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電子發(fā)燒友網(wǎng)>可編程邏輯>Xilinx A7芯片內(nèi)部獨(dú)立于邏輯單元的專用存儲(chǔ)器

Xilinx A7芯片內(nèi)部獨(dú)立于邏輯單元的專用存儲(chǔ)器

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2012-08-20 18:55:15

基于DSP的存儲(chǔ)器接口寬度調(diào)節(jié)設(shè)計(jì)

,引腳(引腳,又叫管腳,英文叫Pin。就是從集成電路(芯片)內(nèi)部電路引出與外圍電路的接線,所有的引腳就構(gòu)成了這塊芯片的接口)PRGW是用來配置外部程序存儲(chǔ)器的寬度的。當(dāng)PRGW引腳為低電平時(shí)程序存儲(chǔ)器
2019-06-14 05:00:08

基于NIOS II的SOPC中存儲(chǔ)器型外設(shè)接口的設(shè)計(jì)

中,用戶可以根據(jù)不同的設(shè)計(jì)需求來使用。FIFO的基本單元是寄存,作為存儲(chǔ)器件,它的存儲(chǔ)能力可由內(nèi)部定義的存儲(chǔ)寄存的數(shù)量決定,一般以數(shù)據(jù)量的深度X為寬度形式來說明所采用的基本結(jié)構(gòu),它通常是雙端口
2018-12-07 10:27:46

多功能存儲(chǔ)器芯片測(cè)試系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案

作者:王烈洋 黃小虎 占連樣 珠海歐比特控制工程股份有限公司隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展, 存儲(chǔ)器的種類日益繁多,每一種存儲(chǔ)器都有其獨(dú)有的操作時(shí)序,為了提高存儲(chǔ)器芯片的測(cè)試效率,一種多功能存儲(chǔ)器芯片
2019-07-26 06:53:39

如何利用Xilinx FPGA和存儲(chǔ)器接口生成器簡化存儲(chǔ)器接口?

如何利用Xilinx FPGA和存儲(chǔ)器接口生成器簡化存儲(chǔ)器接口?
2021-05-06 07:23:59

如何配置存儲(chǔ)器XC7A35T- 1CPG236C?

嗨,我正在嘗試查找有關(guān)FPGA XC7A35T-1CPG236C配置存儲(chǔ)器的信息,這是basys3板中的配置存儲(chǔ)器。我一直在查看該部件的數(shù)據(jù)表,但我找不到任何東西。有人可以幫我找到這些信息嗎?謝謝
2020-08-13 09:12:04

尋找具有內(nèi)部存儲(chǔ)器的CPLD

嗨, 我正在尋找具有內(nèi)部存儲(chǔ)器的CPLD。我想將程序存儲(chǔ)在CPLD中,這樣每次打開電源時(shí),我都不必重新編程IC。有沒有這樣的CPLD?謝謝,阿文德古普塔。
2019-08-06 08:27:34

嵌入式存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)方法是什么?

隨著集成電路制造工藝水平的提高,半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能,為了讓產(chǎn)品有別于競(jìng)爭對(duì)手的產(chǎn)品特性,在ASIC上集成存儲(chǔ)器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級(jí)芯片的可靠性。隨著對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器需求的持續(xù)增長,其復(fù)雜性、密度和速度也日益增加,從而需要提出一種專用存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)方法。
2019-11-01 07:01:17

影響存儲(chǔ)器訪問性能的因素有哪些?

影響存儲(chǔ)器訪問性能的因素有哪些?DSP核訪問內(nèi)部存儲(chǔ)器和外部DDR存儲(chǔ)器的時(shí)延有什么不同?
2021-04-19 08:32:10

怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元?

怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元
2023-09-28 06:17:04

整流二極管M7A7的有什么區(qū)別?

整流二極管M7A7,都是整流二極管,在電子電路中的應(yīng)用有哪些區(qū)別呢?M7A7最大的區(qū)別在于封裝形式,二極管M7封裝是SMA/DO-214AC,二極管A7封裝是SOD-123FL,M7的體積要比
2022-04-29 11:49:16

有什么辦法可以從A7 linux訪問M4計(jì)時(shí)嗎?

