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電子發(fā)燒友網(wǎng)>汽車(chē)電子>ROHM新推基于AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的四款車(chē)載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”

ROHM新推基于AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的四款車(chē)載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”

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Nexperia發(fā)布適用于AEC-Q101高溫應(yīng)用的二極管和晶體管

業(yè)內(nèi)最受歡迎的適用于AEC-Q101高溫應(yīng)用的BAS16 / 21二極管和BC807 / 817晶體管。
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ROHM開(kāi)發(fā)出1mm見(jiàn)方超小型車(chē)載MOSFET!

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2020-09-30 09:43:441973

200~1200V電源炸機(jī),求助

測(cè)試1200V輸入時(shí),加十多分鐘后就炸機(jī)了,不是一開(kāi)始就炸,MOS管那一串都炸了,變壓器沒(méi)燒毀。大神幫我看一下電路和波形,600V以后的CS波形感覺(jué)就不太好看了,不知道是什么導(dǎo)致的。示波器通道2壞了,沒(méi)法雙通道,只能這樣了。
2017-12-13 08:56:00

1200V耐壓400A/600A產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更低損耗與小型化

ROHM面向工業(yè)設(shè)備用電源、太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器,開(kāi)發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002
2018-12-04 10:20:43

1200V碳化硅MOSFET系列選型

。尤其在高壓工作環(huán)境下,依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性,其高溫工作特性,大大提高了高溫穩(wěn)定性,也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率。  產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器、車(chē)載電源、新能源汽車(chē)電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。    1200V碳化硅MOSFET系列選型    
2020-09-24 16:23:17

AEC-Q103測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)解讀

近期汽車(chē)電子委員會(huì)(AEC)根據(jù)車(chē)載MEMS特性制定出最新標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q103,由于之前MEMS微機(jī)電系統(tǒng)做車(chē)規(guī)認(rèn)證一直是參照AEC-Q100,此次制定的標(biāo)準(zhǔn)無(wú)疑是為行業(yè)提供了更具有針對(duì)性的要求
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IGBT模塊的選擇

電壓(600V、1200V、1700V)均對(duì)應(yīng)于常用電網(wǎng)的電壓等級(jí)??紤]到過(guò)載,電網(wǎng)波動(dòng),開(kāi)關(guān)過(guò)程引起的電壓尖峰等因素,通常電力電子設(shè)備選擇IGBT器件耐壓都是直流母線電壓的一倍。如果結(jié)構(gòu)、布線、吸收
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IGBT驅(qū)動(dòng)問(wèn)題

大家好,我畢設(shè)遇到一個(gè)問(wèn)題想問(wèn)一下大家:HCPL3120驅(qū)動(dòng)IGBT,但是手冊(cè)上面說(shuō)只能驅(qū)動(dòng)1200V/100A的IGBT,我不明白為什么用電壓驅(qū)動(dòng)IGBT,怎么還與IGBT電流有關(guān),我現(xiàn)在的IGBT要260A電壓1100V,什么芯片能驅(qū)動(dòng)?
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2019-06-25 04:20:33

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,具有高ESD抗性。 即使在高溫下也會(huì)阻止熱失控,使其成為汽車(chē)系統(tǒng)和電源的理想選擇。 二極管符合標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)。 RBE二極管具有更高的效率和更低的VF。 這些二極管占用的空間減少了80
2019-06-17 15:30:23

ROHM車(chē)載LDO BD4xxMx系列16個(gè)機(jī)型

的BiC-DMOS工藝,ROHM利用多年積累的模擬設(shè)計(jì)技術(shù),實(shí)現(xiàn)輸入耐壓達(dá)45V適用各種車(chē)載應(yīng)用的高可靠性,而且實(shí)現(xiàn)消耗電流在無(wú)負(fù)載時(shí)不到一般產(chǎn)品的一半、有負(fù)載時(shí)比一般產(chǎn)品更穩(wěn)定,非常有助于汽車(chē)的節(jié)能化
2019-04-08 08:27:05

ROHM車(chē)載產(chǎn)品的特別之處

/TS16949認(rèn)證。此外,本LDO系列還滿(mǎn)足車(chē)載IC的實(shí)質(zhì)性行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q100。-提到車(chē)載,除品質(zhì)可靠性外,交貨期和供應(yīng)方面的要求應(yīng)該也很?chē)?yán)格吧。ROHM的“車(chē)載”這個(gè)定義,就包含了嚴(yán)格遵守交貨期
2018-12-04 10:34:22

ROHM串行EEPROM選型推薦產(chǎn)品陣容豐富

AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)。下文從接口總線方式以及產(chǎn)品等級(jí)的角度對(duì)ROHM的串行EEPROM進(jìn)行器件選型的分析。I2C總線 (2線)EEPROM通用型:BR24Gxxx-3系列,存儲(chǔ)容量范圍為1K~256K
2019-07-11 04:20:11

車(chē)載電子產(chǎn)品上TVS二極管,有哪些?

