增加GaNSense?技術(shù)，全新GaNFast?氮化鎵功率芯片通過實時智能傳感和保護，為40億美元的手機充電器和消費市場帶來最高效率和可靠性。
2021-11-08 10:21:26
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2022年1月18日，納微半導(dǎo)體正式宣布，其新一代增加GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片已用于vivo公司旗下iQOO子品牌iQOO 9 Pro手機所標配的120W超快閃充迷你充電器中。
2022-01-19 09:29:022551 
芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 — 納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼：NVTS）發(fā)布全新GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片，帶來前所未有的高集成度和性能表現(xiàn)。 氮化鎵是相比傳統(tǒng)高壓 (HV) 硅 (Si) 功率半導(dǎo)體有著重大升級的下一代半導(dǎo)體技術(shù)，同時還減少了提供相同
2023-03-28 13:54:32723 
商用4G LTE無線基礎(chǔ)設(shè)施的擴展，逐漸實現(xiàn)了規(guī)模經(jīng)濟，為氮化鎵順利進入MMIC市場提供了有力支持，從而幫助系統(tǒng)設(shè)計人員實現(xiàn)更高水平的功能和設(shè)備集成，滿足新一代5G系統(tǒng)的需求。同時，隨著集成射頻、模擬
2019-07-31 07:47:23
阻，從而能量損耗更低，功率轉(zhuǎn)換效率更高。相關(guān)統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，氧化鎵的損耗理論上是硅的1/3000、碳化硅的1/6、氮化鎵的1/3。另外，氧化鎵具有良好的化學(xué)和熱穩(wěn)定性，成本低，制備方法簡便、便于批量生產(chǎn)
2023-03-15 11:09:59
納微最新一代GaNFast產(chǎn)品采用的是GaNSense技術(shù)，具有用于高功率密度快充和適配器應(yīng)用的控制、驅(qū)動以及檢測和保護特性。集成的門級驅(qū)動消除了驅(qū)動回路的寄生電感并防止門級信號振鈴和毛刺。無損電流
2023-06-19 07:40:08
今日分享：新一代2.4G射頻功放芯片方案-AT2401C.超低成本.替代進口現(xiàn)如今社會的無線通信中，射頻設(shè)備的使用相當(dāng)多，智能產(chǎn)品數(shù)不盡，而射頻放大器在產(chǎn)品中起著較為重要的作用。這種輔助功能我們簡稱
2020-10-27 11:29:19
新一代納秒級高帶寬仿真工具平臺——HAC Express
2021-01-11 06:47:24
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
(86) ，因此在正常體溫下，它會在人的手中融化。
又過了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術(shù)才得以出現(xiàn)。作為一種化合物，氮化鎵的熔點超過1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
/ 45W+18W / 18W）最大輸出功率，100-200V 50/60Hz 電網(wǎng)下可提供 50W（45W+5W / 45W / 18W）最大輸出功率。 充電器采用第三代氮化鎵芯片制作，集功率器件、驅(qū)動、保護
2022-06-14 11:11:16
橋式拓撲結(jié)構(gòu)中放大了氮化鎵的頻率、密度和效率優(yōu)勢，如主動有源鉗位反激式（ACF）、圖騰柱PFC 和 LLC（CrCM 工作模式）。隨著硬開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)向軟開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變，初級 FET 的一般損耗方程可以被最小化。更新后的簡單方程使效率在 10 倍的高頻率下得到改善。
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計使其非常
2023-06-15 15:32:41
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
；這也說明市場對于充電器功率的市場需求及用戶使用的范圍；隨著小米65W的充電器的發(fā)布，快速的走進氮化鎵快充充電器時代。目前市面上已經(jīng)量產(chǎn)商用的氮化鎵方案主要來自PI和納微半導(dǎo)體兩家供應(yīng)商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
的選擇。 生活更環(huán)?！ 榱舜蚱?b class="flag-6" style="color: red">成本和大規(guī)模采用周期，一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機會，使其在高電壓應(yīng)用中的貢獻遠遠超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-08-06 07:20:51