我需要在 M4 和 A7 內(nèi)核之間進(jìn)行一些時(shí)鐘同步。所以我需要來自 A7 和 M4 的穩(wěn)定時(shí)鐘值用于單個(gè)時(shí)間點(diǎn) 如何從 A7 linux 訪問 M4 計(jì)時(shí)?
2023-01-04 07:02:44

求助 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的區(qū)別

數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別?特點(diǎn)?小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分,片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46

程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器

單片機(jī)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器片內(nèi)的地址是00--7FH,程序存儲(chǔ)器的片內(nèi)地址是0000H--0FFFH,請(qǐng)問這兩部分是不是有重疊?請(qǐng)具體詳解!~{:1:}
2013-01-15 09:01:22

詳解全志V853上的ARM A7和RISC-V E907之間的通信方式

E907 - RTOS系統(tǒng)V853 輔助核心 E907 上運(yùn)行的是全志自研 RTOS 系統(tǒng) Melis。其獨(dú)立于 A7 主核心中的 Linux 系統(tǒng)??梢?b class="flag-6" style="color: red">獨(dú)立運(yùn)行。在 E907 Melis 中,提供
2022-07-07 14:15:18

請(qǐng)教AD9954的內(nèi)部存儲(chǔ)器問題

你好,我當(dāng)前正在運(yùn)用ADI公司的AD9954芯片,我想用它自帶的內(nèi)部存儲(chǔ)器來產(chǎn)生任意波形,可是搞了10天了還是沒有任何的進(jìn)展,在此希望能夠得到ADI技術(shù)人員的幫助,或是給我們些有關(guān)內(nèi)部存儲(chǔ)器的程序
2018-11-26 10:07:00

請(qǐng)問怎樣去測(cè)試存儲(chǔ)器芯片?

存儲(chǔ)器芯片是什么?存儲(chǔ)器可分為哪幾類?存儲(chǔ)器術(shù)語的定義有哪些?如何去測(cè)試存儲(chǔ)器芯片的功能?測(cè)試向量是什么?它的執(zhí)行方式以及測(cè)試目的分別是什么?
2021-04-15 06:18:54

重慶回收存儲(chǔ)器芯片

重慶回收存儲(chǔ)器芯片重慶回收存儲(chǔ)器芯片,深圳帝歐專業(yè)求購存儲(chǔ)器芯片。帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com。 本司長期收購工廠電子ic,回收包括
2021-09-07 19:27:52

鐵電存儲(chǔ)器的技術(shù)原理

跨越溝壑的橋梁--一種非易失性的RAM。當(dāng)一個(gè)電場(chǎng)被加到鐵電晶體時(shí),中心原子順著電場(chǎng)的方向在晶體里移動(dòng)。當(dāng)原子移動(dòng)時(shí),它通過一個(gè)能量壁壘,從而引起電荷擊穿。內(nèi)部電路感應(yīng)到電荷擊穿并設(shè)置存儲(chǔ)器。移去電場(chǎng)后
2011-11-19 11:53:09

鐵電存儲(chǔ)器的技術(shù)原理

跨越溝壑的橋梁--一種非易失性的RAM。當(dāng)一個(gè)電場(chǎng)被加到鐵電晶體時(shí),中心原子順著電場(chǎng)的方向在晶體里移動(dòng)。當(dāng)原子移動(dòng)時(shí),它通過一個(gè)能量壁壘,從而引起電荷擊穿。內(nèi)部電路感應(yīng)到電荷擊穿并設(shè)置存儲(chǔ)器。移去電場(chǎng)后
2011-11-21 10:49:57

閃速存儲(chǔ)器的分類及特征

同等程度以上的高速隨機(jī)存取性。因?yàn)閷懭瞬僮饕膊捎昧怂淼婪绞剑暂^小的寫入電流就可完成寫人操作。又因數(shù)據(jù)置換所需要的高電壓升壓電路可以設(shè)計(jì)于芯片內(nèi)部,因此可以進(jìn)行低電壓的單一電源操作。AND閃速存儲(chǔ)器
2018-04-09 09:29:07

利用XILINX解決方案快速創(chuàng)建存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)

利用XILINX解決方案快速創(chuàng)建存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)
2010-01-08 23:05:2639

存儲(chǔ)器和高速緩存技術(shù)

  存儲(chǔ)器的分類   內(nèi)部存儲(chǔ)器的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)   動(dòng)、靜態(tài)讀寫存儲(chǔ)器RAM的基本存儲(chǔ)單元芯片
2010-11-11 15:35:2267

利用Xilinx FPGA和存儲(chǔ)器接口生成器簡化存儲(chǔ)器接口

FPGA 設(shè)計(jì)人員在滿足關(guān)鍵時(shí)序余量的同時(shí)力爭實(shí)現(xiàn)更高性能,在這種情況下,存儲(chǔ)器接口的設(shè)計(jì)是一個(gè)一向構(gòu)成艱難而耗時(shí)的挑戰(zhàn)。Xilinx FPGA 提供 I/O 模塊和邏輯資源,從而使接口設(shè)計(jì)變
2013-03-14 15:16:0771

