該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規(guī)的硅（Si）MOSFET、IGBT產(chǎn)品相比，具有高耐壓、高速開關和低導通電阻特性，有利于降低功耗，精簡系統(tǒng)。
2020-10-20 15:18:00
1557 東芝電子宣布，推出兩款全新碳化硅（SiC）MOSFET雙模塊---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”。
2022-01-26 13:35:212210 
。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設備的整體效率?！ ‘a(chǎn)品可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域?！ ?200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
采用的三電平電路，用兩個600V的Mosfet串聯(lián)，來解決高母線電壓帶來的MOS管應力問題。 其次是高壓下的開關損耗很大，使得我們必須選擇軟開關的電路拓撲。LLC變換器可以在全負載范圍內(nèi)實現(xiàn)ZVS，使
2018-10-17 16:55:50
中的寄生源電感。因此，采用SMD封裝的MOSFET也能實現(xiàn)快速開關，同時降低開關損耗。適用于4引腳器件的SMD封裝名為“ThinkPAK 8X8”。 III.分析升壓轉(zhuǎn)換器中采用最新推出的TO247
2018-10-08 15:19:33
。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。全SiC功率模塊的結(jié)構(gòu)現(xiàn)在正在量產(chǎn)的全SiC功率模塊有幾種類型，有可僅以1個模塊組成半橋電路的2in1型，也有可僅以1個模塊組成升壓電路的斬波型。有以
2018-12-04 10:14:32
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術為功率轉(zhuǎn)換器設計人員開辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導通和關斷損耗，并改善了導通和二極管損耗。對其開關特性的仔細分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
)碳化硅功率器件的正反向特性隨溫度和時間的變化很小，可靠性好?！ ?7)碳化硅器件具有很好的反向恢復特性，反向恢復電流小，開關損耗小。碳化硅功率器件可工作在高頻(>20KHz)?！ ?8
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開關頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
的一半。開關損耗是另一個可以優(yōu)化的部分，如［3］所示。為了驅(qū)動 ［3］ 中的 SiC MOSFET，使用了 STGAPxx MOSFET 驅(qū)動器。STGAPxx MOSFET驅(qū)動器有兩種不同的規(guī)格，如圖3
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
社會的重要元器件。碳化硅被廣泛視為下一代功率器件的材料，因為碳化硅相較于硅材料可進一步提高電壓并降低損耗。雖然碳化硅功率器件目前主要用于列車逆變器，但其具有極為廣泛的應用前景，包括車輛電氣化和工業(yè)設備
2023-04-11 15:29:18
了。 固有優(yōu)勢加上最新進展 碳化硅的固有優(yōu)勢有很多，如高臨界擊穿電壓、高溫操作、具有優(yōu)良的導通電阻/片芯面積和開關損耗、快速開關等。最近，UnitedSiC采用常關型共源共柵的第三代SiC-FET器件已經(jīng)
2023-02-27 14:28:47
反向恢復電流，其關斷過程很快，開關損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場強度較高，可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應用領域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
，封裝也是影響產(chǎn)品可靠性的重要因素?；景雽w碳化硅分立器件采用AEC-Q101標準進行測試。目前碳化硅二級管產(chǎn)品已通過AEC-Q101測試，工業(yè)級1200V碳化硅MOSFET也在進行AEC-Q101
2023-02-28 16:59:26
開關電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實現(xiàn)更高的直流電輸出。 2、SiCMOSFET 對于傳統(tǒng)的MOSFET，它的導通狀態(tài)電阻很大，開關損耗很大，額定工作結(jié)溫低，但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30:27