的ISO7637-2等級(jí)測(cè)試,為車(chē)載電子產(chǎn)品保級(jí)護(hù)航,就需要用到車(chē)載專(zhuān)用TVS二極管(穩(wěn)定可靠、小體積、封裝全、符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)),助力通過(guò)7637車(chē)載浪涌5A/5B測(cè)試。TVS廠家東沃電子DOWOSEMI自主
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AECQ104認(rèn)證檢測(cè)項(xiàng)目有哪些?

AEC-Q104認(rèn)證主要針對(duì)車(chē)多芯片模塊可靠性測(cè)試,是AEC-Q系列家族成員中較新的汽車(chē)電子規(guī)范。那么AEC-Q104認(rèn)證到底有哪些項(xiàng)目呢?華碧實(shí)驗(yàn)室為大家解答這些問(wèn)題。AEC-Q104上
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Diodes Inc MMBT39x車(chē)晶體管

的NPN和PNP晶體管系列,符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),具有高可靠性。 SOT23封裝尺寸適用于卷軸。推薦產(chǎn)品:MMBT3904T-7-F;MMBT3906-7-F;MMBT3904-7-FDiodes其它
2019-08-17 09:43:27

Nexperia 80 V,1 A NPN中功率晶體管

`NPN中功率晶體管系列,采用表面貼裝器件(SMD)塑料封裝,具有大電流,高功耗,出色的導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性等優(yōu)勢(shì)。n具有中等功率能力的無(wú)鉛超小型SMD塑料封裝(SOT1061)。符合AEC-Q101
2020-03-11 17:20:01

SiC-SBD的產(chǎn)品陣容支持車(chē)載的650V/1200V、5A~40A

1200V產(chǎn)品可支持50A的裸芯片。而且在進(jìn)行1700V耐壓產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。下表為機(jī)型名中符號(hào)的意義及當(dāng)前供應(yīng)中的產(chǎn)品陣容一覽。此外,機(jī)型名的最后帶有HR的表示為支持車(chē)載產(chǎn)品,符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)
2018-12-04 10:09:17

SiC整流器的特性和應(yīng)用

1200VSiC二極管系列涵蓋2A至40A的額定電流,包括工業(yè)專(zhuān)用以及汽車(chē)認(rèn)證的AEC-Q101器件,它們采用表面貼裝的DPAKHV(高壓)和D2PAK或通孔TO-220AC和TO-247LL(長(zhǎng)引線)封裝
2020-06-30 16:26:30

TO-247N封裝的650V集射極電壓IGBT RGSXXTS65DHR

RGSXXTS65DHR系列絕緣柵雙極型晶體管的開(kāi)關(guān)特性參數(shù)RGSXXTS65DHR系列絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的特點(diǎn):·低集電極 - 發(fā)射極飽和壓降·短路耐受時(shí)間為8μs·符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)·內(nèi)置
2019-04-09 06:20:10

Vishay SQ2361 汽車(chē)P 溝道 60V 功率 MOSFET

`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測(cè)試。SQ2361 汽車(chē) P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
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中科君芯1200V系列IGBT在工業(yè)焊機(jī)電源中的應(yīng)用

對(duì)江蘇中科君芯科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)中科君芯)針對(duì)焊機(jī)領(lǐng)域開(kāi)發(fā)1200V系列產(chǎn)品性能、和國(guó)外主流器件的參數(shù)比對(duì)、實(shí)際焊機(jī)測(cè)試比對(duì)展開(kāi)討論。1電路拓?fù)涔I(yè)焊接電源電路拓?fù)溆邪霕蚝腿珮?圖1,圖2)兩種
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什么是AEC-Q100認(rèn)證?

),AEC-Q101,AEC-Q200為最常見(jiàn)。其中AEC-Q100是AEC的第一個(gè)標(biāo)準(zhǔn),AEC-Q100于1994年6月首次發(fā)表,現(xiàn)經(jīng)過(guò)了十多年的發(fā)展,AEC-Q100已經(jīng)成為汽車(chē)電子系統(tǒng)的通用標(biāo)準(zhǔn)。對(duì)于車(chē)
2019-07-18 13:19:45

什么是AECQ?

