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電子發(fā)燒友網(wǎng)>可編程邏輯>業(yè)界首款集成了HBM2 DRAM以及FPGA和SoC的異構(gòu)SiP器件公開

業(yè)界首款集成了HBM2 DRAM以及FPGA和SoC的異構(gòu)SiP器件公開

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2022-11-14 06:20:23

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2019-03-08 06:45:06

ARM/FPGA/DSP板卡選型大全,總有一適合您

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2012-06-01 13:48:041215

賽靈思正式發(fā)貨全球首款異構(gòu)3D FPGA 再次刷新FPGA行業(yè)的歷史

作為All Programmable技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè),賽靈思再次刷新FPGA行業(yè)的歷史,為業(yè)界帶來全球首款異構(gòu)3D FPGA——Virtex?-7 H580T,豎起另外一個(gè)令人矚目的里程碑。
2012-06-18 11:24:20501

Cyclone V SoC FPGA硬核處理器系統(tǒng)簡介

SoC FPGA使用寬帶互聯(lián)干線鏈接,在FPGA架構(gòu)中集成了基于ARM的硬核處理器系統(tǒng)(HPS),包括處理器、外設(shè)和存儲(chǔ)器接口。Cyclone V SoC FPGA在一個(gè)基于ARM的用戶可定制芯片系統(tǒng)(SoC)中集成了
2012-09-04 14:18:144604

Xilinx在IDF13上展示業(yè)界首FPGA80Gbps網(wǎng)絡(luò)接口卡和最新Intel QPI接口實(shí)現(xiàn)方案

開發(fā)者論壇 (IDF 2013)上展示了業(yè)界首款基于FPGA的80Gbps 集成流量管理器(TM)的網(wǎng)絡(luò)接口(NIC)解決方案,以及一個(gè)通過Intel QuickPath Interconnect (QPI)通訊協(xié)議將FPGA連接到全新Intel? Xeon?E5-2600 v2處理器的實(shí)現(xiàn)方案。
2013-09-12 10:38:00665

聯(lián)發(fā)科技采用 Imagination 的 PowerVR Series6 GPU 開發(fā)出新款真正的異構(gòu)多重處理 SoC

)所開發(fā)的真正獨(dú)特的異構(gòu)處理器。根據(jù)業(yè)界領(lǐng)先的研究機(jī)構(gòu)確認(rèn),聯(lián)發(fā)科技的新款 MT8135 SoC業(yè)界首公開發(fā)布、以非對稱處理器配置實(shí)現(xiàn)的異構(gòu)多重處理(heterogeneous multi-processing,HMP)移動(dòng) SoC。
2013-09-12 10:52:53757

Altera開始量售FPGA業(yè)界性能最高的SoC

級Cyclone V SoC達(dá)到了925 MHz,汽車級達(dá)到了700 MHz,工業(yè)級Arria V SoC達(dá)到了1.05 GHz,在FPGA業(yè)界,這些器件成為性能最高的SoC。Altera SoC為嵌入式開發(fā)人員提供了最可靠的體系結(jié)構(gòu)、效能最高的開發(fā)工具以及密度最全的系列產(chǎn)品。
2013-09-26 17:48:23993

Xilinx推出業(yè)界首FPGA低時(shí)延25G以太網(wǎng)IP

2014年11月17日,中國北京 - All Programmable 技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司(Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX))今天宣布推出業(yè)界首FPGA低時(shí)延25G以太網(wǎng)IP,用以解決數(shù)據(jù)中心應(yīng)用所面臨的吞吐量難題。
2014-11-17 15:50:001358

Altera發(fā)布Quartus II軟件v14.1擴(kuò)展支持Arria 10 FPGASoC

2014年,12月16號,北京——Altera公司(Nasdaq: ALTR)今天發(fā)布其Quartus? II軟件v14.1,擴(kuò)展支持Arria? 10 FPGASoC——FPGA業(yè)界唯一具有硬核浮點(diǎn)DSP模塊的器件,也是業(yè)界唯一集成了ARM處理器的20 nm SoC FPGA。
2014-12-16 13:48:531396

業(yè)界首款藍(lán)牙2.1 SoC激光傳感器介紹

業(yè)界首款藍(lán)牙2.1 SoC激光傳感器資料
2015-12-31 10:10:2219

FPGA芯片追求性能提升 使用8GB HBM2顯存

FPGA芯片這兩年大熱,廠商對性能的追求也提升了,繼Altera之后賽靈思(Xilinx)公司現(xiàn)在也宣布推出基于HBM 2顯存的Virtex UltraScale+系列FPGA芯片,該芯片2015
2016-11-10 15:20:074221

