--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 工作溫度 85
--- 產(chǎn)品詳情 ---
MA4M3010 MNS微波芯片電容器
重要參數(shù)
MA4M3010 MNS微波芯片電容器
電容(PF):10
隔離電壓(V):200
芯片樣式:350
品牌:MACOM
產(chǎn)品詳情介紹
M/A-COM的MA4M系列MNS(金屬氮化物硅)硅片電容器專為微波電路應(yīng)用中的高可靠性和可重復(fù)性能而設(shè)計。這些電容器是用低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)制造的,這種沉積可以形成致密、均勻的氮化物層。這些電容器比類似的MOS、MIS和陶瓷電容器表現(xiàn)出更高的單位面積電容(導(dǎo)致芯片尺寸更?。?。蒸發(fā)金觸點用于在電容器芯片上提供易于粘合的金屬墊。M/A-COM MNS電容器在150℃的額定電壓下沒有顯示出可測量的電容變化。
MA4M系列片式電容器是一個很好的選擇,用于Ku波段以上的混合微波電路中,低損耗、高可靠性、小尺寸和溫度穩(wěn)定性是主要考慮因素。
這些片式電容器適用于需要直流模塊、耦合電容器、旁路電容器、電容負載和振蕩器、乘法器和濾波器中的調(diào)諧元件的應(yīng)用。
MA4M3010特征
?極好的重復(fù)性(晶圓對晶圓和批次對批次)
?小尺寸
?低損耗,高Q值
?提供圓形或方形焊盤
MA4M3050 MNS微波芯片電容器
重要參數(shù)
MA4M3050 MNS微波芯片電容器
電容(PF):50
隔離電壓(V):200
芯片樣式:354
品牌:MACOM
產(chǎn)品詳情介紹
M/A-COM的MA4M系列MNS(金屬氮化物硅)硅片電容器專為微波電路應(yīng)用中的高可靠性和可重復(fù)性能而設(shè)計。這些電容器是用低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)制造的,這種沉積可以形成致密、均勻的氮化物層。這些電容器比類似的MOS、MIS和陶瓷電容器表現(xiàn)出更高的單位面積電容(導(dǎo)致芯片尺寸更?。?。蒸發(fā)金觸點用于在電容器芯片上提供易于粘合的金屬墊。M/A-COM MNS電容器在150℃的額定電壓下沒有顯示出可測量的電容變化。
MA4M系列片式電容器是一個很好的選擇,用于Ku波段以上的混合微波電路中,低損耗、高可靠性、小尺寸和溫度穩(wěn)定性是主要考慮因素。
這些片式電容器適用于需要直流模塊、耦合電容器、旁路電容器、電容負載和振蕩器、乘法器和濾波器中的調(diào)諧元件的應(yīng)用。
MA4M3050特征
?極好的重復(fù)性(晶圓對晶圓和批次對批次)
?小尺寸
?低損耗,高Q值
?提供圓形或方形焊盤
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上傳時間:2023-11-06 22:17
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