VBL1303  
**品牌:** VBsemi  
**參數(shù):** TO263;N—Channel溝道, 30V;170A;RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V, VGS=20V;Vth=1.7V  

**封裝:** TO263  

**詳細參數(shù)說明:**  
- **溝道類型:** N—Channel  
- **最大承受電壓:** 30V  
- **最大電流:** 170A  
- **導通電阻:** 3mΩ(在VGS=10V時),3mΩ(在VGS=20V時)  
- **閾值電壓:** 1.7V  

**應用簡介:**  
該器件為 N—Channel 溝道的 MOSFET,適用于需要控制正向電流的高功率模塊??捎糜诠β史糯蟆㈦娫撮_關和電流調節(jié)等高電流應用。

**作用:**  
- 控制正向電流,適用于高功率模塊。
- 在功率放大和電源開關電路中發(fā)揮關鍵作用。

**使用領域模塊:**
1. **功率放大模塊:** 用于構建高功率的放大電路,適用于音頻放大器等應用。
2. **電源開關模塊:** 在需要高電流開關的電源系統(tǒng)中使用,確??煽康碾娫撮_關。
3. **電流調節(jié)模塊:** 用于高電流應用,確保系統(tǒng)正常運行。

**使用注意事項:**
1. **電壓和電流限制:** 不要超過規(guī)定的最大電壓和電流。
2. **溫度控制:** 注意器件工作時的溫度,避免過熱。
3. **適當?shù)纳幔?* 對于高功率應用,確保提供足夠的散熱。

如有需要進一步了解或有其他問題,請告訴我。

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