Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs，在同類產(chǎn)品中擁有出色的穩(wěn)健性、易用性和高效率

英國(guó)劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無(wú)晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司，開(kāi)發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日宣布推出其 ICeGaN? 650 V 氮化鎵 HEMT H2 系列產(chǎn)品，該器件具備業(yè)界領(lǐng)先的穩(wěn)健性、易用性，可實(shí)現(xiàn)歷史最高效率。H2 系列 ICeGaN HEMT 采用 CGD 智能柵極接口，該接口幾乎消除了典型 e-mode GaN 的弱點(diǎn)，過(guò)壓穩(wěn)健性顯著提高，可提供更高的噪聲抗擾閾值，實(shí)現(xiàn) dV/dt 抑制和 ESD 保護(hù)。與上一代器件相同，新型 650 V H2 ICeGaN 晶體管的驅(qū)動(dòng)方式與 Si MOSFET 類似，無(wú)需復(fù)雜低效的電路，而是采用商用工業(yè)柵極驅(qū)動(dòng)器。最后，與硅器件相比，H2 ICeGaN HEMT 的 QG 低 10 倍，QOSS 低 5 倍，這使得 H2 ICeGaN HEMT 在高開(kāi)關(guān)頻率下能大幅降低開(kāi)關(guān)損耗，并縮小尺寸，減輕重量?；谶@些優(yōu)勢(shì)，該產(chǎn)品在同類產(chǎn)品中具備領(lǐng)先的效率性能，并且與 SMPS 應(yīng)用中業(yè)界出色的 Si MOSFET 相比，其性能提升了 2%。

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ICeGaN H2 系列采用創(chuàng)新 NL3（空載和輕載）電路，與 GaN 開(kāi)關(guān)一同集成在片上，功耗創(chuàng)歷史新低。采用（片上）集成米勒鉗位的先進(jìn)箝位結(jié)構(gòu)，無(wú)需負(fù)柵極電壓，可實(shí)現(xiàn)真正的零電壓關(guān)斷，并提高動(dòng)態(tài) RDS(ON) 性能。這些 e-mode（常關(guān)）單芯片 GaN HEMT 包含單片集成接口和保護(hù)電路，因此具備卓越的柵極可靠性，并且可以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。最后，電流檢測(cè)功能可降低功耗，并允許直接接地，以優(yōu)化散熱和 EMI 性能。
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關(guān)于 Cambridge GaN Devices
Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體公司，由來(lái)自劍橋大學(xué)的 Florin Udrea 教授和 Giorgia Longobardi 博士于 2016 年創(chuàng)立，旨在探索功率器件的革命性技術(shù)。公司的使命是通過(guò)高效易用的 GaN 解決方案為日常生活帶來(lái)創(chuàng)新體驗(yàn)。CGD 從事 GaN 晶體管和 IC 的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)及商業(yè)化，從根本上改進(jìn)器件能效和尺寸，并使其適合量產(chǎn)。CGD 擁有領(lǐng)先的創(chuàng)新技能和宏圖大志，不斷擴(kuò)大知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合，為 ICeGaN? 技術(shù)奠定了強(qiáng)大的基礎(chǔ)。除了數(shù)百萬(wàn)的種子基金，以及 A 輪融資和現(xiàn)在的 B 輪私人融資，CGD 目前已有四個(gè)項(xiàng)目成功獲得 iUK、BEIS 和 EU (Penta) 的資助。CGD 團(tuán)隊(duì)擁有深厚的技術(shù)和商業(yè)專業(yè)知識(shí)，在電力電子市場(chǎng)備受認(rèn)可，擁有良好的業(yè)界口碑，促使公司的專利技術(shù)在初期便受到市場(chǎng)青睞。
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