--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 TO252封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**FDD306P-VB 詳細(xì)參數(shù)說明:**
- **品牌:** VBsemi
- **型號(hào):** FDD306P-VB
- **絲?。?* VBE2338
- **封裝:** TO252
- **類型:** P-Channel 溝道 MOSFET
- **電壓等級(jí):** -30V
- **電流等級(jí):** -26A
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 33mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **門源電壓閾值(Vth):** -1.3V
**應(yīng)用簡(jiǎn)介:**
FDD306P-VB是一款TO252封裝的P-Channel溝道MOSFET。具有負(fù)電壓(-30V)和高電流容量(-26A),適用于需要P-Channel MOSFET的高性能電子模塊。
**應(yīng)用領(lǐng)域:**
1. **電源模塊:** 用于反激式電源和穩(wěn)壓器,提供高效率的電源轉(zhuǎn)換。
2. **電機(jī)控制:** 作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的一部分,實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)的有效控制。
3. **開關(guān)電路:** 用于各種開關(guān)電路,如開關(guān)電源和逆變器。
**作用:**
- 提供高效率的電源轉(zhuǎn)換。
- 實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)的有效控制。
- 用于各種開關(guān)電路,支持開關(guān)電源和逆變器。
**使用注意事項(xiàng):**
1. **電壓和電流限制:** 不要超過規(guī)定的電壓和電流限制,以免損壞器件。
2. **散熱:** 在高功率應(yīng)用中,需要適當(dāng)?shù)纳岽胧?,確保器件在正常工作溫度范圍內(nèi)。
3. **防靜電措施:** 在處理和安裝過程中采取防靜電措施,以防止靜電放電對(duì)器件造成損害。
以上為簡(jiǎn)要說明,具體的設(shè)計(jì)和應(yīng)用需根據(jù)具體模塊和電路要求進(jìn)行。
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