`車(chē)用電子主要依據(jù)國(guó)際汽車(chē)電子協(xié)會(huì)(Automotive Electronics Council,簡(jiǎn)稱(chēng)AEC)作為車(chē)規(guī)驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn),包括AEC-Q100(集成電路IC)、AEC-Q101(離散組件
2020-07-06 09:06:36

優(yōu)恩半導(dǎo)體新推出可通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的車(chē)規(guī)級(jí)TVS管SM8ZXXA/CA系列產(chǎn)品

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內(nèi)置SiC SBD的Hybrid IGBT 在FRD+IGBT車(chē)載充電器案例中 開(kāi)關(guān)損耗降低67%

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哪些組件需要AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)

在為汽車(chē)應(yīng)用選擇組件時(shí),您可能會(huì)發(fā)現(xiàn)自己?jiǎn)枴拔业钠?chē)產(chǎn)品中使用的每個(gè)組件都需要AEC-Q200認(rèn)證嗎?”。答案是不”。AEC-Q200是抗應(yīng)力的全球標(biāo)準(zhǔn),如果這些組件將用于汽車(chē)應(yīng)用,所有無(wú)源電子元件
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安裝面積比同等產(chǎn)品少55%且支持AEC-Q100的LDO穩(wěn)壓器

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明確車(chē)載的理由

——AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)。車(chē)載專(zhuān)用設(shè)計(jì),ROHM一條龍生產(chǎn)該LDO系列從開(kāi)發(fā)階段就專(zhuān)為車(chē)載設(shè)計(jì),作為車(chē)載,為了充分確保高品質(zhì)與嚴(yán)苛環(huán)境下的可靠性,采用了余量和冗余等設(shè)計(jì)考量。ROHM的一條龍
2018-12-04 10:26:31

有效實(shí)施更長(zhǎng)距離電動(dòng)汽車(chē)SiC功率器件

AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)對(duì)汽車(chē)級(jí)離散器件的影響之后,它介紹了ROHM半導(dǎo)體公司的兩符合AEC標(biāo)準(zhǔn)的SiC功率器件,并強(qiáng)調(diào)了成功設(shè)計(jì)必須考慮的關(guān)鍵特性。為電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)提供動(dòng)力
2019-08-11 15:46:45

汽車(chē)電子零部件可靠性驗(yàn)證(AEC-Q)

要進(jìn)入車(chē)輛領(lǐng)域,打入各一級(jí)(Tier1)車(chē)電大廠供應(yīng)鏈,必須取得兩張門(mén)票,第一張是由北美汽車(chē)產(chǎn)業(yè)所AEC-Q100(集成電路IC)、AEC-Q101(離散組件)、AEC-Q102(離散光電LED
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用于1200V PrimePACK的評(píng)估驅(qū)動(dòng)板

2ED250E12-F_EVAL,2ED250E12-F評(píng)估驅(qū)動(dòng)板的開(kāi)發(fā)是為了在客戶(hù)使用1200V PrimePACK IGBT模塊進(jìn)行首次設(shè)計(jì)時(shí)為其提供支持。評(píng)估驅(qū)動(dòng)板是一個(gè)功能齊全的IGBT模塊驅(qū)動(dòng)器,其中兩個(gè)1ED020I12-F驅(qū)動(dòng)器IC過(guò)程控制和反饋信號(hào)并提供電流絕緣
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符合汽車(chē)應(yīng)用AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的4線電阻式觸摸屏控制器

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請(qǐng)問(wèn)MC33662 LIN收發(fā)器是否符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)

MC33662 LIN 收發(fā)器是否符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)?如果是AEC-Q100 qulified,我可以在哪個(gè)文件上找到它的描述? 數(shù)據(jù)表上沒(méi)有明確說(shuō)明。
2023-03-24 06:43:23

超小型、低功耗、高性能、高可靠性兼?zhèn)涞?b class="flag-6" style="color: red">車(chē)載LDO

BUxxJA2MNVX-C系列是采用1mm見(jiàn)方的成型封裝、支持AEC-Q100的LDO穩(wěn)壓器。一般認(rèn)為1.5mm見(jiàn)方的成型封裝已經(jīng)是車(chē)載級(jí)產(chǎn)品的極限,而本系列產(chǎn)品的安裝面積在此基礎(chǔ)上減少了55
2018-12-04 10:13:49

車(chē)電零部件可靠性驗(yàn)證

)、AEC-Q101(離散組件)、AEC-Q102(離散光電LED)、AEC-Q104(多芯片組件)、AEC-Q200(被動(dòng)組件)可靠性標(biāo)準(zhǔn);第二張門(mén)票,則要符合零失效(Zero Defect)的供應(yīng)鏈質(zhì)量管理
2018-08-27 14:47:58

車(chē)電零部件可靠性驗(yàn)證(AEC-Q)

)、AEC-Q101(離散組件)、AEC-Q102(離散光電LED)、AEC-Q104(多芯片組件)、AEC-Q200(被動(dòng)組件)可靠性標(biāo)準(zhǔn);第二張門(mén)票,則要符合零失效(Zero Defect)的供應(yīng)鏈質(zhì)量管理
2018-09-06 17:05:17

