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深圳市宏源世紀(jì)科技有限公司

主要銷售觸摸芯片,DC-DC電源,微控制器單片機(jī),存儲器,MOS場效應(yīng)管,LED驅(qū)動產(chǎn)品。

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WINBOND/華邦 W25M512JVEIQ WSON8 NOR Flash存儲器

型號: W25M512JVEIQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 型號 W25M512JVEIQ
  • 數(shù)量 32550
  • 封裝 WSON8
  • 品牌 WINBOND/華邦
  • 批次 最新批次

--- 產(chǎn)品詳情 ---

1.概述W25M512JV(2 x 256M位)串行MCP(多芯片封裝)閃存基于流行的W25Q SpiFlash?系列,將兩個單獨(dú)的W25Q256JV管芯堆疊到標(biāo)準(zhǔn)的8引腳封裝中。它為低引腳數(shù)封裝提供了最高的內(nèi)存密度,并首次在串行閃存中提供并行操作。W25M SpiStack?系列非常適合小型系統(tǒng)設(shè)計(jì)以及需要高編程/擦除數(shù)據(jù)吞吐量的應(yīng)用。SpiStack?產(chǎn)品系列引入了新的“軟件模具選擇(C2h)”指令,以及每個堆疊模具的出廠設(shè)計(jì)“模具ID#”。即使共享接口,每個W25Q256JV管芯也可以獨(dú)立訪問。SpiStack?功能僅允許單個管芯處于活動狀態(tài),并在任何給定時(shí)間控制SPI接口,以避免總線爭用。W25M512JV通過共享SPI接口支持標(biāo)準(zhǔn)SPI(串行外圍接口)、雙I/O SPI和四I/O SPI讀取操作,保持了SpiFlash?的所有特性和功能:串行時(shí)鐘、芯片選擇、串行數(shù)據(jù)I/O 0(DI)、I/O 1(DO)、I/O 2和I/O 3。每個W25Q256JV存儲器陣列被組織為131072個可編程頁面,每個頁面256字節(jié)。一次最多可編程256個字節(jié)。頁面可以按16組(4KB扇區(qū)擦除)、128組(32KB塊擦除)、256組(64KB塊擦除)或整個芯片(芯片擦除)擦除。小型4KB扇區(qū)在需要數(shù)據(jù)和參數(shù)存儲的應(yīng)用程序中具有更大的靈活性。

 

2.特點(diǎn)? 新系列SpiFlash?存儲器–W25M512JV:2 x 256M位(2 x 32M字節(jié))–標(biāo)準(zhǔn)SPI:CLK、/CS、DI、DO–雙SPI:CLK、/CS,IO0、IO1–四SPI:CLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3–3或4字節(jié)尋址模式–軟件芯片選擇(C2h)–軟件和硬件重置(1)? 高性能串行閃存–104MHz標(biāo)準(zhǔn)/雙/四SPI時(shí)鐘–208/416MHz等效雙/四SPI–50MB/s連續(xù)數(shù)據(jù)傳輸速率–每個扇區(qū)至少100K程序擦除周期–數(shù)據(jù)保留時(shí)間超過20年? 靈活的“并發(fā)操作”–獨(dú)立的單芯片訪問–允許“編程/擦除時(shí)讀取”–允許“多芯片編程/擦除”–提高編程/擦除吞吐量–減少掛起/恢復(fù)活動? 低功率、寬溫度范圍–單個2.7至3.6V電源–4mA有源電流,<20μA備用電流–-40°C至+85°C工作范圍? 具有4KB扇區(qū)的靈活架構(gòu)-統(tǒng)一扇區(qū)/塊擦除(4K/32K/64K字節(jié))-每個可編程頁面編程1到256字節(jié)-編程/擦除掛起和恢復(fù)? 高級安全功能-電源鎖定和OTP保護(hù)-頂部/底部,互補(bǔ)陣列保護(hù)-單個塊/扇區(qū)陣列保護(hù)-每個裸片的64位唯一ID-可發(fā)現(xiàn)參數(shù)(SFDP)寄存器-帶OTP鎖的3 x 256字節(jié)安全寄存器-易失性和非易失性狀態(tài)寄存器位? 空間高效封裝–8焊盤WSON 8x6 mm–16引腳SOIC 300 mil(帶/RESET引腳)–24球TFBGA 8x6 mm(帶/REST引腳)–其他選項(xiàng)請聯(lián)系Winbond

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