。碳化硅壓敏電阻的主要特點自我修復。用于空氣/油/SF6 環(huán)境?？膳渲脼閱蝹€或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級。100% 活性材料。可重復的非線性特性。耐高壓?；旧鲜菬o感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
92%的開關損耗，還能讓設備的冷卻機構(gòu)進一步簡化，設備體積小型化，大大減少散熱用金屬材料的消耗。半導體LED照明領域碳化硅（SiC）在大功率LED方面具有非常大的優(yōu)勢，采用碳化硅（SiC）陶瓷基板
2021-01-12 11:48:45
，3.3 kW CCM 圖騰柱 PFC 的效率可達到 99% 以上（圖 4），其中在雙升壓 PFC 設計中使用 CoolMOS? 的最佳效率峰值為 98.85%。而且，盡管碳化硅MOSFET的成本較高
2023-02-23 17:11:32
。超硬度的材料包括:金剛石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化鈦等。3)高強度。在常溫和高溫下，碳化硅的機械強度都很高。25℃下，SiC的彈性模量，拉伸強度為1.75公斤/平方厘米，抗壓強度為
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開關 50A IGBT 的關斷性能優(yōu)于純硅解決方案，可與 MOSFET 媲美。較之常規(guī)的碳化硅 MOSFET，這款即插即用型解決方案可縮短產(chǎn)品上市時間，能以更低成本實現(xiàn) 95
2021-03-29 11:00:47
的化學惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應用，如汽車制動器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導體電子設備，如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
使用IGBT（絕緣柵極雙極晶體管）等少數(shù)載流子元器件（雙極元器件）。但因為開關損耗大而具有發(fā)熱問題，實現(xiàn)高頻驅(qū)動存在界限。由于SiC能使肖特基勢壘二極管和MOSFET等高速多數(shù)載流子元器件的耐壓更高，因此能
2018-11-29 14:43:52
01 碳化硅材料特點及優(yōu)勢 碳化硅作為寬禁帶半導體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
的小電流，因此碳化硅肖特基二極管的開關損耗比硅快速恢復二極管更低。使用碳化硅肖特基二極管可以減少損耗，能快速穩(wěn)定實現(xiàn)器件的正反切換，提高產(chǎn)品的效率和降低產(chǎn)品噪音，同時易于改善EMI?！ ∫韵聹y試結(jié)果
2023-02-28 16:34:16
利通碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件導通損耗對溫度的依存度很小，隨溫度的變化也很小，這與傳統(tǒng)的Si器件也有很大差別。4) 開關速度快SiC的熱導系數(shù)幾乎是Si材料的2.5倍，飽和電子漂移率是Si
2021-03-25 14:09:37
。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低組成全SiC功率模塊的SiC-MOSFET在不斷更新?lián)Q代，現(xiàn)已推出新一代產(chǎn)品的定位–采用溝槽結(jié)構(gòu)的第3代產(chǎn)品
2018-12-04 10:11:50
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。但隨著半導體技術的進步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導體場效應晶體管 （MOSFET） 能夠以比 IGBT 更高的頻率進行開關，通過降低電阻和開關損耗來提高效率
2022-11-02 12:02:05
B1M080120HC是一款碳化硅 MOSFET 具有導通電阻低，開關損耗小的特點，可降低器件損耗，提升系統(tǒng)效率，更適合應用于高頻電路。降低器件損耗，提升系統(tǒng) EMI 表現(xiàn)。在新能源汽車電機控制器
2021-11-10 09:10:42
可以減小內(nèi)部源極布線的電感，從而允許MOSFET實現(xiàn)高開關頻率。TO263-7L采用7引腳封裝，采用開爾文連接，適合表面安裝。TO268-2L采用雙引腳封裝，中間沒有引腳，以確保最佳的爬電距離。碳化硅
2019-07-30 15:15:17
時間trr快（可高速開關）?trr特性沒有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發(fā)揮的優(yōu)勢。大幅降低開關損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復時間trr。右側(cè)的圖表為
2019-03-27 06:20:11
產(chǎn)品尺寸，從而提升系統(tǒng)效率。而在實際應用中，我們發(fā)現(xiàn)：帶輔助源極管腳的TO-247-4封裝更適合于碳化硅MOSFET這種新型的高頻器件，它可以進一步降低器件的開關損耗，也更有利于分立器件的驅(qū)動
