英飛凌高壓超結(jié) MOSFET 系列產(chǎn)品新增工業(yè)級(jí)和車規(guī)級(jí)器件，用于靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用

【2023年7月27日，德國慕尼黑訊】在靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用中，電源設(shè)計(jì)側(cè)重于最大程度地降低導(dǎo)通損耗、優(yōu)化熱性能、實(shí)現(xiàn)緊湊輕便的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，同時(shí)以低成本實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量。為滿足新一代解決方案的需求，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴(kuò)大其CoolMOS? S7 系列高壓超結(jié)（SJ）MOSFET 的產(chǎn)品陣容。該系列器件主要適用于開關(guān)電源（SMPS）、太陽能系統(tǒng)、電池保護(hù)、固態(tài)繼電器（SSR）、電機(jī)啟動(dòng)器和固態(tài)斷路器以及可編程邏輯控制器（PLC）、照明控制、高壓電子保險(xiǎn)絲/電子斷路器和（混動(dòng)）電動(dòng)汽車車載充電器等應(yīng)用。
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該產(chǎn)品組合進(jìn)行了重要擴(kuò)充，新增了創(chuàng)新的 QDPAK頂部冷卻（TSC）封裝，能夠在較小的封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)豐富的功能。這些特性使得該器件在低頻開關(guān)應(yīng)用中極具優(yōu)勢(shì)，同時(shí)還可以降低成本。得益于新型大功率 QDPAK 封裝，這款器件的導(dǎo)通電阻值僅為 10 mΩ，在市場(chǎng)上同電壓等級(jí)產(chǎn)品中以及采用SMD 封裝的產(chǎn)品中屬于最低值。CoolMOS S7/S7A 解決方案通過最大程度地降低 MOSFET 產(chǎn)品的導(dǎo)通損耗，提高了整體效率，并提供了一種簡單易用且經(jīng)濟(jì)高效的方式來提高系統(tǒng)性能。
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CoolMOS S7 電源開關(guān)還借助已改進(jìn)的熱阻來有效管理散熱，通過采用創(chuàng)新、高效的 QDPAK 封裝，減少甚至消除了固態(tài)設(shè)計(jì)中對(duì)散熱器的需求，從而使系統(tǒng)變得更加緊湊和輕便。該系列 MOSFET產(chǎn)品提供頂部散熱和底部散熱兩種封裝形式，均能夠抵御高脈沖電流，并應(yīng)對(duì)突然的浪涌電流。此外，該系列 MOSFET產(chǎn)品還具有體二極管的穩(wěn)健性，能夠確保在交流線路換向期間可靠運(yùn)行。
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由于所需的元器件較少，CoolMOS? S7系列高壓超結(jié)（SJ）MOSFET能夠減少零部件的數(shù)量，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)靈活的系統(tǒng)集成，降低BOM（材料清單）成本和總體擁有成本（TCO）。同時(shí)，該系列MOSFET 產(chǎn)品還能縮短反應(yīng)時(shí)間，尤其在斷開電流時(shí)，能夠更加平穩(wěn)、高效地運(yùn)行。
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