在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率晶體管的引入，氮化鎵器件市場發(fā)生了巨變;塑料封裝氮化鎵器件可以成為陶瓷封裝氮化鎵器件經(jīng)濟高效的替代品，并成為實現(xiàn)新一代高功率超小型功率模塊的關(guān)鍵所在。塑料封裝、大功率氮化鎵器件使設(shè)計人員能夠
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動器可容易地實現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
（如處理器）。具有高輸入至輸出電壓比的開關(guān)模式功率轉(zhuǎn)換器的效率較低。這些電源管理模塊通常涉及多個轉(zhuǎn)換階段。從中間的54/48伏總線直接轉(zhuǎn)換到處理器內(nèi)核電壓可以降低成本并提高效率。氮化鎵憑借其獨特的開關(guān)
2019-03-14 06:45:11
應(yīng)對能力以及供應(yīng)鏈的靈活性和固有可靠性。作為新一代無線基礎(chǔ)設(shè)施獨一無二的出色半導(dǎo)體技術(shù)，硅基氮化鎵有望以LDMOS成本結(jié)構(gòu)實現(xiàn)優(yōu)異的氮化鎵性能，并且具備支持大規(guī)模需求的商業(yè)制造擴展能力。 MACOM
2018-08-17 09:49:42
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
，只應(yīng)用在高端充電器上。一些小功率的，高性價比的充電器無法享受到氮化鎵性能提升所帶來的紅利。目前，國內(nèi)已經(jīng)有多家廠商推出了用于33-100W大功率充電器的合封芯片，通過將氮化鎵開關(guān)管，控制器以及驅(qū)動器
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動機
2018-11-05 09:51:35
電子、汽車和無線基站項目意法半導(dǎo)體獲準使用MACOM的技術(shù)制造并提供硅上氮化鎵射頻率產(chǎn)品預(yù)計硅上氮化鎵具有突破性的成本結(jié)構(gòu)和功率密度將會實現(xiàn)4G/LTE和大規(guī)模MIMO 5G天線中國，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
，可幫助系統(tǒng)設(shè)計人員簡化和加快產(chǎn)品開發(fā)，使其能夠輕松微調(diào)射頻能量輸出水平，從而最大限度地提高效率和增強性能。MACOM的射頻能量工具包將其硅基氮化鎵功率晶體管的優(yōu)勢與直觀、靈活的軟件和信號控制能力相結(jié)合
2017-08-03 10:11:14
應(yīng)用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產(chǎn)品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多：半導(dǎo)體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅(qū)動電壓
2017-09-04 15:02:41
多個方面都無法滿足要求。在基站端，由于對高功率的需求，氮化鎵（GaN）因其在耐高溫、優(yōu)異的高頻性能以及低導(dǎo)通損耗、高電流密度的物理特性，是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器（PA）芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
`明佳達優(yōu)勢供應(yīng)NV6115氮化鎵MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器絲印1342AMDCD。產(chǎn)品信息1、NV6115氮化鎵MOS絲印：NV6115芯片介紹：NV6115氮化鎵MOS，是針對
2021-01-08 17:02:10
`SUMITOMO的GaN-HEMT SGN2729-250H-R為S波段雷達應(yīng)用提供2.7至2.9 GHz的高功率，高效率和更高的一致性，具有50V工作電壓和高達120μsec脈沖寬度的脈沖條件
2021-03-30 11:14:59
`SUMITOMO的GaN-HEMT SGN2729-600H-R為S波段雷達應(yīng)用提供2.7至2.9 GHz的高功率，高效率和更高的一致性，具有50V工作電壓和高達120μsec脈沖寬度的脈沖條件
2021-03-30 11:24:16
`TI新一代5V無線充電發(fā)射、接收芯片 bq500211、bq51013簡介 德州儀器推出首款符合 Qi 標準的 5V 無線電源發(fā)送器;新一代電源電路促進 USB 連接無線充電板普及日前，德州儀器
2013-02-21 10:55:57
深圳市尊信電子技術(shù)有限公司專業(yè)開發(fā)設(shè)計電子產(chǎn)品方案鈺泰，智融，賽芯微一級代理莫先生：***V信歡迎行業(yè)客戶聯(lián)系，獲取datasheet、報價、樣片等更多產(chǎn)品信息鈺泰半導(dǎo)體瞄準小功率氮化鎵合
2021-12-27 15:02:50
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