Xilinx發(fā)貨業(yè)界首批高端FinFET FPGA

Virtex? UltraScale+? FPGA業(yè)界首款采用臺(tái)積公司(TSMC) 16FF+ 工藝制造的高端 FPGA。 賽靈思公司(NASDAQ:XLNX)今天宣布其 Virtex
2017-02-08 18:03:19248

Nvidia Volta架構(gòu)曝光:不是HBM2而是GDDR5X

AMD Vega 旗艦顯卡將會(huì)在8月登場,使用的是最新的 HBM2 技術(shù),不過也可能因?yàn)槿绱?,Vega 才一直遲遲無法現(xiàn)身,畢竟產(chǎn)能是個(gè)問題,NVIDIA 對于 HBM2 用于游戲卡上目前倒是興趣缺缺,就連下一代 Volta 架構(gòu)也不會(huì)用上 HBM2,而依然是 GDDR5X。
2017-06-14 16:35:063241

三星為滿足日益增長的市場需求宣布提高8GB HBM2顯存產(chǎn)能和生產(chǎn)量,為NVIDIA Volta顯卡開始備戰(zhàn)

AMD則是已經(jīng)在不斷宣揚(yáng)HBM2的優(yōu)勢,并且專門為其設(shè)置HBCC主控,具備更加強(qiáng)大內(nèi)存尋址性能。AMD已經(jīng)完全押寶在HBM2上了,HBM3的應(yīng)用估計(jì)也在路上了。不過AMD的HBM2顯存則是由韓國另一家半導(dǎo)體巨頭SK海力士提供,即將發(fā)布的RX Vega顯卡也是采用了2顆8GB HBM2顯存
2017-07-19 09:52:511427

三星將增加業(yè)內(nèi)最快DRAM - 8GB HBM2的生產(chǎn):以滿足人工智能等市場

作為先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)的世界領(lǐng)導(dǎo)者(三星官方用語),三星電子在2017年7月18日宣布,它正在增加其8G版的高帶寬Memory-2(HBM2)的產(chǎn)量來滿足日益增長的市場需求,為人工智能、HPC(高性能計(jì)算)、更先進(jìn)的圖形處理、網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)和企業(yè)服務(wù)器等應(yīng)用層面提供支持。
2017-07-23 04:47:28784

英特爾推出業(yè)界第一款集成高帶寬內(nèi)存并且支持加速的FPGA

在 HPC 環(huán)境中,相比獨(dú)立的 FPGA,集成 HBM2FPGA 可對更大規(guī)模的數(shù)據(jù)移動(dòng)進(jìn)行壓縮和加速。為高效加速這些工作負(fù)載,英特爾 Stratix 10 MX 系列提供基于 FPGA 的新型多功能數(shù)據(jù)加速器。
2017-12-24 11:19:11865

Intel發(fā)布全球首款集成HBM2顯存的FPGA,10倍于獨(dú)立DDR2顯存

僅僅是搭配顯卡的顯存。 Intel今天就發(fā)布了全球首款集成HBM2顯存的 FPGA (現(xiàn)場可編程陣列)芯片“Strtix 10 MX”,可提供高達(dá)512GB/s的帶寬,相比于獨(dú)立DDR2顯存提升了足足10倍。
2018-01-22 16:50:011507

HBM2的簡介以及未來發(fā)展 三星押寶HBM2的優(yōu)點(diǎn)解析

HBM2是使用在SoC設(shè)計(jì)上的下一代內(nèi)存協(xié)定,可達(dá)到2Gb/s單一針腳帶寬、最高1024支針腳(PIN),總帶寬256GB/s (Giga Byte per second)。1024針腳的HBM2
2018-01-23 14:40:2028389

帶寬暴增10倍,Intel FPGA集成HBM全球領(lǐng)先

可不僅僅是搭配顯卡的顯存。 Intel今天就發(fā)布了全球首款集成HBM2顯存的 FPGA (現(xiàn)場可編程陣列)芯片“Strtix 10 MX”,可提供高達(dá)512GB/s的帶寬,相比于獨(dú)立DDR2顯存提升了足足10倍。
2018-01-26 16:14:001026

2018年用繪圖DRAM市場銷量上揚(yáng) 三星與SK海力士相繼推出HBM2

據(jù)市場分析,GPU業(yè)者對繪圖DRAM需求料將有增無減,2018年繪圖DRAM銷量會(huì)持續(xù)上揚(yáng),三星、SK海力士相繼量產(chǎn)HBM2,價(jià)格比一般DRAM貴5倍。
2018-02-07 14:47:531619