車(chē)規(guī)級(jí)TVS管|TPSMAJ/SMBJ/SMCJ/SMDJ/5.0SMDJ系列

/SMBJ/SMCJ/SMDJ/5.0SMDJ系列,防護(hù)產(chǎn)品系列齊全,以滿(mǎn)足高標(biāo)準(zhǔn)的客戶(hù)需求.產(chǎn)品特性:1. 高可靠性、符合汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101認(rèn)證;2. 符合ISO 7637-2-5a拋負(fù)載測(cè)試
2018-07-30 09:27:08

重慶市長(zhǎng)期高價(jià)回收各種英飛凌IGBT型號(hào)模塊

上?;厥?b class="flag-6" style="color: red">IGBT模塊FF200R12KT3_E 200A,1200V,共發(fā)射極,用于矩陣開(kāi)關(guān),雙向變換器等 62mm ?回收IGBT模塊電話151-5220-9946 QQ 2360670759江蘇
2021-09-17 19:23:57

重慶平偉實(shí)業(yè)經(jīng)華碧實(shí)驗(yàn)室檢測(cè),順利通過(guò)AEC-Q100認(rèn)證!

,產(chǎn)品質(zhì)量水平及可靠性達(dá)到國(guó)際水平。此次通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證同時(shí)也標(biāo)志著重慶平偉實(shí)業(yè)股份有限公司順利取得進(jìn)入汽車(chē)供應(yīng)鏈的“金鑰匙”,公司未來(lái)將進(jìn)一步在車(chē)載產(chǎn)品領(lǐng)域深耕細(xì)作,加快車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品的導(dǎo)入。隨著
2022-12-08 15:25:00

面向車(chē)載領(lǐng)域新開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品有43種機(jī)型的豐富變化

ROHM擁有豐富的LDO線性穩(wěn)壓器IC產(chǎn)品陣容,最近推出的“BD4xxMx系列和BDxxC0A系列”是面向車(chē)載領(lǐng)域新開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品。作為車(chē)載IC的規(guī)格符合實(shí)質(zhì)性的業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q100,不僅通用性高
2018-12-04 10:34:07

AEC-Q101分立半導(dǎo)體器件車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證可靠性測(cè)試

AEC-Q101認(rèn)證試驗(yàn)廣電計(jì)量在SiC第三代半導(dǎo)體器件的AEC-Q認(rèn)證上具有豐富的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn),為您提供專(zhuān)業(yè)可靠的AEC-Q101認(rèn)證服務(wù),同時(shí),我們也開(kāi)展了間歇工作壽命(IOL)、HAST
2024-01-29 21:35:04

IR針對(duì)汽車(chē)應(yīng)用推出1200V絕緣IGBT AUIRG7CH

IR針對(duì)汽車(chē)應(yīng)用推出1200V絕緣IGBT AUIRG7CH80K6B-M 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal,SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7
2009-11-19 08:49:32697

華潤(rùn)微電子開(kāi)發(fā)出1200V Trench NPT IGBT工藝平臺(tái)

華潤(rùn)上華已開(kāi)發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT(溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管)工藝平臺(tái),各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求,成功進(jìn)入Trench IGBT代工市場(chǎng)。
2011-03-31 09:23:061470

Vishay推出業(yè)內(nèi)首款通過(guò)汽車(chē)電子元件標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101認(rèn)證的非對(duì)稱(chēng)封裝雙芯片MOSFET

賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 12 月12 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證
2013-12-13 15:07:13844

Vishay發(fā)布用于汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用的經(jīng)AEC-Q101認(rèn)證的高圓頂透射式光傳感器

賓夕法尼亞、MALVERN — 2016 年 4 月13 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出兩顆用于汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用的經(jīng)AEC-Q101認(rèn)證的表面貼裝光傳感器---TCPT1600X01和TCUT1600X01。
2016-04-13 14:20:02698

驅(qū)動(dòng)IGBT_1200V模塊的輔助電源(3 W反激式)

驅(qū)動(dòng)IGBT 1200V模塊的輔助電源(3 W反激式),感興趣的可以看看。
2016-05-11 18:08:4534

1200V溝槽柵場(chǎng)截止型IGBT終端設(shè)計(jì)_陳天

1200V溝槽柵場(chǎng)截止型IGBT終端設(shè)計(jì)_陳天
2017-01-08 14:36:357

美高森美的快速恢復(fù)二極管取得了面向汽車(chē)市場(chǎng)的AEC-Q101資格

現(xiàn)已符合AEC-Q101資格,證明這些電子組件符合用于汽車(chē)市場(chǎng)的主要標(biāo)準(zhǔn)。美高森美的DQ二極管取得AEC-Q101資格,意味著汽車(chē)原始設(shè)備制造商(OEM)以及一級(jí)和其他供應(yīng)商能夠在各種車(chē)載應(yīng)用中使用這款產(chǎn)品。
2017-06-19 10:20:29742