包括更低的開關(guān)損耗、更快的開關(guān)速度、更高的功率密度、更出色的熱預(yù)算，并進一步降低重量和成本。除了電動汽車市場之外，基于氮化鎵的電子產(chǎn)品也為進一步降低數(shù)據(jù)中心和消費類設(shè)備的功耗提供了良機。電動汽車
2018-07-19 16:30:38
的設(shè)計和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
超低的電阻和電容，開關(guān)速度可提高一百倍。
為了充分利用氮化鎵功率芯片的能力，電路的其他部分也必須在更高的頻率下有效運行。近年加入控制芯片之后，氮化鎵充電器的開關(guān)頻率，已經(jīng)從 65-100kHz，提高到
2023-06-15 15:53:16
幾年得到了很大的提高。生產(chǎn)高質(zhì)量、低成本的體塊（Bulk）氮化鎵芯片是一項技術(shù)。日本大坂大學(xué)和豐田公司聯(lián)合開發(fā)了一種新的技術(shù)，可以解決以上問題（如下圖所示)，這是一種將 Na Flux法（NaFlux
2023-02-23 15:46:22
包含關(guān)鍵的驅(qū)動、邏輯、保護和電源功能，消除了傳統(tǒng)半橋解決方案中相關(guān)的能量損失、成本過高和設(shè)計復(fù)雜的問題。
納微推出的世界上首款氮化鎵功率芯片同時能提供高頻率和高效率，實現(xiàn)了電力電子領(lǐng)域的高速革命
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
實現(xiàn)設(shè)計，同時通過在一個封裝中進行復(fù)雜集成來節(jié)省系統(tǒng)級成本，并減少電路板元件數(shù)量。從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計提供了氮化鎵解決方案
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位?！喝c半說』經(jīng)多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵也處于這一階段，成本將會隨著市場需求量加速、大規(guī)模生產(chǎn)、工藝制程革新等，而走向平民化，而最終的市場也將會取代傳統(tǒng)的硅基功率器件。8英寸硅基氮化鎵的商用化量產(chǎn)，可以大幅降低成本。第三代半導(dǎo)體的普及
2019-07-08 04:20:32
多半仍以機械結(jié)構(gòu)為主，造價高昂，且產(chǎn)品相當(dāng)笨重，更需要經(jīng)常維修。為了改良這些缺點，以電力電子為基礎(chǔ)的新一代大功率電力設(shè)備應(yīng)運而生。碳化硅等新世代組件，則是在背后促成這股電力設(shè)備電子化不可或缺的功臣
2021-09-23 15:02:11
W600是聯(lián)盛德新一代支持多接口、多協(xié)議的無線局域網(wǎng)802.11b/g/n WLAN SoC 芯片。W600芯片集成度非常高，且體積只有5*5mm 大小，芯片內(nèi)部集成了 RF開關(guān)、Balun
2018-09-28 11:23:00
概述：NV6127是一款升級產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻更小，只有 125 毫歐，是氮化鎵功率芯片IC。型號2：AON6268絲?。?268屬性：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 - 晶體管封裝：DFN-8參數(shù)FET 類型：N 通道
2021-01-13 17:46:43
客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案，或者將遇到技術(shù)挫折歸咎為芯片本身設(shè)計問題，盡管不排除芯片可能存在不適用的領(lǐng)域，但是大部分時候是應(yīng)用層面的問題，和芯片沒有關(guān)系。這種情況對新興的第三代半導(dǎo)體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
精通，這個系列直播共分為八講，從0到1全面解密電源設(shè)計，帶工程師完整地設(shè)計一個高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設(shè)計和PCB布線、電路測試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析
2020-11-18 06:30:50
如何帶工程師完整地設(shè)計一個高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設(shè)計和PCB布線、電路測試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評估和分析。
2021-06-17 06:06:23
導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進開關(guān)性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
如何設(shè)計GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
目前的永磁電機或稱為直流無刷電機(BLDC)的應(yīng)用非常廣泛。與其他電機相比，永磁電機可提供每立方英寸更高的扭矩和更優(yōu)越的動態(tài)性能。到目前為止，硅基功率器件在逆變器電子領(lǐng)域中一直占主導(dǎo)地位?？墒?，它們
