對(duì)新能源車(chē)來(lái)說(shuō),電池、VCU、BSM、電機(jī)效率都缺乏提升空間,最有提升空間的當(dāng)屬電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分,而電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分最核心的元件IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管芯片)則是最需要重視的。
IGBT約占電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)成本的一半,而電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)占整車(chē)成本的15-20%,也就是說(shuō)IGBT占整車(chē)成本的7-10%,是除電池之外成本第二高的元件,也決定了整車(chē)的能源效率。
不僅電機(jī)驅(qū)動(dòng)要用IGBT,新能源的發(fā)電機(jī)和空調(diào)部分一般也需要IGBT。不僅是新能源車(chē),直流充電樁和機(jī)車(chē)(高鐵)的核心也是IGBT管,直流充電樁30%的原材料成本就是IGBT。電力機(jī)車(chē)一般需要 500 個(gè)IGBT 模塊,動(dòng)車(chē)組需要超過(guò)100個(gè)IGBT模塊,一節(jié)地鐵需要50-80個(gè) IGBT 模塊。
三菱電機(jī)的HVIGBT已經(jīng)成為業(yè)內(nèi)默認(rèn)的標(biāo)準(zhǔn),中國(guó)的高速機(jī)車(chē)用IGBT由三菱完全壟斷,同時(shí)歐洲的阿爾斯通、西門(mén)子、龐巴迪也是一半以上采用三菱電機(jī)的IGBT。
除了日系廠(chǎng)家,英飛凌包攬了幾乎所有電動(dòng)車(chē)的IGBT,而三菱電機(jī)則沉醉于中國(guó)高鐵的豐厚利潤(rùn)中無(wú)法自拔,在低于2500V市場(chǎng)幾乎一無(wú)所獲。
2016年全球電動(dòng)車(chē)銷(xiāo)量大約200萬(wàn)輛,共消耗了大約9億美元的IGBT管,平均每輛車(chē)大約450美元,是電動(dòng)車(chē)?yán)锍姵赝庾畎嘿F的部件。
其中,混合動(dòng)力和PHEV大約77萬(wàn)輛,每輛車(chē)需要大約300美元的IGBT,純電動(dòng)車(chē)大約123萬(wàn)輛,平均每輛車(chē)使用540美元的IGBT,大功率的純電公交車(chē)用的IGBT可能超過(guò)1000美元。
什么是 IGBT?
IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。
與以前的各種電力電子器件相比,IGBT具有以下特點(diǎn):高輸入阻抗,可采用通用低成本的驅(qū)動(dòng)線(xiàn)路;高速開(kāi)關(guān)特性;導(dǎo)通狀態(tài)低損耗。
IGBT兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn),在綜合性能方面占有明顯優(yōu)勢(shì),非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
上圖主要是通過(guò)脈沖寬度調(diào)制(PWM)的方式控制IGBT開(kāi)關(guān),將電流從DC轉(zhuǎn)換到AC(電池到電機(jī),驅(qū)動(dòng)電機(jī))或者從AC轉(zhuǎn)化到DC(電機(jī)到電池,剎車(chē)、下坡時(shí)能量回收)。
對(duì)于混合動(dòng)力,除驅(qū)動(dòng)電機(jī)外,另外還有一個(gè)發(fā)電機(jī),可以由汽車(chē)的發(fā)動(dòng)機(jī)帶動(dòng)其發(fā)電,然后通過(guò)IGBT模塊AC/DC轉(zhuǎn)換后向電池充電。在DM車(chē)型中,該發(fā)電機(jī)還可以充當(dāng)驅(qū)動(dòng)電機(jī)的作用。
IGBT最常見(jiàn)的形式其實(shí)是模塊(Module),而不是單管。模塊的3個(gè)基本特征:
多個(gè)芯片以絕緣方式組裝到金屬基板上;
空心塑殼封裝,與空氣的隔絕材料是高壓硅脂或者硅脂,以及其他可能的軟性絕緣材料;
同一個(gè)制造商、同一技術(shù)系列的產(chǎn)品,IGBT模塊的技術(shù)特性與同等規(guī)格的IGBT 單管基本相同。
模塊的主要優(yōu)勢(shì)有以下幾個(gè):
多個(gè)IGBT芯片并聯(lián),IGBT的電流規(guī)格更大。