三星投產(chǎn)2.4Gbps的HBM2存儲(chǔ)芯片:號稱是業(yè)界最快的DRAM

三星今天宣布,開始生產(chǎn)針腳帶寬2.4Gbps的HBM2顯存,封裝容量8GB,其中,HBM是High Bandwidth Memory高帶寬存儲(chǔ)芯片的簡寫。
2018-07-02 10:23:001777

浪潮發(fā)布集成HBM2FPGA AI加速卡F37X 在軟件生產(chǎn)力上實(shí)現(xiàn)了質(zhì)的飛躍

美國當(dāng)?shù)貢r(shí)間11月14日,在達(dá)拉斯舉行的全球超算大會(huì)SC18上,浪潮發(fā)布集成HBM2高速緩存的FPGA AI加速卡F37X,可在不到75W典型應(yīng)用功耗提供28.1TOPS的INT8計(jì)算性能和460GB/s的超高數(shù)據(jù)帶寬,實(shí)現(xiàn)高性能、高帶寬、低延遲、低功耗的AI計(jì)算加速。
2018-11-22 17:15:561659

賽靈思公司宣布了采用HBM和CCIX技術(shù)的細(xì)節(jié)

封裝集成 DRAM象征著在高端 FPGA 應(yīng)用存儲(chǔ)器帶寬發(fā)展方面邁出了一大步。HBM 集成在賽靈思業(yè)界領(lǐng)先的器件中, 指明了未來朝向多 Tb 存儲(chǔ)器帶寬發(fā)展的清晰方向,同時(shí)我們的加速強(qiáng)化技術(shù)將實(shí)現(xiàn)高效的異構(gòu)計(jì)算,滿足客戶極為苛刻的工作負(fù)載和應(yīng)用需求。
2019-07-30 09:33:162562

英特爾嵌入式多芯片互連橋接技術(shù)實(shí)現(xiàn)的異構(gòu)SiP集成電路

為了打破高性能系統(tǒng)中的帶寬瓶頸,Altera公布了該公司聲稱的業(yè)界首個(gè)異構(gòu)系統(tǒng)級封裝(SiP器件將SK Hynix的堆疊高帶寬存儲(chǔ)器(HBM2)與高性能Stratix 10 FPGASoC集成在一起。
2019-08-08 17:17:133073

浪潮聯(lián)合Xilinx推出業(yè)界首集成HBM2FPGA

浪潮聯(lián)合賽靈思宣布推出全球首款集成HBM2高速緩存的FPGA AI加速卡F37X,可在不到75W典型應(yīng)用功耗提供28.1TOPS的INT8計(jì)算性能和460GB/s的超高數(shù)據(jù)帶寬,適合于機(jī)器學(xué)習(xí)推理
2019-10-02 13:31:00552

英特爾發(fā)布行業(yè)首款集成高帶寬內(nèi)存的FPGA

英特爾宣布推出英特爾Stratix 10 MX FPGA,該產(chǎn)品是行業(yè)首款采用集成式高帶寬內(nèi)存DRAM(HBM2)的現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)。
2019-12-12 14:49:37575

三星推出第三代HBM2存儲(chǔ)芯片,適用于高性能計(jì)算系統(tǒng)

日前,三星正式宣布推出名為Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存儲(chǔ)芯片。
2020-02-05 13:49:113185

出貨100萬 三星業(yè)界首款EUV DRAM推出

三星電子(Samsung Electronics)今天宣布,已經(jīng)出貨100萬業(yè)界首款10nm EUV級(D1x)DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經(jīng)完成了全球客戶評估,并將為在高端PC、移動(dòng)終端、企業(yè)級服務(wù)器等等應(yīng)用領(lǐng)域開啟新大門。
2020-03-25 16:53:572345

美光開始提供HBM2顯存 或用于高性能顯卡

IT之家3月29日消息 根據(jù)TechPowerUp的報(bào)道,美光科技在最新的收益報(bào)告中宣布,他們將開始提供HBM2內(nèi)存/顯存,用于高性能顯卡,服務(wù)器處理器產(chǎn)品。
2020-03-29 20:34:392278

SK海力士量產(chǎn)超高速DRAMHBM2E’ 人工智能迎來新春天

部全高清(FHD)電影(每部3.7GB),是目前業(yè)界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此,公司的HBM2E借助TSV(Through Silicon Via)技術(shù)將8個(gè)16Gb DRAM垂直連接,其容量達(dá)到了16GB,是前一代HBM2容量的兩倍以上。
2020-07-03 08:42:19432

