WINBOND(華邦) W25Q128JVPIM WSON-8 NOR FLASH存儲器

1.概述W25Q128JV（128M位）串行閃存為具有有限空間、引腳和電源的系統(tǒng)提供了存儲解決方案。25Q系列提供了遠遠超出普通串行閃存設(shè)備的靈活性和性能。它們非常適合將代碼隱藏到RAM，直接從雙/四SPI（XIP）執(zhí)行代碼，并存儲語音、文本和數(shù)據(jù)。該設(shè)備在單個2.7V至3.6V電源上運行，斷電時電流消耗低至1μa。所有設(shè)備均采用節(jié)省空間的包裝。W25Q128JV陣列被組織成65536個可編程頁面，每個頁面256字節(jié)。一次最多可編程256個字節(jié)掃描。頁面可以按16個組（4KB扇區(qū)擦除）、128個組（32KB塊擦除）、256個組（64KB塊擦除）或整個芯片（芯片擦除）擦除。W25Q128JVM分別具有4096個可擦除扇區(qū)和256個可擦除塊。小的4KB扇區(qū)允許在需要數(shù)據(jù)和參數(shù)存儲的應(yīng)用程序中實現(xiàn)更大的靈活性。（見圖2。）W25Q128JV支持標準串行外圍接口（SPI）、雙/四路I/O SPI四路外圍接口（QPI）以及雙傳輸速率（DTR）：串行時鐘、芯片選擇、串行數(shù)據(jù)I/O（DI）、I/O1（DO）、I/O2（/WP）和I/O3（/HOLD）。當使用快速讀取雙/四I/O和QPI指令時，支持高達133MHz的SPI時鐘頻率，允許雙I/O的等效時鐘速率為266MHz（133MHz x 2），四I/O的等效頻率為532MHz（133MHz x 4）。這3種傳輸速率可以優(yōu)于標準的異步8位和16位并行閃存。連續(xù)讀取模式允許充分的內(nèi)存訪問，只需8個時鐘的指令開銷即可讀取24位地址，從而實現(xiàn)真正的XIP（就地執(zhí)行）操作。Hold引腳、Write Protect引腳和可編程寫入保護，具有頂部或底部陣列控制，提供了進一步的控制靈活性。此外，該設(shè)備支持JEDEC標準制造商和設(shè)備ID、64位唯一序列號和三個256字節(jié)的安全寄存器。

2.特點? 新的SpiFlash存儲器系列–W25Q128JV:128M位/16M字節(jié)–標準SPI:CLK、/CS、DI、DO、/WP、/Hold–雙SPI:CLK、/CS，IO0、IO1、/WP，/Hold–四SPI：CLK、/CS和IO0、IO 1、IO2、IO3–QPI:CLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3–SPI/QPI DTR（雙傳輸速率）讀取–軟件和硬件重置（1）? 最高性能串行閃存–133MHz單、雙/四SPI時鐘–266/532MHz等效雙/四SPI–66MB/S連續(xù)數(shù)據(jù)傳輸速率–每個扇區(qū)至少100K程序擦除周期–數(shù)據(jù)保留時間超過20年? 高效的“連續(xù)讀取”和QPI模式–具有8/16/32/64字節(jié)環(huán)繞的連續(xù)讀取–尋址內(nèi)存只需8個時鐘–四外設(shè)接口（QPI）減少了操作開銷–允許真正的XIP（就地執(zhí)行）操作? 低功率、寬溫度范圍–單個2.7至3.6V電源–<1μA斷電（典型）–-40°C至+85°C工作范圍–-40°C.至+105°C? 具有4KB扇區(qū)的靈活架構(gòu)-統(tǒng)一扇區(qū)/塊擦除（4K/32K/64K字節(jié)）-每個可編程頁面編程1到256字節(jié)-擦除/程序掛起和恢復(fù)? 高級安全功能–軟件和硬件寫保護–電源鎖定和OTP保護–頂部/底部，互補陣列保護–單個塊/扇區(qū)陣列保護–每個設(shè)備的64位唯一ID–可發(fā)現(xiàn)參數(shù)（SFDP）寄存器–帶OTP鎖的3X256字節(jié)安全寄存器–易失性和非易失性狀態(tài)寄存器位? 空間高效封裝–8引腳SOIC 208 mil–8焊盤WSON 6x5 mm/8x6 mm–16引腳SOIC 300 mil（附加/RESET引腳）–24球TFBGA 8x6 mm（6x4/5x5球陣列）–聯(lián)系Winbond了解KGD和其他選項