多個(gè)IGBT芯片按照特定的電路形式組合,如半橋、全橋等,可以減少外部電路連接的復(fù)雜性。
多個(gè)IGBT芯片處于同一個(gè)金屬基板上,等于是在獨(dú)立的散熱器與IGBT芯片之間增加了一塊均熱板,工作更可靠。
一個(gè)模塊內(nèi)的多個(gè)IGBT芯片經(jīng)過(guò)了模塊制造商的篩選,其參數(shù)一致性比市售分立元件要好。
模塊中多個(gè)IGBT芯片之間的連接與多個(gè)分立形式的單管進(jìn)行外部連接相比,電路布局更好,引線(xiàn)電感更小。
模塊的外部引線(xiàn)端子更適合高壓和大電流連接。同一制造商的同系列產(chǎn)品,模塊的最高電壓等級(jí)一般會(huì)比IGBT 單管高1-2個(gè)等級(jí),如果單管產(chǎn)品的最高電壓規(guī)格為1700V,則模塊有2500V、3300V 乃至更高電壓規(guī)格的產(chǎn)品。
晶圓上的一個(gè)最小全功能單元稱(chēng)為Cell,晶圓分割后的最小單元,構(gòu)成IGBT 單管或者模塊的一個(gè)單元的芯片單元,合稱(chēng)為IGBT的管芯。
一個(gè)IGBT管芯稱(chēng)為模塊的一個(gè)單元,也稱(chēng)為模塊單元、模塊的管芯。模塊單元與IGBT管芯的區(qū)別在最終產(chǎn)品,模塊單元沒(méi)有獨(dú)立的封裝,而管芯都有獨(dú)立的封裝,成為一個(gè)IGBT管。
近來(lái)還有一種叫IPM的模塊,把門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路也封裝進(jìn)IGBT模塊內(nèi)部,這是給那些最懶的工程師用的,不過(guò)工作頻率自然不能太高咯。
單管的價(jià)格要遠(yuǎn)低于模塊,但是單管的可靠性遠(yuǎn)不及模塊。全球除特斯拉和那些低速電動(dòng)車(chē)外,全部都是使用模塊,只有特斯拉對(duì)成本的重視程度遠(yuǎn)高于對(duì)人命的重視程度。
特斯拉Model X使用132個(gè)IGBT管,由英飛凌提供,其中后電機(jī)為96個(gè),前電機(jī)為36個(gè),每個(gè)單管的價(jià)格大約4-5美元,合計(jì)大約650美元。
如果改用模塊的話(huà),估計(jì)需要12-16個(gè)模塊,成本大約1200-1600美元。特斯拉使用單管的原因主要是成本,尤其是其功率比一般的電動(dòng)車(chē)要大不少,加上設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)周期短,不得不采用單管設(shè)計(jì)。
相比寶馬I3,采用英飛凌新型HybridPACK 2模塊設(shè)計(jì),每個(gè)模塊內(nèi)含6個(gè)單管型IGBT,750V/660A,電流超大,只需要兩個(gè)模塊即可,體積大大縮小,成本大約300美元。
采用英飛凌的新型HybridPACK 2模塊設(shè)計(jì),每個(gè)模塊內(nèi)含6個(gè)單管IGBT,750V/660A,電流超大,只需要兩個(gè)模塊即可,體積大大縮小。?
典型新能源車(chē)功率系統(tǒng)對(duì)比:
可以看出豐田的功率密度是國(guó)內(nèi)密度的三倍左右,差距巨大。
IGBT目前已經(jīng)發(fā)展到7.5代,第7代由三菱電機(jī)在2012年推出,三菱電機(jī)目前的水平可以看作7.5代,同時(shí)IGBT的下一代SiC技術(shù)已經(jīng)在日本全面普及,無(wú)論三菱這樣的大廠(chǎng)還是Fuji、Rohm這樣的小廠(chǎng)都有能力輕松制造出SiC元件,我國(guó)目前停留在第三代水平上,差距在20年以上。
IGBT的關(guān)鍵:散熱和背板工藝
IGBT的關(guān)鍵有兩點(diǎn),一是散熱,二是背板工藝。
IGBT的正面工藝和標(biāo)準(zhǔn)BCD的LDMOS沒(méi)區(qū)別,區(qū)別在背面,背面工藝有幾點(diǎn),首先是減薄,大約需要減薄6-8毫米,減得太多容易碎片,減得太少?zèng)]有效果。接下來(lái)是離子注入,注入一層薄磷做緩沖層,第四代需要兩次注入磷,本來(lái)硅片就很薄了,兩次注入很容易碎片。
然后是清洗,接下來(lái)金屬化,在背面蒸鍍一層鈦或銀,最后是Alloy,因?yàn)楣杵?,很容易翹曲或碎片。英飛凌特別擅長(zhǎng)減薄技術(shù)。
*全球IGBT企業(yè)排名
這些工藝不僅需要長(zhǎng)期摸索,同時(shí)還需要針對(duì)工藝開(kāi)發(fā)生產(chǎn)設(shè)備,只有對(duì)生產(chǎn)線(xiàn)和設(shè)備都非常精通的企業(yè)才能勝任。