Littelfuse宣布新推符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的瞬態(tài)抑制二極管陣列系列

Littelfuse, Inc.,作為全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè),宣布新推符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的瞬態(tài)抑制二極管陣列系列,該系列產(chǎn)品經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可保護(hù)敏感的電信端口免因靜電放電 (ESD) 和雷擊
2018-05-03 17:59:00748

Littelfuse公司近日宣布推出兩個(gè)符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的瞬態(tài)抑制二極管陣列系列

Littelfuse公司,近日宣布推出兩個(gè)符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的瞬態(tài)抑制二極管陣列(SPA?二極管)系列。 AQHV和AQHV-C系列旨在提供特快熔斷、高性能過(guò)電壓保護(hù)器件,最適合用于電源接口、乘客充電接口以及LED照明模塊和低速I(mǎi)/O。
2018-05-09 17:15:001065

高頻應(yīng)用的高能效 新一代1200V TRENCHSTOP IGBT6發(fā)布

新一代1200V TRENCHSTOP? IGBT6專(zhuān)門(mén)針對(duì)開(kāi)關(guān)頻率在15kHz以上的硬開(kāi)關(guān)和諧振拓?fù)涠O(shè)計(jì),可滿(mǎn)足其對(duì)更高能效以及更低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗的要求.
2018-07-11 11:28:574836

AEC-Q101汽車(chē)電子基于離散半導(dǎo)體元件應(yīng)力測(cè)試認(rèn)證的失效機(jī)理中文標(biāo)準(zhǔn)

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是AEC-Q101基于離散半導(dǎo)體元件應(yīng)力測(cè)試認(rèn)證的失效機(jī)理中文標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。
2018-10-25 08:00:0038

羅姆推車(chē)用級(jí)1200V耐壓IGBT 應(yīng)對(duì)電動(dòng)汽車(chē)需求

據(jù)外媒報(bào)道,最近,日本羅姆半導(dǎo)體公司(ROHM)宣布新增兩款車(chē)用級(jí)1200V耐壓絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),此類(lèi)晶體管非常適合用于電子壓縮機(jī)內(nèi)的逆變器,以及正溫度系數(shù)(PTC)加熱器中的開(kāi)關(guān)電路。
2019-05-27 08:41:501493

滿(mǎn)足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)車(chē)載1200V耐壓IGBTRGS系列

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)新推出四款支持汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBTRGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-29 15:15:504947

關(guān)于1200V耐壓IGBTRGS系列”性能分析

電流流過(guò)PTC元件使之產(chǎn)生熱量。低溫時(shí)會(huì)流過(guò)大電流,產(chǎn)生大量熱量,隨著發(fā)熱量的增加,電阻值增大,電流受限,從而抑制發(fā)熱量。利用這些特性,可加熱空氣和水,并使之循環(huán),從而成為制熱用的熱源。
2019-08-22 09:29:174400

淺談AEC-Q101認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)

AECQ101主要對(duì)汽車(chē)分立器件,元器件標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范要求,AECQ101認(rèn)證將會(huì)是汽車(chē)級(jí)半導(dǎo)體企業(yè)的首選。AEC-Q101認(rèn)證包含了離散半導(dǎo)體元件(如晶體管,二極管等)最低應(yīng)力測(cè)試要求的定義和參考測(cè)試條件,目的是要確定一種器件在應(yīng)用中能夠通過(guò)應(yīng)力測(cè)試以及被認(rèn)為能夠提供某種級(jí)別的品質(zhì)和可靠性。
2021-05-20 11:50:385087

Power Integrations推出通過(guò)AEC-Q101汽車(chē)級(jí)認(rèn)證的200V Qspeed二極管

– 現(xiàn)已通過(guò)AEC-Q101汽車(chē)級(jí)認(rèn)證。Qspeed硅二極管采用混合PIN技術(shù),可在軟開(kāi)關(guān)和低反向恢復(fù)電荷(Qrr)之間提供獨(dú)特的平衡。該特性有助于降低EMI和輸出噪聲,這對(duì)于車(chē)載音響系統(tǒng)特別重要。
2019-09-16 10:23:003049

ROHM研制1200V 第4代SiC MOSFET,單位面積的導(dǎo)通電阻降低了約40%

在這種背景下,ROHM于2010年在全球率先開(kāi)始了SiC MOSFET的量產(chǎn)。ROHM很早就開(kāi)始加強(qiáng)符合汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的產(chǎn)品陣容,并在車(chē)載充電器(On Board
2020-06-19 14:21:074199