三星推出集成AI處理器的HBM2內(nèi)存

三星宣布新的HBM2內(nèi)存集成了AI處理器,最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式計(jì)算能力,使內(nèi)存芯片本身可以執(zhí)行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。
2021-02-20 16:35:461842

SK海力士成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM 內(nèi)存芯片

韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片,可以實(shí)現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來了更高的帶寬,每秒處理819GB的數(shù)據(jù),相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142055

業(yè)界首集成微透鏡的MicroLED器件可用于像素級光束整形

8月,比利時(shí)增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)MicroLED廠商MICLEDI宣布推出業(yè)界首集成微透鏡的MicroLED器件,可用于像素級光束整形(beam shaping),該器件是基于MICLEDI專有的300mm CMOS制作平臺(tái)打造。
2022-08-30 15:05:33840

集成功率器件可簡化FPGASoC設(shè)計(jì)

集成功率器件可簡化FPGASoC設(shè)計(jì)
2022-11-02 08:15:591

微系統(tǒng)與SiP、SoP集成技術(shù)

微系統(tǒng)技術(shù)是突破摩爾定律極限的重要解決途徑之一,受到廣泛關(guān)注。微系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)途徑有SoC、SiP和SoP三個(gè)層級,其中SiP和SoP以其靈活性和成本優(yōu)勢成為近期最具應(yīng)用前景的微系統(tǒng)集成技術(shù)。綜述了SiP和SoP的技術(shù)內(nèi)涵、集成形態(tài)以及關(guān)鍵技術(shù),為微系統(tǒng)集成實(shí)現(xiàn)提供參考。
2023-05-19 10:02:553805

行業(yè)資訊 I 異構(gòu)集成 (HI) 與系統(tǒng)級芯片 (SoC) 有何區(qū)別?

異構(gòu)集成(Heterogeneousintegration,HI)和系統(tǒng)級芯片(SystemonChip,SoC)是設(shè)計(jì)和構(gòu)建硅芯片的兩種方式。異構(gòu)集成的目的是使用先進(jìn)封裝技術(shù),通過模塊化方法來應(yīng)對
2023-01-05 15:44:261128

美光推出業(yè)界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3內(nèi)存

Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布,公司已開始出樣業(yè)界首款 8 層堆疊的 24GB 容量第二代 HBM3 內(nèi)存,其帶寬超過
2023-07-28 11:36:40535

業(yè)界最快、容量最高的HBM?

來源:半導(dǎo)體芯科技編譯 業(yè)內(nèi)率先推出8層垂直堆疊的24GB容量HBM3 Gen2,帶寬超過1.2TB/s,并通過先進(jìn)的1β工藝節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)“卓越功效”。 美光科技已開始提供業(yè)界首款8層垂直堆疊的24GB
2023-08-07 17:38:07587

HBM3E明年商業(yè)出貨,兼具高速和低成本優(yōu)點(diǎn)

? ? 據(jù)了解,HBM(High Bandwidth Memory)是指垂直連接多個(gè)DRAM,能夠提升數(shù)據(jù)處理速度,HBM DRAM產(chǎn)品以 HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代
2023-10-10 10:25:46400

從單片SoC異構(gòu)芯片和小芯片封裝的轉(zhuǎn)變正在加速

關(guān)于異構(gòu)集成和高級封裝的任何討論的一個(gè)良好起點(diǎn)是商定的術(shù)語。異構(gòu)集成一詞最常見的用途可能是高帶寬內(nèi)存 (HBM) 與某種 GPU/NPU/CPU 或所有這些的某種組合的集成。
2023-10-12 17:29:42703

異構(gòu)集成 (HI) 與系統(tǒng)級芯片 (SoC) 有何區(qū)別?

異構(gòu)集成 (HI) 與系統(tǒng)級芯片 (SoC) 有何區(qū)別?
2023-11-29 15:39:38440

三星電子成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAMHBM3E 12H

2024年2月27日 - 三星電子今日宣布,公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H,這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:00250

HBM、HBM2、HBM3和HBM3e技術(shù)對比

AI服務(wù)器出貨量增長催化HBM需求爆發(fā),且伴隨服務(wù)器平均HBM容量增加,經(jīng)測算,預(yù)期25年市場規(guī)模約150億美元,增速超過50%。
2024-03-01 11:02:53203

三星電子發(fā)布業(yè)界最大容量HBM

三星電子近日宣布,公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實(shí)現(xiàn)了顯著的提升,這也意味著三星已開發(fā)出業(yè)界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)。
2024-03-08 10:10:51158

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