--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 工作溫度 85
--- 產(chǎn)品詳情 ---
81 GHz至86 GHz,E頻段I/Q上變頻器
HMC8119
特性
轉(zhuǎn)換損耗: 10 dB(典型值)
邊帶抑制: 針對(duì)1 dB壓縮(P1dB)的典型輸入功率:22 dBc 16 dBm(典型值)
輸入三階交調(diào)截點(diǎn)(IP3): 24 dBm(典型值)
輸入二階交調(diào)截點(diǎn)(IP2): -5 dBm(典型值)
RFOUT上6倍本振(LO)泄漏: -23 dBm(典型值)
RF回?fù)p: 12 dB(典型值)
LO回?fù)p: 20 dB(典型值)
裸片尺寸: 3.601 mm × 1.609 mm × 0.05 mm
HMC8119
更多細(xì)節(jié)
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HMC8119是一款集成E頻段的砷化鎵(GaAs)、假晶(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)、同相和正交(I/Q)上變頻器芯片,工作頻率范圍為81 GHz至86 GHz。 HMC8119在整個(gè)頻段內(nèi)提供10 dB小信號(hào)轉(zhuǎn)換增益和22 dBc邊帶抑制性能。 該器件采用由6倍LO倍頻器驅(qū)動(dòng)的圖像抑制混頻器。 提供差分I和Q混頻器輸入。 輸入可由針對(duì)直接變頻應(yīng)用的差分I和Q基帶波形驅(qū)動(dòng)。 或者,輸入可通過使用針對(duì)單邊帶應(yīng)用的外部90混合型器件和兩個(gè)外部180型器件進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。 所有數(shù)據(jù)包括中頻(IF)端口上1 mil金線焊的效應(yīng)。
應(yīng)用
E頻段通信系統(tǒng)
高容量無線回程
測試與測量
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上傳時(shí)間:2023-11-06 22:17
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