Xilinx DDR2存儲(chǔ)器接口調(diào)試代碼

Xilinx FPGA工程例子源碼:Xilinx DDR2存儲(chǔ)器接口調(diào)試代碼
2016-06-07 14:54:5727

Xilinx推出新一代系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器解決方案UltraRAM

自1945年以來只要我們還使用數(shù)字電子計(jì)算設(shè)備,我們就需要面臨并解決各種存儲(chǔ)器方面的問題。我們既需要小容量速度快的寄存器也有大容量存儲(chǔ)的需求,如磁盤和磁帶等,以及半導(dǎo)體設(shè)計(jì)方面專用的DRAM
2017-02-08 08:18:071128

基于OTP存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元讀取閥值

。O工P存儲(chǔ)器的種類很多,很多是基于熔絲和反熔絲,本文介紹的O工P存儲(chǔ)器基于反熔絲結(jié)構(gòu)。在反熔絲O工P存儲(chǔ)器中,通過對(duì)選中單元的編程改變了存儲(chǔ)單元內(nèi)部的結(jié)構(gòu)。理想的讀機(jī)制下,沒有編程的存儲(chǔ)單元讀取時(shí)會(huì)讀出0,而通過編程的存儲(chǔ)單元在讀取時(shí)會(huì)讀出1。反
2017-11-07 11:45:2111

Xilinx FPGA內(nèi)部體系結(jié)構(gòu)

Xilinx的FPGA的基本結(jié)構(gòu)是一樣的,主要由6部分組成,分別為可編程輸入/輸出單元、基本可編程邏輯單元、嵌入式塊RAM、豐富的布線資源、底層嵌入功能單元和內(nèi)嵌專用硬核等。
2019-06-11 14:28:173600

FPGA的雷達(dá)工程基本存儲(chǔ)器概述

FPGA的邏輯是通過向內(nèi)部靜態(tài)存儲(chǔ)單元加載編程數(shù)據(jù)來實(shí)現(xiàn)的,存儲(chǔ)存儲(chǔ)器單元中的值決定了邏輯單元邏輯功能以及各模塊之間或模塊與I/O間的聯(lián)接方式,并最終決定了FPGA所能實(shí)現(xiàn)的功能,F(xiàn)PGA允許無限次的編程。
2019-11-12 07:09:001386

利用多端口存儲(chǔ)器雙口RAM和FIFO實(shí)現(xiàn)多機(jī)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

,允許兩個(gè)獨(dú)立的CPU或控制器同時(shí)異步地訪問存儲(chǔ)單元。既然數(shù)據(jù)共享,就必須存在訪問仲裁控制。內(nèi)部仲裁邏輯控制提供以下功能:對(duì)同一地址單元訪問的時(shí)序控制;存儲(chǔ)單元數(shù)據(jù)塊的訪問權(quán)限分配;信令交換邏輯(例如中斷信號(hào))等。
2020-05-18 10:26:482585

單片機(jī)內(nèi)部的三大存儲(chǔ)器介紹

存儲(chǔ)器屬于常見產(chǎn)品,在各類需要存儲(chǔ)功能的器件中均存在存儲(chǔ)器身影。本文中,小編將對(duì)單片機(jī)內(nèi)部的各大存儲(chǔ)器:程序存儲(chǔ)器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、特殊功能寄存器予以介紹。
2020-10-19 11:46:148889

AVR單片機(jī)三種存儲(chǔ)器使用問題

AVR 系列單片機(jī)內(nèi)部有三種類型的被獨(dú)立編址的存儲(chǔ)器,它們分別為:Flash 程序存儲(chǔ)器內(nèi)部SRAM 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和EEPROM 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器[1]。Flash 存儲(chǔ)器為1K~128K 字節(jié),支持并行
2021-11-14 20:21:0111

一文詳解xilinx CLB基本邏輯單元

CLB是xilinx基本邏輯單元,每個(gè)CLB包含兩個(gè)slices,每個(gè)slices由4個(gè)(A,B,C,D)6輸入LUT和8個(gè)寄存器組成。
2022-04-24 14:48:553407

詳解邏輯單元內(nèi)部結(jié)構(gòu)

邏輯單元(Logic Element,LE)在FPGA器件內(nèi)部,用于完成用戶邏輯的最小單元。一個(gè)邏輯陣列包含16個(gè)邏輯單元以及一些其他資源, 在一個(gè)邏輯陣列內(nèi)部的16個(gè)邏輯單元有更為緊密的聯(lián)系,可以實(shí)現(xiàn)特有的功能。
2022-06-15 16:50:212604

淺談閃速存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元連接方式

閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)又稱閃存(Flash),是一種非易失性存儲(chǔ)器,用存儲(chǔ)單元閾值的高低表示數(shù)據(jù)。浮柵(Floating Gate )場(chǎng)效應(yīng)管(見圖5-80)是Flash存儲(chǔ)單元采用的主要技術(shù)。
2022-08-08 15:46:001076

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