2023-02-27 16:14:19
工程師知道哪個參數(shù)起主導作用并更加深入理解MOSFET。1. 開通過程中MOSFET開關損耗2. 關斷過程中MOSFET開關損耗3. Coss產(chǎn)生的開關損耗4.Coss對開關過程的影響希望大家看了本文，都能深入理解功率MOSFET的開關損耗。
2021-01-30 13:20:31
，利用SiC MOSFET來作為永磁同步電機控制系統(tǒng)中的功率器件，可以降低驅(qū)動器損耗，提高開關頻率，降低電流諧波和轉(zhuǎn)矩脈動。本項目中三相逆變器擬打算使用貴公司的SiC MOSFET，驗證碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
前言
碳化硅（SiC）材料是功率半導體行業(yè)主要進步發(fā)展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。SiC器件的典型應用領域包括：新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等現(xiàn)代工業(yè)領域，在
2023-10-07 10:12:26
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
封裝還是TO-247-4引腳封裝?！ D5. 在800V、15A和150°C時，不同1200V碳化硅MOSFET技術能實現(xiàn)的最小導通開關損耗。被測器件的標稱通態(tài)電阻為60-80mΩ，在柵極電壓18
2023-02-27 13:53:56
近年來，因為新能源汽車、光伏及儲能、各種電源應用等下游市場的驅(qū)動，碳化硅功率器件取得了長足發(fā)展。更快的開關速度，更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現(xiàn)變換器的高效高功率密度
2022-03-29 10:58:06
組件高出一大截，但其開關速度、切換損失等性能指針，也是硅組件難以望其項背的。碳化硅具有極佳的材料特性，可以顯著降低開關損耗，因此電源開關的操作頻率可以大為提高，從而使電源系統(tǒng)的尺寸明顯縮小。至于在轉(zhuǎn)換
2021-09-23 15:02:11
，航空業(yè)最近經(jīng)歷了快速增長，新的航空航天世界在用于電源和電機控制的SiC器件中找到了新的電源管理解決方案。碳化硅有望在航空工業(yè)中降低重量和減少燃料消耗和排放，例如，碳化硅 MOSFET在更高工作溫度下
2022-06-13 11:27:24
SiC-MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管的相關內(nèi)容，有許多與Si同等產(chǎn)品比較的文章可以查閱并參考。采用第三代SiC溝槽MOSFET，開關損耗進一步降低ROHM在行業(yè)中率先實現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)
2018-11-27 16:37:30
的例子中，開關損耗可以降低24%。此外，還可以 在更寬的工作頻率范圍內(nèi)實現(xiàn)97%以上的高效率 ，在工作頻率為100kHz時與IGBT相比效率提高3%，可進一步降低車載和工業(yè)設備應用的功耗。此外
2022-07-27 10:27:04
的整體系統(tǒng)尺寸，更小的整體成本，高溫下更高的可靠性，同時降低功率損耗。創(chuàng)能動力可提供碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模組和集成功率模組，用于太陽能逆變器、功率因數(shù)校正、電動車充電樁和高效率
2023-02-22 15:27:51
的影響更明顯。（3）降低米勒電壓，也就是降低閾值開啟電壓同時提高跨導，也可以提高開關速度，降低開關損耗。但過低的閾值電壓會使MOSFET容易受到干擾誤導通，而跨導和工藝有關。
2017-03-06 15:19:01
完全開通，只有導通電阻產(chǎn)生的導通損耗，沒有開關損耗。t1-t2、t2-t3二個階段，電流和電壓產(chǎn)生重疊交越區(qū)，因此產(chǎn)生開關損耗。同時，t1-t2和t2-t3二個階段工作于線性區(qū)，因此功率MOSFET
2017-02-24 15:05:54
復雜的設計，功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開關碳化硅器件？ 當傳統(tǒng)硅器件在功率損耗和開關頻率方面達到極限時，碳化硅可能是合適的半導體選擇。高達 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
的效率也會更高。當客戶選擇碳化硅MOSFET為主開關管后，通常也會愿意多花額外的成本將工頻整流二極管D3和D4換成普通的低導通電阻（Rdson）的硅-MOSFET ［B1］ ，降低整流器件的導通損耗
2023-02-28 16:48:24
一種減慢di/dt和dv/dt的方式來解決。不幸的是，這些方法會導致開關損耗增加和系統(tǒng)效率降低。而在使用碳化硅MOSFET時，只需在柵極和源極之間增加一個二極管電壓鉗位即可解決這一難題?！ ≡?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅
2023-03-14 14:05:02
本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實現(xiàn)了高頻LLC諧振全橋隔離變換器，如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開關及低損耗等
2016-08-05 14:32:43
了第一代和第二代產(chǎn)品的優(yōu)點，采用JBS結(jié)構(gòu)，優(yōu)化了N-外延層的摻雜濃度，減薄N+襯底層，使得二極管具有更低的正向?qū)▔航礦F和結(jié)電荷QC，可以降低應用端的導通損耗和開關損耗?！ D（1）碳化硅二極管
2023-02-28 17:13:35
如何更加深入理解MOSFET開關損耗？Coss產(chǎn)生開關損耗與對開關過程有什么影響？
2021-04-07 06:01:07
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設計一個雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
。碳化硅器件的結(jié)電容更小，柵極電荷低，因此，開關速度極快，開關過程中的 dv/dt 和 di/dt 均極高。雖然器件開關損耗顯著降低，但傳統(tǒng)封裝中雜散電感參數(shù)較大，在極高的 di/dt 下會產(chǎn)生更大
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
) 碳化硅MOSFET具有極低的體二極管反向恢復時間(trr)及反向恢復電荷(Qrr)從而降低二極管開關損耗及操聲,便于實現(xiàn)LLC諧振寬范圍工作。同一額定電流器件，碳化硅MOSFET 寄生二極管反向電荷
2016-08-25 14:39:53
MOSFET更好的在系統(tǒng)中應用，需要給碳化硅MOSFET匹配合適的驅(qū)動。 接下來介紹基本半導體碳化硅MOSFET及驅(qū)動產(chǎn)品 基本半導體自主研發(fā)的碳化硅 MOSFET 具有導通電阻低，開關損耗小的特點，可降低
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管。功率二極管包括結(jié)勢壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
，在這兩種情況下估算時間t3作為MOSFET的上升和下降時間，您可使用等式4估算開關損耗：開關損耗取決于頻率和輸入電壓。因此，輸入電壓和開關頻率較高時，總效率相對降低。在輕負載時，LM2673非同步降壓
2018-06-05 09:39:43
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
之所以在最新一代SiC MOSFET中采用4引腳封裝，也是基于這樣的背景，旨在在使用了SiC功率元器件的應用中，進一步降低損耗。這里有一個注意事項，或者說是為了有效使用4引腳封裝產(chǎn)品而需要探討的事項。前面提到
2020-07-01 13:52:06
C3M0015065D碳化硅MOSFET業(yè)界最低的通態(tài)電阻和開關損耗，可實現(xiàn)最高效率和功率密度Wolfspeed 通過推出第三代 650 V MOSFET 擴展了其碳化硅 (SiC) 技術的領先地位
2022-05-21 11:12:51
C3M0025065D碳化硅MOSFET業(yè)界最低的通態(tài)電阻和開關損耗，可實現(xiàn)最高效率和功率密度Wolfspeed 通過推出第三代 650 V MOSFET 擴展了其碳化硅 (SiC) 技術的領先地位
2022-05-21 15:52:28
C3M0060065J碳化硅MOSFET業(yè)界最低的通態(tài)電阻和開關損耗，可實現(xiàn)最高效率和功率密度Wolfspeed 通過推出第三代 650 V MOSFET 擴展了其碳化硅 (SiC) 技術的領先地位
2022-05-21 18:00:35
C3M0120065J碳化硅MOSFET業(yè)界最低的通態(tài)電阻和開關損耗，可實現(xiàn)最高效率和功率密度Wolfspeed 通過推出第三代 650 V MOSFET 擴展了其碳化硅 (SiC) 技術的領先地位
2022-05-21 21:54:44
C3M0120065K碳化硅MOSFET業(yè)界最低的通態(tài)電阻和開關損耗，可實現(xiàn)最高效率和功率密度Wolfspeed 通過推出第三代 650 V MOSFET 擴展了其碳化硅 (SiC) 技術的領先地位
2022-05-21 22:04:32
PPAP 功能且防潮的 MOSFET。它采用 Wolfspeed 的第三代堅固技術；提供業(yè)界最低的開關損耗和最高的品質(zhì)因數(shù)。E 系列 MOSFET 針對用于 EV 電池
2022-05-22 10:54:29
E3M0075120K為E 系列分立碳化硅 MOSFET。業(yè)界首款汽車級碳化硅 MOSFET。Wolfspeed 通過推出 E 系列碳化硅 (SiC) MOSFET 擴展了其在碳化硅領域的領先地位
2022-05-24 21:52:50
