--- 產品參數 ---
- 工作溫度 85
--- 產品詳情 ---
HMC7586特性
轉換增益: 12.5 dB(典型值)
鏡像抑制: 28 dBc(典型值)
噪聲系數: 5 dB(典型值)
針對1 dB壓縮(P1dB)的輸入功率: -9 dBm(典型值)
輸出三階交調截點(IP3): -1 dBm(典型值)
輸出二階交調截點(IP2): 20 dBm(典型值)
RFIN上6倍本振(LO)泄漏: -40 dBm(典型值)
IFOUT上1倍LO泄漏: -50 dBm(典型值)
射頻(RF)回波損耗: 5 dB(典型值)
LO回損: 20 dB(典型值)
裸片尺寸: 3.599 mm × 2.199 mm × 0.05 mm
更多細節(jié)
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HMC7586是一款集成E頻段的砷化鎵(GaAs)單芯片微波集成電路(MMIC)同相和正交(I/Q)下變頻器芯片,工作頻率范圍為71 GHz至76 GHz。 HMC7586在整個頻段內提供12.5 dB小信號轉換增益和28 dBc鏡像抑制性能。 該器件采用低噪聲放大器,后接由6倍倍頻器驅動的圖像抑制混頻器。
該鏡像抑制混頻器使得低噪聲放大器之后無需使用濾波器。 可針對直接變頻應用提供差分I和Q混頻器輸出。 或者,可利用外部90°混合型器件和兩個外部180°混合型器件將輸出合并,以實現(xiàn)單邊帶應用。 所有數據包括IF端口上1 mil金線焊的效應。
HMC7586 應用
E頻段通信系統(tǒng)
高容量無線回程
測試與測量
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