--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 TO252封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**HM70P04K-VB 詳細參數(shù)說明:**
- **品牌:** VBsemi
- **型號:** HM70P04K-VB
- **絲?。?* VBE2412
- **封裝:** TO252
- **類型:** P-Channel 溝道 MOSFET
- **電壓等級:** -40V
- **電流等級:** -65A
- **導通電阻(RDS(ON)):** 10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **門源電壓閾值(Vth):** -1.6V
**應用簡介:**
HM70P04K-VB 是一款 TO252 封裝的 P-Channel 溝道 MOSFET。具有負電壓(-40V)和高電流容量(-65A),適用于高功率電子模塊。
**應用領域:**
1. **電源模塊:** 用于反激式電源和穩(wěn)壓器,提供高效率的電源轉換。
2. **電機控制:** 作為電機驅動器的一部分,實現(xiàn)對高功率電機的有效控制。
3. **開關電路:** 用于高功率的開關電路,如開關電源和逆變器。
**作用:**
- 提供高效率的電源轉換。
- 實現(xiàn)對高功率電機的有效控制。
- 在高功率的開關電路中使用,支持開關電源和逆變器。
**使用注意事項:**
1. **電壓和電流限制:** 不要超過規(guī)定的電壓和電流限制,以免損壞器件。
2. **散熱:** 在高功率應用中,需要適當?shù)纳岽胧?,確保器件在正常工作溫度范圍內(nèi)。
3. **防靜電措施:** 在處理和安裝過程中采取防靜電措施,以防止靜電放電對器件造成損害。
以上為簡要說明,具體的設計和應用需根據(jù)具體模塊和電路要求進行。
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