ROHM新推出四款IGBTRGS系列”產(chǎn)品

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)新推出四款支持汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBTRGS系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品非常適用于電動(dòng)壓縮機(jī)※2)的逆變器電路
2020-09-18 16:57:092348

IGBT電動(dòng)汽車(chē)空調(diào)有哪些關(guān)鍵技術(shù)

ROHMRGS系列是符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)、且具有1200V和650V寬耐壓范圍的IGBT產(chǎn)品。該系列具有更低的傳導(dǎo)損耗,有助于提高應(yīng)用產(chǎn)品的效率并實(shí)現(xiàn)小型化,是電動(dòng)壓縮機(jī)的逆變器和高壓加熱器的更佳選擇。
2020-10-02 17:34:002601

Microchip推出700和1200V碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管

)今日宣布推出最新通過(guò)認(rèn)證的700和1200V碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)功率器件,為電動(dòng)汽車(chē)(EV)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供了符合嚴(yán)苛汽車(chē)質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的解決方案,同時(shí)支持豐富的電壓、電流和封裝選項(xiàng)。 Microchip新推出的器件通過(guò)了AEC-Q101認(rèn)證,對(duì)于需要在提高系統(tǒng)效率的同時(shí)保持高質(zhì)
2020-11-05 10:20:351686

上海陸芯汽車(chē)級(jí)IGBT產(chǎn)品獲得AEC-Q101驗(yàn)證報(bào)告

9月20日,廣州廣電計(jì)量檢測(cè)股份有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng):廣電計(jì)量)聯(lián)袂上海陸芯電子科技有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng):上海陸芯),于廣州順利舉行“廣電計(jì)量與上海陸芯合作交流會(huì)暨上海陸芯IGBT汽車(chē)級(jí)AEC-Q101驗(yàn)證報(bào)告頒發(fā)儀式”。
2022-09-22 14:54:251102

瞻芯電子1200V大電流MOSFET獲車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證

值得一提的是,這款TO247-4封裝的產(chǎn)品通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證,同時(shí)表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片,也滿(mǎn)足車(chē)規(guī)級(jí)可靠性標(biāo)準(zhǔn)。該晶圓正面還可以采用鎳鈀金,如下圖,支持雙面散熱封裝,可進(jìn)一步突破傳統(tǒng)單面封裝的功率密度極限。
2022-11-08 14:45:16875

AEC Q102(一文讀懂車(chē)規(guī)級(jí)AEC-Q認(rèn)證)

(Automotive Electronics Council,簡(jiǎn)稱(chēng)AEC)作為車(chē)規(guī)驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn),包括AEC-Q100(集成電路IC)、AEC-Q101(離散組件)、AEC-Q102(離散光電LED
2023-01-29 11:04:432414

RGS系列:支持AEC-Q101車(chē)載1200V耐壓IGBT

ROHM新開(kāi)發(fā)的“RGS系列”是滿(mǎn)足汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q1011200V耐壓IGBT。此次推出的4款型號(hào),傳導(dǎo)損耗非常低,非常有助于應(yīng)用的小型化與高效化。
2023-02-09 10:19:23457

滿(mǎn)足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的SiC MOSFET又增10個(gè)型號(hào),業(yè)界豐富的產(chǎn)品陣容!

ROHM面向xEV車(chē)載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器,又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET,該系列產(chǎn)品“支持汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101”,而且共有13款型號(hào),擁有業(yè)界豐富的產(chǎn)品陣容。
2023-02-09 10:19:24564

650V耐壓IGBT RGTV/RGW系列介紹

ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列(短路耐受能力保持型)”和“RGW系列(高速開(kāi)關(guān)型)”共21種機(jī)型,該系列產(chǎn)品同時(shí)實(shí)現(xiàn)了業(yè)界頂級(jí)的低傳導(dǎo)損耗和高速開(kāi)關(guān)特性,并大大減少了開(kāi)關(guān)時(shí)的過(guò)沖。
2023-02-09 10:19:25724

1200V耐壓、400A/600A的全SiC功率模塊BSM400D12P3G002和BSM600D12P3G001

ROHM面向工業(yè)設(shè)備用電源、太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器,開(kāi)發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
2023-02-10 09:41:05595

白皮書(shū):GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認(rèn)證所需的穩(wěn)健性 – 中文(650 V GaN FET 技術(shù)可提供出色效率,以及 AEC-Q101 認(rèn)證所需的耐久性)-nexperia_whitepaper_...

白皮書(shū):GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認(rèn)證所需的穩(wěn)健性 – 中文(650 V GaN FET 技術(shù)可提供出色效率,以及 AEC-Q101 認(rèn)證所需的耐久性)-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:53:032

白皮書(shū):GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認(rèn)證所需的穩(wěn)健性-nexperia_whitepaper_...