*EV用功率模塊封裝技術(shù)發(fā)展
自第六代以后,IGBT自身的潛力已經(jīng)挖掘的差不多了,大家都把精力轉(zhuǎn)移到IGBT的封裝上,也就是散熱。
車(chē)用IGBT的散熱效率要求比工業(yè)級(jí)要高得多,逆變器內(nèi)溫度最高可達(dá)大20度,同時(shí)還要考慮強(qiáng)振動(dòng)條件,車(chē)規(guī)級(jí)的IGBT遠(yuǎn)在工業(yè)級(jí)之上。
工業(yè)級(jí)IGBT與車(chē)規(guī)級(jí)IGBT對(duì)比:
解決散熱的第一點(diǎn),就是提高 IGBT模塊內(nèi)部的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能、耐受功率循環(huán)的能力, IGBT模塊內(nèi)部引線(xiàn)技術(shù)經(jīng)歷了粗鋁線(xiàn)鍵合、 鋁帶鍵合再到銅線(xiàn)鍵合的過(guò)程,提高了載流密度。
第二點(diǎn),新的焊接工藝,傳統(tǒng)焊料為錫鉛合金, 成本低廉、工藝簡(jiǎn)單, 但存在環(huán)境污染問(wèn)題, 且車(chē)用功率模塊的芯片溫度已經(jīng)接近錫鉛焊料熔點(diǎn)(220℃)。
解決該問(wèn)題的新技術(shù)主要有:低溫銀燒結(jié)技術(shù)和瞬態(tài)液相擴(kuò)散焊接。與傳統(tǒng)工藝相比, 銀燒結(jié)技術(shù)的導(dǎo)熱性、耐熱性更好, 具有更高的可靠性。
瞬態(tài)液相擴(kuò)散焊接通過(guò)特殊工藝形成金屬合金層, 熔點(diǎn)比傳統(tǒng)焊料高, 機(jī)械性能更好。三菱則使用超聲波焊接。
第三點(diǎn),改進(jìn)DBC和模塊底板,降低散熱熱阻, 提高熱可靠性, 減小體積,降低成本等。以 AlN 和 AlSiC 等材料取代 DBC 中的Al2O3和Si3N4等常規(guī)陶瓷,熱導(dǎo)率更高,與Si 材料的熱膨脹系數(shù)匹配更好。
此外,新型的散熱結(jié)構(gòu),如 Pin Fin結(jié)構(gòu) 和 Shower Power結(jié)構(gòu), 能夠顯著降低模塊的整體熱阻,提高散熱效率。
第四點(diǎn),就是擴(kuò)大模塊與散熱底板間的連接面積,如端子壓接技術(shù)。
散熱的關(guān)鍵是材料,而材料科學(xué)是一個(gè)國(guó)家基礎(chǔ)科學(xué)的體現(xiàn),中國(guó)在這方面非常落后,日本則遙遙領(lǐng)先,不僅在德國(guó)之上,還在美國(guó)之上。
IGBT的下一代SiC(碳化硅)技術(shù)已經(jīng)嶄露頭角,鑒于它的重要性,豐田決定完全自主生產(chǎn),實(shí)際豐田SiC的研究自上世紀(jì)80年代就開(kāi)始了,足足領(lǐng)先全球30年。
SiC能將新能源車(chē)的效率再提高10%,這是新能源車(chē)提高效率最有效的技術(shù)。豐田汽車(chē)就表示:“SiC具有與汽油發(fā)動(dòng)機(jī)同等的重要性?!?/p>
SiC有多重要?
目前限制SiC應(yīng)用主要是兩方面,一是價(jià)格,其價(jià)格是傳統(tǒng)Si型IGBT的6倍。其次是電磁干擾。 SiC的開(kāi)關(guān)頻率遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)Si型IGBT,回路寄生參數(shù)已經(jīng)大到無(wú)法忽略。
SiC基板是關(guān)鍵,落后日本企業(yè)很多的英飛凌在2016年7月決定收購(gòu)美國(guó)CREE集團(tuán)旗下的電源和RF部門(mén)(“Wolfspeed”),其核心就是SiC基板技術(shù)。
不過(guò)在2017年2月,美國(guó)的外國(guó)投資委員會(huì)(CFIUS)以關(guān)系到國(guó)家安全的原因否定了這項(xiàng)收購(gòu),美國(guó)之所以否定這項(xiàng)收購(gòu),是保護(hù)美國(guó)為數(shù)極少的先進(jìn)工業(yè)技術(shù),對(duì)日本廠(chǎng)家來(lái)說(shuō),SiC基板都沒(méi)有絲毫難度,三菱、豐田、羅姆、富士電機(jī)、日立、瑞薩、東芝都有能力自己制造,全部是內(nèi)部開(kāi)發(fā)的技術(shù)。意法半導(dǎo)體技術(shù)也不錯(cuò)。
2014年5月20日,鑒于SiC的重要性,豐田特別召開(kāi)了新聞發(fā)布會(huì),宣布與電裝、豐田中央研究所合作開(kāi)發(fā)出了SiC功率半導(dǎo)體。
評(píng)論
查看更多