2023-06-25 13:58:54
重新設(shè)計壓降檢測精度更高的保護芯片，來適配氮化鎵在鋰電池保護電路中的應(yīng)用。性能方面介紹完畢后，是不是開始有點心動。還有個大家關(guān)心的話題繞不開，自然就是成本。目前氮化鎵單顆的成本相比傳統(tǒng)MOS略高，但是
2023-02-21 16:13:41
結(jié)構(gòu)會降低，應(yīng)用可實現(xiàn)更高的精度和更優(yōu)的控制。食品加工、工業(yè)加熱和干燥以及能源工業(yè)的使用僅僅是一個開始。所實現(xiàn)的低成本和高精度可助力行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者（如MACOM）在整個市場中部署創(chuàng)新。農(nóng)業(yè)過程和射頻能量在
2018-01-18 10:56:28
和功率因數(shù)校正 （PFC） 配置。 簡單的電路提供了將硅控制器用于GaN器件的過渡能力。對于單個氮化鎵器件，隔離式負 V一般事務(wù)（關(guān)閉）EZDrive?電路是一種低成本、簡單的方法，可以使用12V驅(qū)動器
2023-02-21 16:30:09
實現(xiàn)設(shè)計，同時通過在一個封裝中進行復(fù)雜集成來節(jié)省系統(tǒng)級成本，并減少電路板元件數(shù)量。從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計提供了氮化鎵解決方案
2022-11-10 06:36:09
，氮化鎵器件可以在同一襯底上集成多個器件，使得單片式電源系統(tǒng)可以更直接、更高效和更具成本效益地在單芯片上進行設(shè)計。集成功率級諸如EPC23102為設(shè)計人員提供了一個比基于分立器件方案的體積小35
2023-06-25 14:17:47
瑞芯微發(fā)布24合1視頻橋接芯片RK628D RK628D支持三種輸入接口，九種輸出接口，僅一顆芯片即可實現(xiàn)多達24種視頻傳輸轉(zhuǎn)換接口的組合。RK628D可應(yīng)用于六大場景包括多屏商顯、4K大屏轉(zhuǎn)接
2022-05-31 09:13:25
?是提高性能和降低價值。硅襯底倒裝波LED芯片，效率會更高、工藝會更好。6英寸硅襯底上氮化鎵基大功率LED研發(fā)，有望降低成本50%以上。 目前已開發(fā)出6寸硅襯底氮化鎵基LED的外延及先進工藝技術(shù)，光效
2014-01-24 16:08:55
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達1.8
2019-05-09 06:21:14
重要作用。下圖展示的是鍺化硅和氮化鎵的毫米波5G基站MIMO天線方案，左側(cè)展示的是鍺化硅基MIMO天線，它有1024個元件，裸片面積是4096平方毫米，輻射功率是65dbm，與之形成鮮明對比的，是右側(cè)氮化
2019-04-13 22:28:48
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
本帖最后由 小佑_ 于 2021-11-12 11:54 編輯
氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體器件，憑借其優(yōu)異的性能，在PD快充領(lǐng)域得到了廣泛關(guān)注。作為國內(nèi)領(lǐng)先的ACDC快充品牌，茂睿芯一直潛心研發(fā)
2021-11-12 11:53:21
進的氮化鎵值?！ ?015年，在測量功率開關(guān)的Ec時，我們還推測，同樣地在更小的器件中允許更高的電場，氧化鎵可能會在射頻電路中取得類似成功。不過那時我們?nèi)鄙?b class="flag-6" style="color: red">一個關(guān)鍵信息，即還沒有關(guān)于材料中的電子速度與電場
2023-02-27 15:46:36
半導(dǎo)體（Navitas）今日市值也就9.4億美元，而且包括了第三代半導(dǎo)體的另一重要組成部分、收購自GeneSiC的碳化硅業(yè)務(wù)（想要更多了解的讀者可以參考《從納微看半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)并購》）。僅有氮化鎵業(yè)務(wù)
2023-03-03 16:48:40
的應(yīng)用?！?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵就像一個超級增壓引擎，”我們的高壓新技術(shù)開發(fā)組總監(jiān)Steve Tom說，“它使得系統(tǒng)運行更快，動力更加強勁，并且能夠處理更高的功率。它周圍的驅(qū)動器、封裝和其它組件能夠真正地提高任何系統(tǒng)的性能
2022-11-16 07:42:26
的應(yīng)用。“氮化鎵就像一個超級增壓引擎，”我們的高壓新技術(shù)開發(fā)組總監(jiān)Steve Tom說，“它使得系統(tǒng)運行更快，動力更加強勁，并且能夠處理更高的功率。它周圍的驅(qū)動器、封裝和其它組件能夠真正地提高任何系統(tǒng)的性能
2018-08-30 15:05:50
氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技術(shù)的智能GaNFast功率芯片已升級以提高效率和功率密度，將加速進入更多類型的快充市場。