E3M0075120D為E 系列分立碳化硅 MOSFET。業(yè)界首款汽車級碳化硅 MOSFET。Wolfspeed 通過推出 E 系列碳化硅 (SiC) MOSFET 擴展了其在碳化硅領域的領先地位
2022-05-24 21:59:02
為了有效解決金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）在通信設備直流-48 V緩啟動應用電路中出現(xiàn)的開關損耗失效問題，通過對MOSFET 柵極電荷、極間電容的闡述和導通過程的解剖，定位了MOSFET 開關損耗的來源，進而為緩啟動電路設計優(yōu)化，減少MOSFET的開關損耗提供了技術依據(jù)。
2016-01-04 14:59:05
38 相比硅二極管，GEN2碳化硅肖特基二極管可顯著降低開關損耗，并大幅提高電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。
2018-07-06 15:11:354532 相比硅 IGBT，碳化硅 MOSFET 擁有更快的開關速度和更低的開關損耗。 碳化硅 MOSFET 應用于高開關頻率場合時其開關損耗隨著開關頻率的增加亦快速增長。 為進一步提升碳化硅 MOSFET
2018-10-08 08:00:0029 該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規(guī)的硅（Si）MOSFET、IGBT產(chǎn)品相比，具有高耐壓、高速開關和低導通電阻特性，有利于降低功耗，精簡系統(tǒng)。
2020-10-19 16:11:223531 
東芝面向工業(yè)應用推出一款集成最新開發(fā)的雙通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模塊---“MG800FXF2YMS3”，該產(chǎn)品將于2021年5月投入量產(chǎn)。
2021-02-25 14:14:40951 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）推出了全新功率器件“TWxxNxxxC系列”。這是其第三代碳化硅MOSFET[1][2]，具
有低導通電阻和大幅降低的開關損耗。10種產(chǎn)品分別為
2023-02-20 15:46:150 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
MOSFET相比傳統(tǒng)的硅MOSFET具有更高的電子遷移率、更高的耐壓、更低的導通電阻、更高的開關頻率和更高的工作溫度等優(yōu)點。因此，碳化硅MOSFET可以被廣泛應用于能源轉(zhuǎn)換、交流/直流電源轉(zhuǎn)換、汽車和航空航天等領域。
2023-06-02 15:33:151182 器件用于開關損耗和浪涌電壓，可降低開關損耗高達92%。半導體碳化硅功率器件功耗顯著降低，設備發(fā)熱量大大降低，進一步簡化了設備的冷卻機構(gòu)，減小了設備的體積，大大降低
2021-12-07 10:36:02546 
的傳導和開關損耗，本文以給出了使用ST碳化硅MOSFET的主要設計原則，以得到最佳性能。一，如何減少傳導損耗：碳化硅MOSFET比超結(jié)MOSFET要求更高的G級電壓
2022-11-30 15:28:282649 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用有助于降低開關損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業(yè)設備應用。
2023-09-07 09:59:32738 
MOSFET也已經(jīng)發(fā)展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。其柵極驅(qū)動電路設計簡單，可靠性得到進一步的提高。 碳化硅MOSFET的優(yōu)勢 相同功率等級的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，
2023-10-17 23:10:02269 
Wolfspeed 采用 TOLL 封裝的碳化硅 MOSFET 產(chǎn)品組合豐富，提供優(yōu)異的散熱，極大簡化了熱管理。
2023-11-20 10:24:00321 
使用SiC MOSFET時如何盡量降低電磁干擾和開關損耗
2023-11-23 09:08:34333 
碳化硅（SiC）MOSFET以其正溫度系數(shù)的特性進行靜態(tài)電流的共享和負反饋。如果一個設備的電流更大，那么它就會加熱，相應地增加其RDS(on)。這樣，過境電流降低，熱失衡級別也降低。此外，他們在溫度
2023-12-19 11:59:32142 
碳化硅MOSFET在高頻開關電路中的應用優(yōu)勢? 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件，具有在高頻開關電路中廣泛應用的多個優(yōu)勢。 1. 高溫特性： 碳化硅MOSFET具有極低的本征載流子濃度
2023-12-21 10:51:03357
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論