白皮書(shū):GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認(rèn)證所需的穩(wěn)健性-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 20:08:503

國(guó)產(chǎn)SIC MOSFET功率器件推出1200V大電流MOSFET獲得車(chē)規(guī)認(rèn)證

2022年11月,上海瞻芯電子開(kāi)發(fā)的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過(guò)了車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101),該產(chǎn)品為T(mén)O247-4封裝,最大電流(Ids)可達(dá)111A。
2023-03-22 16:47:332073

配備羅姆 1200V IGBT的功率模塊

。此次,賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊中,采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后,雙方將繼續(xù)保持緊密合作,全力響應(yīng)全球電機(jī)驅(qū)動(dòng)用戶(hù)的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務(wù)執(zhí)行官?CFO 伊野和英 (左) ? 賽米控丹佛斯?
2023-04-26 09:17:51608

賽米控丹佛斯推出配備羅姆 1200V IGBT的功率模塊

中,采用了羅姆的新產(chǎn)品—— 1200V IGBT “RGA系列”。今后,雙方將繼續(xù)保持緊密合作,全力響應(yīng)全球電機(jī)驅(qū)動(dòng)用戶(hù)的需求。 ROHM Co., Ltd.董事 常務(wù)執(zhí)行官 CFO 伊野和英(左)賽米控丹佛斯 CEO Claus A. Petersen(右) 隨著全球電動(dòng)化技術(shù)的快速發(fā)展,對(duì)功
2023-04-26 15:27:11517

什么是AEC-Q101認(rèn)證?——華碧實(shí)驗(yàn)室

AEC-Q101認(rèn)證對(duì)象: 晶體管:BJT、MOSFET、IGBT、二極管、Diodes、Rectifier、Zeners、PIN、Varactors 光器件:LEDs、Optocoupler
2023-05-16 15:17:01737

賽米控丹佛斯推出配備羅姆1200V IGBT的功率模塊

合作關(guān)系。此次,賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊中,采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后,雙方將繼續(xù)保持緊密合作,全力響應(yīng)全球電機(jī)驅(qū)動(dòng)用戶(hù)的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務(wù)執(zhí)行官 CFO 伊野和英 (左) 賽米控丹佛斯
2023-05-17 13:35:02938

功率器件AEC-Q101如何選擇測(cè)試項(xiàng)目?認(rèn)證準(zhǔn)備及流程有哪些?

AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)是用于分立半導(dǎo)體器件的,標(biāo)準(zhǔn)全稱(chēng):Failure Mechanism Based Stress Test Qualification For Discrete
2023-05-31 17:09:082684

AEC - Q200 - Rev E,2023年3月20日,AEC發(fā)布了最新的無(wú)源元件AEC-Q200車(chē)規(guī)認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)

器件的標(biāo)準(zhǔn)為 [AEC-Q101],針對(duì)于LED的標(biāo)準(zhǔn)為 [AEC-Q102],針對(duì)于被動(dòng)元件設(shè)計(jì)為[AEC-Q200],AEC-Q104(多芯
2023-06-16 14:32:531249

符合AEC-Q101認(rèn)證的車(chē)規(guī)級(jí)瞬態(tài)抑制二極管的特性及應(yīng)用

Semiware推出符合AEC-Q101認(rèn)證的車(chē)規(guī)級(jí)TVS管TPSMAJ/SMBJ/SMCJ/SMDJ/5.0SMDJ系列,防護(hù)產(chǎn)品系列齊全,以滿(mǎn)足高標(biāo)準(zhǔn)的客戶(hù)需求.
2021-12-08 11:41:13450

功率半導(dǎo)體器件(IGBT、MOSFET和SiC)設(shè)計(jì)企業(yè):上海陸芯獲得第三代IGBT車(chē)規(guī)級(jí)AEC-Q101認(rèn)證

3月11日,國(guó)際獨(dú)立第三方檢測(cè)檢驗(yàn)和認(rèn)證機(jī)構(gòu)德國(guó)萊茵TV(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“TV萊茵”)向上海陸芯電子科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“上海陸芯”)的第三代IGBT產(chǎn)品頒發(fā)了AEC-Q101認(rèn)證證書(shū)。這是上海陸芯汽車(chē)
2022-06-21 09:18:39887

車(chē)規(guī)級(jí)AEC-Q認(rèn)證技術(shù)的發(fā)展及標(biāo)準(zhǔn)的進(jìn)化

AEC-Q100、AEC-Q101AEC-Q200這三個(gè)標(biāo)準(zhǔn)是最早制訂的、也最常被引用的AEC-Q標(biāo)準(zhǔn)。在AEC網(wǎng)站上的“文檔”頁(yè)面列出了37個(gè)標(biāo)準(zhǔn)和子標(biāo)準(zhǔn),其中七個(gè)被列為“新New”或“初始版本Initial release”
2022-07-01 09:27:551391