2022-05-05 10:32:561498 圖片 ? 采用 GaNSense? 技術(shù)的700V額定電壓GaNFast?智能氮化鎵功率芯片可實現(xiàn)更高的效率和可靠性 ? 圖片 ? 氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼
2022-05-05 11:13:572207 
美國加利福尼亞州埃爾塞貢多，2022 年 5 月10日：氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達克代碼：NVTS）正式發(fā)布 NV6169，這是一款采用 GaNSense?技術(shù)的650/800 V 大功率GaNFast?芯片，可滿足高功率應(yīng)用。
2022-05-11 11:24:311706 GaNSense半橋氮化鎵功率芯片集成了兩個GaN FETs 和驅(qū)動器，以及控制、電平轉(zhuǎn)換、傳感和保護功能，為電子元件創(chuàng)建了一個易于使用的系統(tǒng)構(gòu)建塊。相較分立式方案，革命性的單片集成方案能有效減少60%的元件數(shù)量及布局結(jié)構(gòu)，進而減少系統(tǒng)成本、尺寸、重量與復(fù)雜性。
2022-09-09 14:51:141104 相對于硅材料，使用氮化鎵制造新一代的電力電子器件，可以變得更小、更快和更高效。這將減少電力電子元件的質(zhì)量、體積以及生命周期成本，允許設(shè)備在更高的溫度、電壓和頻率下工作，使得電子電子器件使用更少的能量
2023-02-05 14:30:082810 一步，推出采用GaNSense?技術(shù)的新一代智能GaNFast?氮化鎵功率芯片，為氮化鎵技術(shù)的探索翻開了新的一頁。? 氮化鎵VS傳統(tǒng)的硅，節(jié)能又減排 眾所周知，硅作為晶體管的首選材料，一直是半導(dǎo)體科技的基
2023-02-21 14:57:11
0 增加GaNSense?技術(shù)，全新GaNFast?氮化鎵功率芯片通過實時智能傳感和保護，為40億美元的手機充電器和消費市場帶來最
高效率和可靠性
11月8日，北京–氮化鎵（GaN）功率芯片的行業(yè)
2023-02-22 13:48:053 更高、可靠性更強。 合封氮化鎵芯片的主要特點有： 高效率：合封氮化鎵芯片采用了全新的器件結(jié)構(gòu)，使得器件的效率更高，可以達到傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件的兩倍以上。 高功率密度：合封氮化鎵芯片采用了多個半導(dǎo)體器件集成在一起的
2023-04-11 17:46:231327 GaNSense Control合封氮化鎵功率芯片具有單片集成的 GaN 功率 FET 和 GaN 驅(qū)動器的所有優(yōu)點，加上單個表面貼裝封裝中的控制和保護電路，適用于高功率密度充電器、適配器和輔助電源應(yīng)用。
2023-04-25 11:38:45230 
氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片，它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域，如通信、雷達、衛(wèi)星通信、微波射頻等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:302318 氮化鎵激光芯片是一種基于氮化鎵材料制成的激光器件，具有高效率、高功率、耐高溫、耐腐蝕等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于通信、醫(yī)療、工業(yè)等領(lǐng)域。下面我們將詳細介紹氮化鎵激光芯片的用途。 一、通信領(lǐng)域 氮化鎵激光芯片
2023-11-24 11:23:151101 氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場和移動設(shè)備市場得到廣泛應(yīng)用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩(wěn)定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件，將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅(qū)動器和氮化鎵開關(guān)管整合到一個...
2023-11-24 16:49:22350 、射頻和光電子等領(lǐng)域，能夠提供高效、高性能的功率轉(zhuǎn)換和信號放大功能。 GaN MOS管驅(qū)動芯片具有以下特點： 高功率密度：與傳統(tǒng)硅基材料相比，氮化鎵材料具有更高的擊穿電場強度和電導(dǎo)率。這使得GaN MOS管驅(qū)動芯片能夠承受更高的功率密度，并提供更
2023-12-27 14:43:23535 氮化鎵（GaN）芯片是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，具有很多優(yōu)點和一些缺點。以下是關(guān)于氮化鎵芯片的詳細介紹。 優(yōu)點： 1.高頻率特性：GaN芯片具有優(yōu)秀的高頻特性，可以實現(xiàn)高頻率工作，適合用于射頻和微波
2024-01-10 10:16:52474
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