AEC Q101中文版及內(nèi)容解讀(正文部分)

是FAILUREMECHANISMBASEDSTRESSTESTQUALIFICATIONFORDISCRETESEMICONDUCTORSINAUTOMOTIVEAPPLICATIONS翻譯過(guò)來(lái)是基于失效機(jī)制對(duì)汽車(chē)領(lǐng)域應(yīng)用中分立半導(dǎo)體器件的認(rèn)證測(cè)試AEC-Q101最新的版本是Rev_E,發(fā)布于2021年3月
2023-01-13 10:00:291128

AEC-Q101的認(rèn)證對(duì)象和測(cè)試項(xiàng)目

USAEC-Q101認(rèn)證的概念AEC-Q101:車(chē)用分立半導(dǎo)體元器件的基于失效機(jī)理的應(yīng)力測(cè)試驗(yàn)證。半導(dǎo)體分立器件被廣泛應(yīng)用到消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)及外設(shè)、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車(chē)電子、LED顯示屏等領(lǐng)域,而汽車(chē)領(lǐng)域
2023-01-13 10:02:03503

車(chē)規(guī)芯片的AEC-Q100測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)

AEC其實(shí)是Automotive Electronics Council汽車(chē)電子協(xié)會(huì)的簡(jiǎn)稱(chēng),并且AECQ標(biāo)準(zhǔn)包括以下幾個(gè)領(lǐng)域,對(duì)于不同領(lǐng)域的電子器件,適用于不同的標(biāo)準(zhǔn)。目前見(jiàn)到的比較多的是AEC-Q100、AEC-Q101、AEC-Q200。
2023-07-05 11:30:166236

AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)之TC解讀

AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)之TC解讀TC(TemperatureCycling)高溫循環(huán)測(cè)試意義在于證實(shí)極高溫度,極低溫度和高溫與低溫交替作用時(shí),機(jī)械應(yīng)力對(duì)于器件焊接性能的作用,標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101
2023-08-30 08:27:50568

安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)全部測(cè)試

安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)認(rèn)證的全部測(cè)試。
2023-09-06 17:48:45474

AEC-Q101功率循環(huán)測(cè)試 簡(jiǎn)介

功率循環(huán)測(cè)試-簡(jiǎn)介功率循環(huán)測(cè)試是一種功率半導(dǎo)體器件的可靠性測(cè)試方法,被列為AEC-Q101與AQG-324等車(chē)規(guī)級(jí)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)的必測(cè)項(xiàng)目。相對(duì)于溫度循環(huán)測(cè)試,功率循環(huán)通過(guò)在器件內(nèi)運(yùn)行的芯片發(fā)熱使器件
2023-09-10 08:27:59858

MOSFET符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn) 采用小型有引腳和無(wú)引腳DFN的SMD封裝

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn) 采用小型有引腳和無(wú)引腳DFN的SMD封裝.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-26 15:36:081

國(guó)星光電SiC-MOSFET器件獲得AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證

是車(chē)規(guī)元器件重要的認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)之一。對(duì)于1200V耐壓器件,AEC-Q101在H3TRB(高溫高濕反偏試驗(yàn))考核標(biāo)準(zhǔn)耐壓通常為100V。而在HV-H3TRB(高壓高溫高
2023-10-24 15:52:32607

國(guó)星光電的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功獲得AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證

1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件獲AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證后
2023-10-25 18:28:10424

汽車(chē)級(jí)直插TVS管LDP系列,符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)

汽車(chē)級(jí)直插TVS管LDP系列特性:Glasspassivatedchip6000Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform
2022-01-18 11:32:450

蓉矽半導(dǎo)體1200V SiC MOSFET通過(guò)車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證

蓉矽半導(dǎo)體近日宣布,其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)測(cè)試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力,也進(jìn)一步證明了其產(chǎn)品在新能源汽車(chē)、光伏逆變等高端應(yīng)用領(lǐng)域的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)力。
2024-03-12 11:06:30228

蓉矽半導(dǎo)體SiC MOSFET通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)考核和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性驗(yàn)證

蓉矽半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)測(cè)試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核,同時(shí)通過(guò)了新能源行業(yè)頭部廠商的導(dǎo)入測(cè)試并量產(chǎn)交付。
2024-03-12 17:18:21207

SGS為華微電子頒發(fā)AEC-Q101認(rèn)證證書(shū)

近日,國(guó)際公認(rèn)的測(cè)試、檢驗(yàn)和認(rèn)證機(jī)構(gòu)SGS(以下簡(jiǎn)稱(chēng)為“SGS”)為吉林華微電子股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)為“華微電子”)頒發(fā)AEC-Q101認(rèn)證證書(shū)。
2024-03-22 18:25:56566

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